• Korean Journal of Soil Science and Fertilizer
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• v.29 no.4
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• pp.347-352
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• 1996

These experiments were conducted to monitor the change in $NO_3{^-}-N$ in a plastic film house where $NO_3{^-}-N$ have been accumulated in the soil of high level (about 370 mg/kg) The objective of this study was to obtain the information needed to establish the N Fertilizer recommendation based on the available N content in the soil for vegetable cultivation. The cultivated crops were chinese cabbage in the spring, lettuce in the summer, and chinese cabbage in the autumn. The crops were cultivated with and without N application. The concentration of $NO_3{^-}-N$ in the soil was analysed before and after the cultivation of each crop. When $NO_3{^-}-N$ in the soil is as high as 370 mg/kg. even without N application, the yield of the first season crop, cabbage in the spring was 175 ton/ha and that of second season crop, lettuce in the summer was 53 ton/ha. These yields were comparable with those obtained under the application of N fertilizer: meaning that no N application would be needed for those crops when $NO_3{^-}-N$ in the soil is as high as 370 mg/kg. The yield of third crop, cabbage in the autumn was higher under N application than that under no N application by 62%. The fate of $NO_3{^-}-N$ in the soil differed along with the crop sequence. In the first crop, 14.5% was absorbed by crop, 25.4% remained in the soil and 60.1% was unaccounted for. In the second season, 25.3% was absorbed by crop, 51.8% remained in the soil and 22.9% was unaccounted for. In the third crop, 62.8% was absorbed by crop, 19.4% remained in the soil and 16.8% was unaccounted for.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2013.11a
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• pp.190-191
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• 2013

본 논문에서는 기존의 Si MOSFET을 사용한 전력시스템과 비교하여 WBG(Wide Band Gap)특성을 갖는 GaN(Gallium Nitride) FET을 사용한 전력시스템을 비교 분석한다. 대표성을 갖는 평가가 가능하도록 가장 일반적인 FB 구조를 대상으로 Si MOSFET과 GaN FET을 각각 적용하고, 다양한 기준 조건에서 효율과 전력 밀도 등 성능을 비교한다. 전체 과정은 수학적 계산 및 시뮬레이션으로 검증한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.21 no.6 s.102
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• pp.9-19
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• 2006

BcN에서의 멀티캐스트 특히 IPTV 방송서비스의 서비스 및 네트워크의 요구 사항을 살펴보고 기능 구조를 도출하였다. 방송서비스의 수익은 시청률에 민감하다. 특히 접속제어를 바탕으로 하는 BcN에서 IPTV 방송서비스를 제공한다면, 표본추출 방식의 기존 방송과 달리 시청자의 거동을 전수 조사할 수 있어 수익과 시청률의 관계는 더욱 밀착될 것이다. 품질 문제로 시청자를 잃지 않기 위해서는 전달망은 패킷의 손실을 최대한 막아야 하며, 네트워크 장애 발생시 서비스의 장애가 최소한으로 억제되도록 설계되어야 한다. 따라서 망은 OAM 기능 및 경로 보호 기능을 가져야 하며, 악의적인 사용자의 공격에 대한 대비책도 갖추어야 한다. 본 고에서 논의한 기능 구조에서는 서비스 인증 후 개별 채널 변환을 L2 스위치에서 접속제어하여 적법하지 않은 사용자의 접근을 막도록 하였으며, 코어 네트워크에서는 Multicast MPLS를 사용하여 OAM 및 경로보호를 제공할 수 있도록 하였다. 또한 채널 변환에 대한 정보를 파악함으로써, 자원의 사용 및 개별 사용자의 거동을 파악할 수 있도록 하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.96-97
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• 2017

본 논문은 Gallium Nitride-Field Effect Transistor(GaN-FET)를 적용한 고방열 및 고전력밀도 모듈형 벅 컨버터를 제안한다. Si-MOSFET를 적용한 벅 컨버터는 높은 스위칭 손실로 인해 고주파수 구동 및 자기소자 사이즈 저감에 한계가 존재하여 고전력밀도화가 어렵다. 반면, 제안된 방식은 스위칭 특성이 우수한 GaN-FET를 적용하여 고주파수 구동이 가능하며, 추가로 평면형 인덕터를 적용함으로써 자기소자의 부피 저감을 통해 컨버터의 고전력밀도화 및 모듈화가 가능하다. 특히, 방열 플레이트 및 케이스로 구성된 새로운 고방열 구조를 통해 방열효과를 극대화 시킬 수 있다. 제안된 모듈형 벅 컨버터의 타당성 검증을 위해 입력전압 48V, 출력전압 24V의 300W급 시작품 제작을 통한 실험결과를 제시한다.

