In this paper, all the materials constants of the PMN-32%PT single crystals grown by the solid state crystal growth method were measured by the resonance method. PMN-PT crystals of tetragonal symmetry have six elastic constants, three piezoelectric constants and two dielectric constants for their independent material constants. These materials constants were extracted from six sets of crystal samples of each different geometry to have different vibration modes respectively. Measured results showed that the crystal has larger electromechanical coupling factor k/sub 33/ (∼86%) and piezoelectric constant d/sub 33/ (∼1200pC/N) than conventional piezoceramics. Validity of the measurement was confirmed through comparison of the results with the impedance spectrum from finite element analysis of the samples and the results measured with a commercial do meter.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.38C
no.10
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pp.903-910
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2013
An autostereoscopic multi-view 3D display system has the narrower degrees of freedom in the observational directions, such as the horizontal and perpendicular directions to the display plane, than the glasses-on type of 3D display. In this paper, we propose an innovative method to expand the width of the viewing zone formed in the depth direction while maintaining the number of views in the horizontal direction by using a triple segmented-slanted parallax barrier (TS-SPB) in the glasses-off type of 3D display. The validity of the proposal was verified by an optical simulation based on an environment similar to an actual case. The maximum number of views that can be displayed in the horizontal direction is 2n, and the width of the viewing zone with depth increased up to a factor of 3.36 compared to the existing one-layered parallax barrier system.
Polycrystalline $Cd_{1-x}Zn_{x}S$ thin film were grown on slide glass(corning-2948) substrate using a chemical bath deposition (C.B.D) method. They were annealed at various temperature and X -ray diffraction patterns were measured by X-ray diffractometor in order to study $Cd_{1-x}Zn_{x}S$ polycrystal structure using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the CdS, ZnS sample annealed in $N_{2}$ gas at $550^{\circ}C$. It was found hexagonal structure which had the lattice constant $a_{0}\;=\;4.1364{\AA}$, $c_{0}\;=\;6.7129{\AA}$ in CdS and $a_{0}\;=\;3.8062{\AA}$, $c_{0}\;=\;6.2681{\AA}$ in ZnS, respectively. Hall effect on these sample was measured by Van der Pauw method and then studied on carrier density and mobility depending on temperature. We measured also spectral response, sensitivity maximum allowable power dissipation and response time on these sample.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.6
no.4
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pp.1-7
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1999
We developed Fabrication process of embedded passive components in MCM-D substrate. The proposed MCM-D substrate is based on Cu/photosensitive BCB multilayer. The substrate used is Si wafer and Ti/cu metallization is used to form the interconnect layer. Interconnect layers are formed with 1000$\AA$ Ti/3000$\AA$ Cu by sputtering method and 3$\mu\textrm{m}$ Cu by electrical plating method. In order to form the vias in photosensitive BCB layer, the process of BCB and plasma etch using $C_2F_6$ gas were evaluated. The MCM-D substrate is composed of 5 dielectric layers and 4 interconnect layers. Embedded resistors are made with NiCr and implemented on the $2^{nd}$ dielectric layer. The sheet resistance of NiCr is controlled to be about 21 $\Omega$/sq at the thickness of 600$\AA$. The multi-turn sprial inductors are designed in coplanar fashion on the $4^{th}$ interconnect layer with an underpass from the center to outside using the lower $3^{rd}$ interconnect layer. Capacitors are designed and realized between $1^{st}$ interconnect layer and $2^{nd}$ interconnect layer. An important issue in capacitor is the accurate determination of the dielectric thickness. We use the 900$\AA$ thickness of PECVD silicon nitride film as dielectric. Capacitance per unit area is about 88nF/$\textrm {cm}^2$at the thickness of 900$\AA$. The advantage of this integration process is the compatibility with the conventional semiconductor process due to low temperature PECVD silicon nitride process and thermal evaporation NiCr process.
