• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.546-551
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• 1998

$Mn{1-X}Fe{2+X}O_4, Mg_{1-X}Fe_{2+X}O_4$ (x=0.0, 0.025, 0.1, 0.2) for negative temperature coefficient (NTC) thermistor was prepared by calcination at $800^{\circ}C$ and sintering at form 1100 to $1250^{\circ}C$ with $50^{\circ}C$ intervals. The best linear property was obtained in the Mn-based sample sintered at $1200^{\circ}C$ with x=0.0 composition. Temperature coefficient of resistance, $\alpha$, was $-5.6%/^{\circ}C$ in the Mn-based sample, $-5.2%/^{\circ}C$ in the MM-based sample, and $-1.6%/^{\circ}C$ in the Mg-based sample. thermistor parameter, B, was in the range of 2665~7780 K. The results show the possibility that Mn-Ni-Co based thermistor could be substituted by the composition used in this study.

• 한국결정성장학회지
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• 제31권5호
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• pp.218-227
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• 2021

저온 동시 소성용 후막 NTC 서미스터를 Mn_1.5Ni_0.4Co_0.9Cu_0.4O₄ 조성의 NTC 분말과 lead free frit 및 RuO₂를 이용하여 제조한 페이스트를 96 % 알루미나 기판 위에 인쇄와 소결을 통해 제조한 후, 이 후막 NTC의 전기적 특성에 미치는 프릿트 및 RuO₂의 영향을 연구하였다. 후막 NTC 서미스터의 저항은 동일한 온도에서 소결한 벌크 상에 비해 높게 나타났으나 저항-온도 특성에서 부 저항 온도 특성은 더 명확하게 직선적으로 나타남을 알 수 있었다. 한편, 소결온도 증가에 따라 면적저항은 감소하였고 프릿트 첨가량이 많을수록 면적저항은 높게 나타났다. 후막 NTC 서미스터의 B 정수는 3000 K 이상의 값 나타냈는데 그 중 프릿트를 5 wt% 첨가한 페이스트로 만든 후막 NTC를 900℃에서 소결한 시편의 B 정수가 가장 높게 나타남을 알 수 있었다. 또한, RuO₂ 첨가에 따라 면적저항의 감소가 나타남을 알 수 있었으며 RuO₂를 5 wt% 첨가한 페이스트를 900℃에서 소결한 후막 NTC 서미스터의 면적저항 감소의 변화가 가장 뚜렷이 나타남을 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권2호
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• pp.88-92
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• 2003

본 연구에서는, Mn-Co-Ni 산화물계 NTC 써미스터의 열처리 조건에 따른 전기적 특성간의 상호관계에 대하여 고찰하였으며, 이를 위해 XRD. 소결체 밀도측정 및 B정수, 저항 열방산정수 등의 전기적 특성치를 조사하였다. NTC 써미스터의 열처리 과정은 Mn-Co-Ni 산화물 시험편의 소결특성에 큰 영향을 미치고있었으며, 본 연구의 조성하에서는 $1250^{\circ}C$, 2시간 동안 열처리한 경우 가장 높은 밀도치를 얻을 수 있었다. 이 조건하에서 미세구조 관찰결과 치밀화과정이 거의 완전하게 이뤄짐을 확인하였다. 제조된 NTC 써미스터는 소결 온도가 상승함에 따라 저항값 및 B 정수값이 커지는 것을 확인하였으며, 연료 액위의 변화에 다른 출력전압의 거동을 측정한 결과 선형 감소 거동을 나타내었다. 따라서, 본 연구에서 제조된 Mn-Co-Ni 산화물계 NTC 써미스터의 전기적 특성은 열처리 조건과 밀접한 연관성이 존재하는 것으로 사료되며, 향후 자동차용 연료액위센서로의 응용성이 가능할 것으로 기대된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제28권1호
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• pp.28-37
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• 2018