• Korean Journal of Organic Agriculture
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• v.8 no.2
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• pp.89-96
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• 2000

To reduce loss of nitrogen and generation of ammonia gas during composting, poultry manure and sawdust were mixed at the equivalent ratio and calcium chloride, fused superphosphate and vermiculite were added. Ammonia and sulfurous gas during composting, and NH4-N and NO3-N contents of composts were periodically measured. With the treatments of 0.5∼3% calcium chloride and 3% fused superphosphate, ammonia and sulfurous gas during composting significantly decreased, and especially generation of gases sharply reduced and a increase of calcium chlorde. Extractable NH4-N content in composts treasted with calcium chloride and fused superphosphate were high but extractable NO3-N markedly decreased. In conclusion, the results suggest that it is necessary the additon of 1∼3% calcium chloride or 3% fused superphosphate to reduce loss of nirogen and generation of offensive odor during composting of poultry manure mixed with sawdust.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.11
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• pp.980-986
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• 2001

Bragg reflector type FBAR was fabricated on the Si(100) substrate. We measured a frequency response of the resonator at 5.2 GHz and analyzed it by numerical calculation considering actual acoustic losses of each layer in the structure. We fabricated nine layer Bragg reflector of W-SiO$_2$pairs using r.f. sputtering method and fabricated AlN piezoelectric and Al electrodes using pulsed dc sputtering. The return loss(S$_{11}$) of the fabricated Bragg reflector type FBAR was 12 dB at 5.38 GHz and the series resonance frequency(f$_{s}$) was 5.376 GHz and the parallel resonance frequency(f$_{p}$) was 5.3865 GHz. Effective electro-mechanical coupling constant (K$_{eff{^2}}$) and Quality factors(Q$_{s}$), the Figures of Merit of the resonator, were about 0.48% and 411, respectively. We extracted acoustic parameters of AlN piezoelectric and reflection coefficient of the Bragg reflector by numerical calculation. We could know that material acoustic impedance and wave velocity of AlN piezoelectric decreased for intrinsic value and the electromechanical coupling constant(K$_2$) value was very low owing to the poor quality of the AlN piezoelectric. Reflection coefficient of Bragg reflector was 0.99966 and reflection band was very wide from 2.5 to 9.5 GHz.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2004.05b
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• pp.713-718
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• 2004

우리나라의 경우 재해영향평가 제도가 실시된 이후 모든 재해영향평가에서는 토양침식량을 산정하고 있다. 유역에서 토양침식량을 산정하기 위한 많은 모형들이 있지만, 분포형 모형들은 토양침식의 산정에 많은 비용과 시간을 요구한다. 그래서, 가장 널리 실무에서 쓰이고 있는 모형은 범용토양침식공식(USLE, Universal Soil Equation)이다. USLE은 연 토양 침식량 산정을 위한 경험공식으로, 토양침식은 강우강도, 토양의 종류, 토지 피복과 토지이용, 사면경사와 경사길이, 그리고 토양보전을 위한 시설의 영향을 받는다. 이러한 모든 변수들은 공간적으로 분포되어 있기 때문에, 이러한 변수들을 추정하기 위해 지형정보시스템(GIS)을 사용하면 보다 빠르고 정확한 변수들을 산정 할 수 있다. 또한, 유역에 내리는 강우는 토양침식뿐만 아니라 유기물의 흡착에 따른 비점오염원의 유출을 발생시킨다. 침식토에 흡착된 유기물의 양은 부유의 개념을 도입하여 산정 할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 지형정보시스템(GIS)과 범용토양손실 공식을 연계하여 태풍루사의 강우에 의한 보청천 유역에서의 토양 침식량과 그와 함께 유출되는 유기질소(Organic N)의 양을 산정 하였다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2011.06c
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• pp.236-239
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• 2011

품사 태깅에서 오류는 같은 가중치를 가지는 것으로 간주되어 왔다. 하지만 품사 태깅의 결과를 활용하는 다른 자연어 처리 기술에 태깅 오류가 얼마나 영향을 미칠 수 있는가에 따라 품사 태깅 시 발생하는 오류가 가지는 가중치를 다르게 보아야 한다. 심각한 오류는 이를 활용하는 자연어 처리 기술의 성능 저하를 크게 야기하지만, 사소한 오류는 성능의 저하를 야기하지 않거나 그 영향이 미미하다. 본 논문에서는 품사 태깅 시, 전체적인 성능을 유지하면서 심각한 오류를 줄이는 것을 목표로 한다. 이를 위해 두 가지 점진적 손실 함수(gradient loss function)를 제안한다. 제안한 손실 함수는 심각한 오류에 사소한 오류보다 더 큰 가중치를 줌으로써 품사 태깅 모델이 심각한 오류에 더 집중하여 성능을 최적화하도록 한다. 실험에서 제안한 손실 함수를 활용한 태깅 모델은 기존의 방법에 비해 심각한 오류를 효과적으로 줄일 뿐만 아니라 전체적으로 더 높은 정확도를 보였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.182-183
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• 2017

