We have optimally designed and implemented by a monolithic microwave integrated circuit(MMIC) the low noise amplifier(LNA) of 5.8GHz band composed of receiver front-end(RFE) in a on-board equipment system for dedicated short range communication using a depletion-mode GaAs MESFET. The LNA is provided with two active devices, matching circuits, and two drain bias circuits. Operating at a single supply of 3V and a consumption current of 18㎃, The gain at center frequency 5.8GHz is 13.4dB, Noise figure(NF) is 1.94dB, Input 3rd order intercept point(lIPS) is 3dBm, and Input return loss(5$_{11}$) and Output return loss(S$_{22}$) is -l8dB and -13.3dB, respectively. The circuit size is 1.2$\times$O.7$\textrm{mm}^2$.EX>.>.
본 논문에서는 AlGaAs/lnGaAs/GaAs P-HEMT 소자를 이용한 10 Gb/s 광수신기용 MMIC 초고속 저잡음 전치증폭기를 설계, 제작하고 특성을 분석 하였다. T 형태의 0.15㎛ 게이트 길이를 갖는 P-HEMT 소자를 이용하여 3단 트랜스임피던스 구조로 회로를 설계하였으며 광대역 특성을 얻기 위하여 피킹인덕터를 사용하였고, 저잡음특성을 위하여 게이트폭을 최적화하였다. 제작된 전치증폭기는 트랜스임피던스 이득 60㏈Ω, 대역폭 9.15 ㎓, 잡음지수가 3.9 ㏈ 이하인 특성을 보였다.
Kim, Cheol-Ho;Jeong, Yong-Sik;Kim, Tae-Ho;Choi, Sun-Kyu;Yang, Kyoung-Hoon
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제6권3호
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pp.154-161
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2006
This paper describes the new types of ngative differential resistance (NDR) IC applications which use a monolithic quantum-effect device technology based on the RTD/HBT heterostructure design. As a digital IC, a low-power/high-speed MOBILE (MOnostable-BIstable transition Logic Element)-based D-flip flop IC operating in a non-return-to-zero (NRZ) mode is proposed and developed. The fabricated NRZ MOBILE D-flip flop shows high speed operation up to 34 Gb/s which is the highest speed to our knowledge as a MOBILE NRZ D-flip flop, implemented by the RTD/HBT technology. As an analog IC, a 14.75 GHz RTD/HBT differential-mode voltage-controlled oscillator (VCO) with extremely low power consumption and good phase noise characteristics is designed and fabricated. The VCO shows the low dc power consumption of 0.62 mW and good F.O.M of -185 dBc/Hz. Moreover, a high-speed CML-type multi-functional logic, which operates different logic function such as inverter, NAND, NOR, AND and OR in a circuit, is proposed and designed. The operation of the proposed CML-type multi-functional logic gate is simulated up to 30 Gb/s. These results indicate the potential of the RTD based ICs for high speed digital/analog applications.
4-bit 전하결합 A/D 변환기에 대한 실험 결과를 제시하였다. Successive approximation algorithm 에 필요한 대개의 기능을 CCADC(charge coupled A/D converter)라는 mono-lithiic chip으로 실현하였다. CCADC는 P-channel 전하결합소자 제작기술에 의하여 만들어졌으며, Chip면적은 약 4,200 $mil^2$이었다. 동작 clock 주파수 범위는 500Hz ~ 200KHz로 나타났으며, 이 주파수 범위내에서는 약 2.4 Volt의 전신호 전압 구간을 1LSB/clok주기의 속도로 변하는 ramp 입력신호에 대하여 16가지의 binary code가 빠짐없이 관찰되었다. MSB단부터 LSB단의 순서로 정격 전하용량이 각각 3.6pC, 1.8pC, 0.9pC, 0.45pC인 4개의 연속된 potential well(M-well)간의 면적비를 (8:4:2:1)로 유지하기 위한 설계기술에 대하여 토론하였다. 끝으로, 제작된 A/D변환기에 있어서 과도한 conversion nonlinearity의 원인이 되는 dumpslot 효과에 대하여 설명하였으며, dump slot으로 인한 오동작을 막기 위한 방법으로서 slot zero 삽입방식을 제안하고 이에 대한 실험결과를 제시하였다.
완전 무치악 환자에서 전악 수복시 환자 고유의 악간관계, 교합평면의 위치, 구순지지, 치아형태와 교합양상을 알 수 없기 때문에 그 모든 것을 임시의치에 기록한 후 이것을 최대한 최종 보철물에 반영하여 이상적인 보철물을 제작해 주어야 한다. 본 증례의 환자는 치주질환에 의한 다수 치아 동요가 존재하여 예후가 불량한 잔존치아 전악 발거 후 임플란트 식립하여 임시치아에 환자의 수직 및 수평 악간관계, 교합평면의 위치, 수직 및 수평 피개의 양, 치아 크기, 전치부 길이를 기록하였다. 그 후 임시치아를 스캐너와 CAD/CAM 기술을 이용하는 double scanning technique로 복제하여 임시치아와 동일한 형태의 단일 구조 지르코니아 브릿지 보철물을 제작하였다. 치료 이후 4개월간의 임상 관찰에서 환자는 심미적, 기능적으로 만족하고 안정적으로 유지되었기에 이를 보고하고자 한다.