저온에서 소성이 가능한 NTC 서미스터의 제조를 위해 $Mn_{1.85}Ni_{0.25}Co_{0.9}O_4$ 기본 조성의 NTC 서미스터의 전기적 특성에 미치는 무연계 프릿트(frit)와 $RuO_2$ 첨가의 영향에 대하여 연구하였다. 기본 NTC 조성에 프릿트를 10 wt% 첨가하여 $1000^{\circ}C$에서 소결한 시편의 소결특성이 프릿트를 첨가하지 않고 $1200^{\circ}C$에서 소결한 시편과 유사하였다. 그러나 프릿트의 첨가량이 증가할수록 전기저항과 B 정수는 높게 나타났다. 저항을 낮추기 위해 프릿트를 10 wt% 첨가한 조성에 $RuO_2$를 0, 2, 5 wt% 첨가하여 $1000{\sim}1200^{\circ}C$에서 소결하여 NTC 서미스터를 제조 한 후 소결 및 전기적 특성을 측정하였다. $RuO_2$ 첨가량이 많을수록 전기저항과 B 정수는 감소하는 경향을 나타내었으나, $RuO_2$를 5 wt% 첨가하여 $1000^{\circ}C$의 소결온도에서 소결한 소결체가 저항이 가장 낮았고 이후 소결온도 증가에 따라 저항은 오히려 증가하는 경향을 나타내었다. 기본 NTC 조성에 10 wt%의 프릿트와 5 wt%의 $RuO_2$를 첨가하여 $1000^{\circ}C$에서 소결한 NTC 서미스터가 프릿트를 첨가하지 않은 기본 조성의 NTC를 $1200^{\circ}C$에서 소결한 경우와 소결특성과 전기적 특성이 유사하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1989년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.93-96
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• 1989

NTC thermistor was prepared by adding TiO$_2$and MnO$_2$on Fe$_2$O$_3$and the effects of additions were investigated. And the effects of compating pressure, sintering temperature, and sintering time were also experimented. Fe$_2$O$_3$is insulator in stoichiometric state and will be semiconductor by introducing Ti$^{+4}$, Sn$^{+4}$. These semiconducting material will show large negative temperature coeffecients and can be used as NTC thermistor.tor.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1674-1676
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• 1999

Oxide of the form $Mn_3O_4-CuO-Co_3O_4$-NiO-ZnO present properties that make them useful as power NTC thermistor for current limited. Power NTC thermistor electric properties of $Mn_3O_4-CuO-Co_3O_4$-NiO-ZnO system has been measured as a function of temperature and composition and current - voltage, time constant, activation energy, heat dissipation coefficient have also been determined.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.506-508
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• 2000

Oxide of the form $Mn_{3}O_{4}-NiO-Fe_{2}O_{3}$ present properties that make them useful as multilayer chip NTC thermistor for mobile phone NTC thermistor electric properties of $Mn_{3}O_{4}-NiO-Fe_{2}O_{3}$ system has been measured as a function of temperature and composition. In $Mn_{3}O_{4}-NiO-Fe_{2}O_{3}$ composition, it can be seen that resistivity and B-constant were increased as the ratio of $Mn_{3}O_{4}/F_{2}O_{3}$ and $Mn_{3}O_{4}$/NiO was increased. In particular, resistance change ratio (${\Delta}R$), the important factor for reliability varied within ${\pm}1%$, indicating the compositions of these products could be available for mobile phone.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1989년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.97-100
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• 1989

Thermistor is the semiconducting material whose electrical resistance is varied with its self heating. In this paper, the improvement of resistance-temperature characteristics of NTC thermistor devices based on NiO was experimented. The specimens were prepared by mixing NiO and Mn$_2$O$_3$(1:1 mole %) and by addition of CuO(1 wt %, 2 wt %, 4 wt %). The specimens were compacted at the pressure of 1000 kg/$\textrm{cm}^2$ and sintered for 1 hour in air ambient at 120$0^{\circ}C$. Reducing CuO additions not only resistance-temperature characteristics, but also increased room temperature resistance.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.181.2-181
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• 2003

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.459-462
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• 2001

Interface effects on properties of NTC thermistors having Mn-Co-O spinel crystal structure system are analyzed by a mixing rule in case of mixed types and layered types between CuO and Al$_2$O$_3$ added compounds. With adding CuO and Al$_2$O$_3$, The compounds form completely solid solution and their resistance and B constant are changed due to the variation of conduction electrons by their ionic substitutions. The properties of mixed NTC thermistors are depended on the logarithmic mixing rule by a dispersed phase and they show slightly lower values due to the lattice mixing affect in compared with calculated values. The resistance of layered NTC thermistors is depended upon the series mixing rule containing the value of an interface layer and effected by the variation of its thickness, and it is changed rapidly to the logarithmic mixing rule by the connection between two layers with increasing the interface layer