본 논문은 고효율 및 고전력밀도 3-레벨 LLC 공진형 컨버터를 제안한다. 전원회로의 고전력밀도화를 위해서는 고주파 구동이 필수적이지만 기존 LLC 컨버터는 스위칭 손실로 인하여 한계를 갖는다. 스위칭 손실은 스위치 전압 첨두치 감소를 통해 저감이 가능하다. 전압 첨두치는 4개 스위치의 직렬연결을 통해 저감시킬 수 있으며, 각 스위치의 전압평형을 위한 추가적인 회로가 필수적이다. 따라서 본 논문에서는 스위칭 손실을 저감시킴으로써 1MHz 고주파 구동이 가능하며, 단 하나의 캐패시터를 이용하여 모든 스위치의 전압평형을 이룰 수 있는 3-레벨 LLC 공진형 컨버터를 제안한다. 또한 제안회로의 전압평형 원리를 이용하여 n-레벨 컨버터로 확장 가능하여 스위치 전압 첨두치를 더욱 저감시켜 입력전압이 높은 응용례의 적용에도 적합하다. 제안회로의 타당성 검증을 위해 350W급 시작품을 제작하여 실험 결과를 제시한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.411-412
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• 2013

최근 UV LED는 생화학 및 의료 산업에서 많은 각광을 받고 있다. 특히, 360nm 이하의 파장대를 갖는 UV LED는 치료 기술, 센서, 물이나 공기 등의 정화와 같은 목적으로 특별한 관심이 쏠리고 있다 [1]. 이러한 지속적인 연구를 통하여 현재까지 UV LED는 거대한 성장을 이루어 왔다. 하지만 이러한 노력에도 불구하고, 360 nm 이하의 UV LED는 여전히 오믹 접촉과 전류 분산이 원활하지 못하다는 문제점을 가지고 있다. 이것은 UV LED의 외부 양자 효율을 감소시키고, 더 나아가 극도로 낮은 광 추출 효율을 초래한다. 최근 이러한 문제를 해결하고자, 투명 전도성 산화물(TCO)을 금속 전극과 p-AlGaN 사이에 삽입해주는데, 현재 가장 널리 사용되는 TCO 물질은 ITO 이다 [2]. 하지만 ITO 물질은 상대적으로 작은 밴드갭(3.3~4.3 eV)과 단파장 빛이 가지는 큰 에너지로 인하여 deep-UV 영역에서는 빛이 투과하지 못하고 대부분 흡수된다 [3]. 따라서 본 연구에서는 기존의 박막형 ITO 투명 전극에 비해 투과도 손실을 최소화할 수 있는 mesh, grid 기반의 투명전극을 연구하였다. Fig. 1과 같이 $5{\mu}m$, $10{\mu}m$, $20{\mu}m$ 간격으로 이루어진 mesh, grid 구조의 투명전극을 구현하여 투과도 손실을 최소화하면서 우수한 전기적 특성을 확보하기 위한 구조 최적화 연구를 진행하였다. 본 연구를 위해 mesh, grid 구조의 ITO 전극 패턴을 photolitho 공정으로 형성하였으며, e-beam 증착법으로 60 nm 두께의 ITO 전극을 형성 후 질소 분위기/$650^{\circ}$에서 30초 동안 RTA 공정을 진행하였다. Fig. 1에서 볼 수 있듯이 mesh, grid의 간격이 증가할수록 투명 전극이 차지하는 면적이 감소하여 투과도는 향상되는 반면, 투명 전극과 p-GaN과의 접촉 면적 또한 감소하므로 오믹 특성이 저하된다. 따라서 투과도 손실을 최소화하면서 우수한 전기적 특성을 확보하기 위해 mesh는 $20{\mu}m$, grid는 $10{\mu}m$ 간격의 구조로 각각 최적화하였다. 그 결과 박막 기반의 ITO 투명전극 대비 최대 약 10% 향상된 투과도를 확보하였으며, I-V Curve 결과를 통하여 p-GaN 기판과 mesh 구조의 ITO 전극 사이에 박막 기반의 투명 전극과 비슷한 수준인 $0.35{\mu}A(@5V)$의 전기적 특성을 확보하였다. 결과적으로 mesh, grid 기반 투명전극의 구조 최적화를 통하여 p-GaN과 원활한 오믹 접촉을 형성하는 동시에 기존 박막형 ITO 투명 전극 구조보다 높은 투과도를 확보할 수 있었다.