• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제14권5호
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• pp.87-93
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• 2014

n/m=qm+r에서 에서 m=7인 단순한 경우에도 주어진 수 n이 m의 배수 판정법은 간단하지가 않다. 만약, m이 두 자리 수 이상이 되면 더욱 복잡해진다. 일반적인 배수 판정법으로 둔켈스 (Dunkels)법이 있지만 n이 컴퓨터로 처리하지 못하는 매우 큰 자리수인 경우 이 방법도 처리할 수 없다. 본 논문은 n과 m의 자리수와 무관하게 n(modm)=0 여부로 n이 m의 배수인지 여부를 검증하는 간단하면서도 정확한 방법을 제안한다. 제안된 방법은 $n=n_1n_2n_3{\cdots}n_k$, $m=m_1m_2{\cdots}m_l$에 대해 $r_1=n_1n_2{\cdots}n_l(mod m)$으로 설정하고, $r_i=r_{i-1}{\times}10+n_i(mod m)$, $i=2,3,{\cdots},k-1+1$로 n의 자리수를 1자리씩 감소시키는 방법을 적용하였다. 제안된 방법을 다양한 n,m 데이터에 적용한 결과 쉽고, 빠르며 정확한 몫과 나머지 값을 구할 수 있음을 보였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제29권6C호
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• pp.751-762
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• 2004

본 논문에서는 삼각 셀을 이용하여 2$^n$개의 서로 다른 극수를 갖는 새로운 GRM 계수의 생성 기법을 제안한다. 기존의 GRM 계수 생성방법으로는 주어진 RM제수를 변환행렬과 연산하는 Green 등의 방법과 기본 전달행렬들을 만복 적용하여 다른 극수들을 구하는 Besslich 등의 방법이 대표적이다. 본 논문에서 효율적인 GRM 계수의 생성을 위하여 삼각 셀을 정의하였고, 삼각 셀의 첫 행에 2n개의 주어진 RM계수를 나열한 후 고정된 수식에 의해 하위 열에 순차적 모듈로 합을 행하는 병렬형 방법이다. 제안한 연산 기법의 효율성을 예증하기 위해 기존의 기법들과 비교하였고, 비교결과 n개의 입력 변수에서 모든 극수의 GRM 계수들을 구하는데 같은 시스템 복잡도 (log 2$^n$) $T_{X}$에 대하여 Besslich 등의 기법은 2$^n$$^{-1}$／${\times}$(2$^n$-1)개의 2입력 Ex-OR가 필요한 반면에 본 논문에서 제안한 기법은 2${\times}$(n-1변수의 Ex-OR 개수) + 3$^n$$^{-1}$ 개의 2입력 Ex-OR만을 필요로 한다.다..

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.123-129
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• 2013

암호학의 암호 생성과 해독, 소수판별법의 성능은 대부분 $a^b$ (mod m)의 모듈러 지수연산의 효율적 구현여부로 결정된다. 모듈러 지수연산법에는 제곱-곱셈 방식의 표준 이진법이 최선의 선택으로 알려져 있다. 그러나 큰 자리수의 b에 대해서는 사전처리를 하는 n-ary, ($n{\geq}2$)이 보다 효율적으로 적용된다. 본 논문에서는 모듈러 지수 나눗셈 방법을 적용한 제곱-나눗셈법과 사전처리 없는 n-ary 제곱-나눗셈법을 제안하였다. 제곱-나눗셈법은 b가 $2^k+2^{k-1}$에 근접한 값 또는 $2^{k+1}$에 근접한 경우 수행횟수 측면에서 가장 효율적임을 알 수 있었다. 나머지 값들에 대해서는 사전처리 없는 n-ary 제곱-나눗셈법을 적용하는 것이 사전처리를 하는 일반적인 n-ary법에 비해 수행횟수 측면에서 효율적임을 보였다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제16권8호
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• pp.103-108
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• 2011

대표적인 소수판별법으로 밀러-라빈방법이 적용되고 있다. 밀러-라빈판별법은 m=[2, n-1]에서 m을 k개 선택하여 n-1=$2^sd$, $0\;{\leq}\;r\;{\leq}\;s-1$ 에 대해 $m^d\;{\equiv}\;1(mod\;n)$ 또는 $m^{2^rd}\;{\equiv}\;-1(mod n)$로 소수를 판별하여 $k{\times}r$회를 수행한다. 본 논문은 c=$p^{\frac{n-1}{2}}(mod\;n)$을 계산하여 c=-1이면 소수로 판별하여 k회 수행하였다. 제안된 판별법은 밀러-라빈 판별법의 $k{\times}r$회를 k회로 감소시켰다.