In this paper fatigue strength reduction of butt weld with penetration defect, which can be seen frequently in the steel bridge, was assessed quantitatively. S-N curves were derived and investigated through the constant amplitude fatigue test of fully or partially penetrated welded specimen made of SWS490 steel. The fracture mechanical method was applied in order to calculate the remaining fatigue life of the partially penetrated butt welds. The fatigue limit of the fully penetrated butt welds was higher than that of category A in AASHTO's fatigue design curves, and the slope of S-N curves with 5.57 was stiffer than that of other result for welded part generally accepted as 3. The fatigue strength of the partially Penetrated butt weld was strongly influenced by the size of lack of penetration, D. It decreased drastically with increasing D from 3.9 to 14.7mm. Fracture behaviour of the partially penetrated butt weld is able to be explained obviously from the beach mark test that a semi-elliptical surface crack with small a/c ratio initiates at a internal weld root and propagates through the weld metal. To estimate the fatigue life of the partially penetrated butt weld with fracture mechanics, stress intensity factors K of 3-dimensional semi-elliptical crack were calculated by appling finite elements method and fracture mechanics parameters such as C and m were derived through the fatigue test of CT-specimen. As a result, the fatigue lives obtained by using the fracture mechanical method agreed well with the experimental results. The results were applied to Sung-Su bridge collapsed due to penetration defects in butt weld of vertical member.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.23
no.6
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pp.761-768
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1999
This paper is studied to find the optimum condition of double-inlet Sirocco fan installed in an indoor PAC for low noise operation by the Taguchi method. The goal of this study is to obtain the best combination of each control factor which results in a desired flowrate of Sirocco fan with minimum variability. In this study, the parameter design of the Taguchi method is adopted for robust design by the dynamic characteristic analysis using orthogonal arrays and S/N ratios. The flowrate measurements are conducted by using a multiple-nozzle-type fan tester according to the orthogonal array L9($3^4$). The results of this study can be summarized as follows ; (i) The optimum condition of control factor is a set of where A is an inner to outer diameter ratio($D_1/D_2$), B is a width to outer diameter ratio($L/D_2$), C is a blade attachment angle(${\theta}$) and D is a number of blade(Z), (ii) The flowrate under the optimum condition satisfies the equation $y=0.0384{\cdot}M$ where M is a signal factor, namely number of revolution. The flowrate performance improves about 7.3% more largely as compared with the current condition, which results in about 35RPM reduction of number of revolution for the target flowrate $18.5m^3/min$, and (iii) The sensitivity analysis shows that the major factors in contribution to flowrate performance are A, B, and D ; the percentage contributions of each control factor are 44.01%(Z), 26.77%($D_1/D_2$) and 20.42%($L/D_2$).
Composites exhibit larger dispersion in their material properties compared to conventional materials due to larger number of parameters associated with their manufacturing processes. A $C^0$ finite element method has been used for arriving at an eigenvalue problem using higher order shear deformation theory for initial buckling of laminated composite plates. The material properties have been modeled as basic random variables. A mean-centered first order perturbation technique has been used to find the probabilistic characteristics of the buckling loads with different edge conditions. Results have been compared with Monte Carlo simulation, and those available in literature.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics C
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v.36C
no.8
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pp.10-21
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1999
This paper describes a 12bit CMOS current cell matrix D/A converter which shows a conversion rate of 65MHz and a power supply of 3.3V. Designed D/A converter utilizes current cell matrix structure with good monotonicity characteristic and fast settling time, and it is implemented by using the tree structure bias circuit, the symmetrical routing method with ground line and the cascode current switch to reduce the errors of the conventional D/A converter caused by a threshold voltage mismatch of current cells and a voltage drop of the ground line. The designed D/A converter was implemented with a $0.6{\mu}m$ CMOS n-well technology. The measured data shows a settling time of 20ns, a conversion rate of 50 MHz and a power dissipation of 35.6mW with a single power supply of 3.3V. The experimental SNR, DNL, and INL of the D/A converter is measured to be 55dB, ${\pm}0.5LSB$, and ${\pm}2LSB$, respectively.
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