Nawafleh, Noor A;Hatamleh, Muhanad M;Ochsner, Andreas;Mack, Florian
The Journal of Advanced Prosthodontics
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제9권6호
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pp.416-422
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2017
PURPOSE. To investigate the effect of reducing tooth preparation and ceramic thickness on fracture resistance of lithium disilicate crowns. MATERIALS AND METHODS. Specimen preparation included a standard complete crown preparation of a typodont mandibular left first molar with an occlusal reduction of 2 mm, proximal/axial wall reduction of 1.5 mm, and 1.0 mm deep chamfer (Group A). Another typodont mandibular first molar was prepared with less tooth reduction: 1 mm occlusal and proximal/axial wall reduction and 0.8 mm chamfer (Group B). Twenty crowns were milled from each preparation corresponding to control group (n=5) and conditioned group of simultaneous thermal and mechanical loading in aqueous environment (n=15). All crowns were then loaded until fracture to determine the fracture load. RESULTS. The mean (SD) fracture load values (in Newton) for Group A were 2340 (83) and 2149 (649), and for Group B, 1752 (134) and 1054 (249) without and with fatigue, respectively. Reducing tooth preparation thickness significantly decreased fracture load of the crowns at baseline and after fatigue application. After fatigue, the mean fracture load statistically significantly decreased (P<.001) in Group B; however, it was not affected (P>.05) in Group A. CONCLUSION. Reducing the amount of tooth preparation by 0.5 mm on the occlusal and proximal/axial wall with a 0.8 mm chamfer significantly reduced fracture load of the restoration. Tooth reduction required for lithium disilicate crowns is a crucial factor for a long-term successful application of this all-ceramic system.
구강의 교합 재건의 관점에서 광범위한 치아 마모의 치료는 보철학적인 접근이 필요하다. 생리적인 치아의 마모는 정상적인 과정으로 간주되어 일반적으로 치료가 필요하지 않으나 과도한 치아의 마모는 부적절하고 불안정한 교합상태, 심미성의 감소, 저작 기능의 저하 등의 문제를 발생시켜 보철적인 수복을 필요로 한다. 마모된 치아의 전악 구강 회복 시 수직 교합 고경의 변화는 정확한 진단 및 분석을 통하여 이루어져야 하고 변화된 수직 교합 고경에 대한 환자의 적응 여부를 일정기간 평가하여야 한다. 본 증례는 60세 남성 환자로 전체적인 치아의 심한 마모로 인해 저작 기능과 심미성의 감소를 주소로 내원하였으며 수직 교합 고경의 증가를 동반한 치아 지지 고정성 보철물로 전악 구강 수복을 시행하였다. 증가된 수직 교합 고경의 적응 여부를 평가하고 안정된 하악위를 유도하기 위해 교합안정장치를 사용하였고, 임시 보철물을 사용하여 증가된 수직 교합 고경과 교합상태에 대한 적응을 평가하였다. 이후 단일구조 지르코니아 보철물을 제작하여 최종 접착하였고, 만족스러운 기능의 회복과 심미성을 보였기에 보고하는 바이다.
컴퓨터 지원 설계 제조 기술(CAD/CAM)의 발전에 따라, 완전한 디지털 워크플로우를 구현하기 위한 첫번째 단계인 구내스캐너의 중요성이 높아지기 시작했다. CAD/CAM 이중스캔 기술은 임시 수복물의 외형을 복제하여 최종 수복물에 반영하도록 하는 방법이다. 이 증례에서는 비심미적인 전치부, 중증도의 마모, 수직 고경의 감소를 보이는 67세 남성을 치관 연장술과 수직고경 회복을 동반한 완전구강회복을 통해 치료했다. 임시 수복물은 구내스캐너와 CAD/CAM 이중스캔을 이용해 제작되었다. 적응 기간 후, 최종 단일 구조 지르코니아 수복물을 CAD/CAM 이중스캔을 이용해 임시 수복물을 반영해 제작되었다.
위성통신 시스템의 초고주파 스위치 메트릭스(MSM)를 위한 MMIC 스위치 칩을 InGaAs/GaAs p-HEMT 공정을 이용하여 설계 및 제작하였다. MMIC 스위치는 on과 off상태에서 우수한 입출력 반사계수를 위해 흡수형으로 설계되었다. 또한, 스위치 칩의 크기를 줄이기 위해 MIM 커패시터와 spiral 인덕터의 집중소자를 이용하여 3 GHz 대역에서의 ${\lambda}/4$ 임피던스 변환기를 구현하였다. 설계된 MMIC 스위치는 $3.2\~3.6\;GHz$ 대역에서 사용할 수 있으며 $1.6\;mm{\times}1.3\;mm$의 칩 크기를 갖는다. On-wafer 측정 결과, 2 dB 이하의 삽입 손실과 56.8 dB 이상의 격리도 특성을 나타내었다. 이와 같은 측정 결과는 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것이다.
본 논문에서는 유한한 도체 두께를 갖는 결합선로를 이용하여 1/4파장 역방향 방향성 결합기를 설계하였다. 방향성 결합기를 구성하는 유한 도체 두께를 갖는 결합선로를 해석하기 위한 방법으로 간단하고 빠른 수치해석 방법인 모드정합법을 사용하였다. 본 논문의 해석 결과는 도체 두께를 고려한 역방향 방향성 결합기의 설계가, 도체 두께를 고려하지 않고 설계한 경우 기존에 알려졌던 단점들인 약한 결합특성, 낮은 지향성, 그리고 비현실적인 결합선로의 폭을 극복할 수 있음을 보여준다. 또한, 수치해석 결과로부터 l/4파장 역방향 방향성 결합기에서는 도체 두께의 고려로 강한 결합특성을 만드는 것이 가능하지만, 결합길이가 약간 길어진다는 사실을 확인하였다. 본 논문에서 해석한 유한한 도체 두께는 역방향 방향성 결합기의 새로운 설계 변수로서 사용이 가능하며, 아울러 다양한 마이크로파 집적회로의 설계에도 응용이 가능함을 보여준다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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