• 한국마린엔지니어링학회:학술대회논문집
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• 한국마린엔지니어링학회 2001년도 추계학술대회 논문집(Proceeding of the KOSME 2001 Autumn Annual Meeting)
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• pp.112-119
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• 2001

Parameter tuning methods by Ziegler-Nickels for control systems are generally classified into Z-N(1) and Z-N(2). The purpose of this paper is to describe what relations exist between methods of Z-N(1) and Z-N(2), or how Z-N(1) method can be originated from Z-N(2) method by analyzing one loop control system of P or PI controller and time delay process. The formulas of Z-N(1) consist of process parameters, L(time delay), $K_m$(gain) and $T_m$(time constant), but Z-N(2) method is based only on the ultimate gain $K_u$ and the ultimate period $T_u$ acquired normally by practical trial without any parameters of Z-N(1). In this paper, for the first step to seek mutual relations, the simple formulas of Z-N(2) are transformed into the formulas composed of the same parameters as Z-N(1) which is derived from the analysis of frequency characteristics. Then, the approximation of the actual ultimate frequency is proposed as important premise in the translation between Z-N(1) and (2). Such equalization and approximation brings a simple approximated formula which can explain how Z-N(1) is originated from the Z-N(2) in the form of formula. And a model system is adopted to compare the approximated formula to Z-N(1) and Z-N(2) methods, the results of which show the effectiveness of the proposals.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.41-47
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• 2016

암호학의 암호 생성과 해독의 곱셈 횟수는 대부분 $a^b$(mod m) 모듈러 지수연산의 효율적 구현여부로 결정된다. 표준 모듈러 지수연산법으로는 1-ary법인 이진법이 있으며, n-ary($2{\leq}n{\leq}6$)법이 많이 적용되고 있다. n-ary($1{\leq}n{\leq}6$)법은 $b=b_kb_{k-1}{\cdots}b_1b_{0(2)}$에 대해 R-L 방향으로 n비트로 고정된 분할을 하고, n회 제곱과 비트값 곱셈을 수행하는 제곱-곱셉법이다. 본 논문에서는 $b_{k-1}{\cdots}b_1b_{0(2)}$에 대해 L-R 방향으로 가변길이로 분할하는 방법을 적용한다. 또한, 개변길이의 제곱과 곱셈 또는 나눗셈을 적용한다. 제안된 가변길이 분할법은 고정길이 분할법인 n-ary법에 비해 곱셈 수행횟수를 감소시킬 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 제6회 학술대회 논문집 일렉트렛트 및 응용기술연구회
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• pp.39-42
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• 2004

The $Bi_2Sr_2Ca_nCu_{n+1}O_x$ superconducting thin film fabricated by using the sputtering method was compared with the $Bi_2Sr_2Ca_nCu_{n+1}O_x$ superconducting thin film fabricated by using the evaporation method. In doing the ultra-low deposition because each element can exist on the substrate surface, both the sputtering method and the evaporation method could easily fabricate single phase of the Bi2212 phase. Also, it is cofirmed that by optimizing the deposition condition, each single phase of the Bi2201 phase and the Bi2212 phase can be fabricated, the sticking coefficient of Bi element is clearly related to the changing of substrate temperature and the formation of the Bi2212 phase.

• 열처리공학회지
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• 제10권2호
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• pp.138-149
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• 1997

TiN and AlN are ceramic materials with extensive applications due to its excellent mechanical and chemical properties at elevated temperature. The purpose of this research is to develop the method for the synthesis of ternary nitride powder, titanium-aluminum-nitrogen system, which have an excellent property of both TiN and AlN. The ternary nitride such as $Ti_3AlN$, $Ti_2AlN$ and $Ti_3Al_2N_2$ can be synthesized by the interdiffusion nitriding method in Ar gas, however, the ternary nitride coexist with TiN, AlN, $Ti_3Al$ and ${\alpha}$-Ti. The ternary nitride are stable below $1400^{\circ}C$, but these are gradually decomposed into TiN, $Ti_3Al$ and AlN above $1400^{\circ}C$. The thermal oxidation characteristics of the Ti-Al-N compound synthesized by the interdiffusion nitriding method is superior to that of the TiN+AlN mixed powder, and the oxidation for both materials show the differential behaviors.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.518-521
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• 2003

Bi$_2$Sr$_2$Ca$_{n-1}$Cu$_{n}$O$_{x}$ superconducting thin films have been fabricated by atomic layer-by-layer deposition using IBS(Ion Beam Sputtering) method. During the deposition, 90 mol% ozone gas of typical pressure of 1~9 $\times$ 10$^{-5}$ Torr are supplied with ultraviolet light irradiation for oxidation. XRD and RHEED investigations reveal out that a buffer layer with some different compositions is formed at the early deposition stage of less than 10 units cell and then Bi-2201 oriented along the c-axis is grown.grown.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제4권4호
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• pp.158-161
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• 2006

[ $Bi_2Sr_2Ca_nCu_{n+1}O_y(n{\geq}0)$ ] thin film is fabricatedvia two different processes using an ion beam sputtering method i.e. co-deposition and layer-by-layer deposition. A single phase of Bi2212 can be fabricated via the co-deposition process. While it cannot be obtained by the layer-by-layer process. Ultra-low growth rate in our ion beam sputtering system brings out the difference in Bi element adsorption between the two processes and results in only 30% adsorption against total incident Bi amount by layer-by-layer deposition, in contrast to enough Bi adsorption by co-deposition.