• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제54권6호
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• pp.293-297
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• 2005

Linearity is an important property of optical devices for analog communications. In this paper, we study the 3rd-order interrnodulation distortion (IMD3) of an Inp/InGaAsP multiple-quantum-well (MQW) traveling-wave type electroabsorption modulator (TW-EAM). We observe abnormal notches in the IMD3 results those were different from notches by general transfer curve of electroabsorption modulators (EAMs). We analyze the phenomena through absorption coefficients according to wavelengths and bias voltages to verify appearance of the abnormal notchs, where it can be known to result from Stark-shift and broadening. We propose the method to enhance linearity of MQW-EAMs by using these effects.

• 한국진공학회지
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• 제9권2호
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• pp.150-154
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• 2000

Impurity-free vacancy diffusion 방법을 이용하여 압축 응력을 가진 InGaAs/InGaAsP 다중 양자 우물 구조에서 열처리 온도에 따른 무질서 정도를 조사하였다. InGaAs/SiO$_2$ cap 구조가 InP/$SiO_2$ cap 구조보다 급속열처리 (rapid thermal annealing : RTA) 과정에서 더 많은 청색 천이를 나타내었다. 열처리 온도 $700^{\circ}C$에서, InGaAs/$SiO_2$ cap 구조의 경우 다중양자우물의 밴드갭 파장은 1.55 $\mu\textrm{m}$대역에서 1.3 $\mu\textrm{m}$ 대역으로 이동하였으며, InGaAs/$SiO_2$ cap 구조와 InP/$SiO_2$ cap 구조의 밴드갭 파장차이는 195 nm (123 meV)로 높은 선택성을 나타내었다. 또한, DCXRD 스펙트럼으로부터 다중양자우물 구조에서 균일한 합금형태로 완전히 무질서화되는 것을 볼 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권4호
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• pp.49-55
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• 2004

본 논문은 고밀도 파장분할다중 (DWDM) 시스템의 응용을 위하여 quaternary/quaternary 다중양자우물 InGaAsP/InGaAsP QCSE 튜닝을 이용한 1550 ㎚ 다중 채널원에 관한 것이다. 본 채널 소스는 140 ㎓ 채널 간격을 갖으며 32 ㎚ 채널 선택 대역을 갖는다.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권7호
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• pp.185-197
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• 1996

We have adopted the strain compensated PBH(planar buried heterostructure) - LD in which the MQW active layer consisted of 1.4% compressively strained GainAsP (E$_{g}$ = 0.905eV) wells and 0.7% tensile strained GaInAsP(E$_{g}$ = 1.107eV) barriers grown by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). We hav einvestigated effects of number of wells and the structure of the separate confinement heterostructure (SCH) layer in the strain-compensated MQW-PBH-LD. The threshold current, the external quantum efficiency, the transparency current density J$_{o}$, and the gain constant .beta. have been evaluated for uncoated MQW-PBH-LD. As the number of wells increases, the internal quantum efficiency and the transparency current density decreases, whereas the gain contant increases. The small width of the SCH layer shows the large internal quantum efficiency. The small internal loss and the large gain constant have been obtained by inserting the large bandgap SCH layer.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제4권1호
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• pp.23-26
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• 2000

We have fabricated by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) In$\_$0.13/Ga$\_$0.87/N/GaN multiple quantum well (MQW) with thickness as thin as 10 A and barriers also of th same width on (0001) sapphire substrate. We have investigated this thin MQW by steady-state and time-resolved photoluminescence(PL) in picosecond time scale in a wide temperature range from 10 to 290 K. In the PL at 10 K, we observed a broad peak at 3.134 eV which was attributed to the quantum well emission of InGaN. The full width at half maximum (FWHM) of this peak was 129 meV at 10 K and its broadening at low temperatures was considered to be due to compositional fluctuations and interfacial disorder in the alloy. The narrow width of the quantum well was mainly responsible for the broadening of the emission linewidth. We also observed an intense and sharp peak at 3.471 eV of GaN barrier. From the temperature dependent PL measurements, the activation energy of the InGaN quantum well emision peak was estimated to be 69 meV. The lifetime of the quantum well emission was found to be 720 ps at 10 K, which was explained in terms of the exciton localization arising from potential fluctuations.

• 한국진공학회지
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• 제18권1호
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• pp.37-43
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• 2009

$In_xGa_{1-x}N$/GaN 다중양자우물 구조의 EL 특성을 온도와 주입전류 변화에 따른 특성을 조사하였다 저전류와 고전류 주입시 EL 효율의 온도 의존 변화는 매우 다르게 나타나는데, 이러한 온도와 전류의 변화에 의한 독특한 EL 효율의 변화는 내부전기장의 존재 하에 순방향 바이어스에 기인한 외부전기장의 영향인 것으로 볼 수 있다. 그리고 $In_xGa_{1-x}N$/GaN 다중양자우물 구조에서 In 성비의 증가는 발광파장위치의 적색이동을 보였다. 15K에서 주입 전류의 증가에 따라 녹색 양자우물 구조는 80 meV와 청색 양자우물 구조는 22 meV의 청색 편이를 하였다. 이는 전류의 증가에 의해 단위 시간당 생성되는 캐리어 수가증가하게 되고 그에 따라 subband가 급격히 채워지는 band filling 현상이 일어나게 되어 짧은 파장에서 재결합이 증가하기 때문이다. 그리고 청색과 녹색 다중 양자우물구조의 짧은 파장 쪽으로의 편이 차이는 In 농도에 기인한 것으로 In 농도가 높으면 양자우물 깊이가 증가되어 더 강한 양자속박효과가 작용하여 캐리어 구속력이 증가하기 때문 것으로 볼 수 있다.

• 한국항행학회논문지
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• 제8권2호
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• pp.91-97
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• 2004

본 논문은 수직 구조와 고성능 특성을 가진 InGaAsP 다중양자우물(MQW; Multiple Quantum Well) 비대칭 페브리페롯 변조기(AFPM; Asymmetric Fabry-Perot Modulators)에 관한 연구결과로써 광대역 동작특성과 저가격이 요구되는 피코셀과 같은 차세대 광대역 무선통신 시스템에 응용 가능성을 제안하고자 한다. 이 AFPM은 <-2V 동작전압과 광섬유와 간단히 결합되어 결합손실이 3dB 내외인 장점과 -3dB 주파수응답 특성이 10GHz인 특성을 보이므로 광대역 및 다중 무선서비스가 요구되는 시스템에 적용 가능할 것으로 기대된다. 이를 위한 간단한 링크실험 결과 92dB/Hz의 SFDR(Spurious Free Dynamic Range)과 약 40dB의 IMD(Inter-Modulation Distortion)의 결과를 보였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권6호
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• pp.20-32
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• 1997

An optimum parasitic inductance is observed for maximizing the modulation bandwidth of the multiple quantum well (MQW) electro-absorption optical modulator. For 1.1 pF device cpaacitance of the current MQW optical modulator, the optimum parasitic inductances for maximum bandwidth are calculated for different terminating resistors. In ase of 50.ohm. terminating resistor, the 3-dB modulation bandwidth can be increased 45% wider by using the optimum parasitic inductance than nothing parasitic inductance. This calculated optimum inductance can be practically implemented, since the parasitic inductance of bondwires can be accurately analyzed using the method of moments (MoM) and controlled by changing the length and shpae of bondwires.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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• pp.1378-1380
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• 2005

The efficiency and the optical properties of the yellow organic light-emitting devices (OLEDs) were significantly affected by the existence of the multiple quantum well (MQW) structures consisting of N, N'- bis-(1-naphthyl)-N, N'-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4'- diamine(NPB)/5,6,11,12 - tetraphenylnaphthacene (rubrene). The maximum efficiency and the luminance of OLEDs with 3-periods of the NPB/rubrene MQWs at 41.6 $mA/cm^2$ were 3.66 cd/A and 1524 $cd/m^2$, respectively, and their Commission Internationale de l'Eclairage chromaticity coordinates were (0.34, 0.55), which indicates a yellow color. These results indicate that the efficiencies of the OLEDs by using MQW emitting layers can be improved.

• 한국진공학회지
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• 제22권6호
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• pp.321-326
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• 2013

디지털 합금(digital alloy) InGaAlAs 다중 양자 우물(multiple quantum wells: MQWs) 구조의 열처리(rapid thermal annealing: RTA) 온도에 따른 발광 특성을 PL (photoluminescence)와 TRPL (time-resolved PL)를 이용하여 분석하였다. $700^{\circ}C$에서 $850^{\circ}C$까지 온도를 변화시켜 RTA한 디지털 합금 MQWs의 PL 결과는 $750^{\circ}C$에서 RTA한 시료가 가장 강한 PL 세기와 가장 좁은 반치폭을 나타내었다. 이것은 $750^{\circ}C$에서 30초 동안 RTA하였을 때 비발광 재결합 센터가 감소하고 가장 매끄러운 경계면이 형성되는 것을 나타낸다. RTA 온도를 $800^{\circ}C$와 $850^{\circ}C$로 증가하였을 때 PL 피크는 청색편이 하였으며 PL 세기는 감소하였다. PL 피크의 청색편이는 RTA 온도가 증가함에 따라 InGaAs/InAlAs SPS (short-period superlattice)의 경계면에서의 Ga과 Al의 혼합(intermixing)으로 Al 함량이 증가한 것으로 설명되며, PL 세기의 감소는 경계면의 거칠기의 증가와 인듐의 상분리(phase separation)로 인한 비균일 조성(compositional fluctuation)으로 설명된다. RTA 온도를 증가하였을 때 PL 소멸시간은 증가하였으며, 이것은 비발광 재결합 센터(결정 결함)가 감소한 것을 나타낸다. 디지털 합금 InGaAlAs MQWs 시료의 PL 특성은 적절한 RTA 조건에서 현저히 향상되는 것을 확인하였다.