Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.8
no.2
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pp.227-232
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1998
Diamond crystallization and discontinuous deposit phenomena depend on the process of hydrocarbon deposition, nucleation and growth. Then, it is investigated the concentration of methane, flow rate, structure and the growth process of $CH_4-H_2$ system in hot filament assisted C.V.D. There is a limited value of temperature, pressure, flow rate and the mole fraction of methane-hydrogen gas. Diamond nucleation occurs on substrate selectively and surface diffusion of species on the substrate plays an important role in the early stages of nucleation and growth.
The kinetics of the dehydration of Ha-dong kaolin was studied isothermally at various temperatures. Dehydration rate was measured by thermogravimetry method in the temperature range of 440~50$0^{\circ}C$ and the particle size range of 170~325mesh. The general equation f($\alpha$)=kt, where $\alpha$ is the fraction reacted in the time and the function f($\alpha$) depends on the reaction mechanism, was applied to this reaction. The function, f($\alpha$) was obtained by application of reduced-time plot and plot of lnln (1-$\alpha$) vs. ln (time), and expressed as (1-$\alpha$) ln (1-$\alpha$)+$\alpha$=kt. The dehydration followed the diffusion-controlled reaction model and gave activation energy of 30Kcal/mole.
Perovskite Pb0.7Ba0.3Zn1/3Nb2/3O3 substituted with 0.3 mole fraction for Pb-site in PbZn1/3Nb2/3O3 relaxor and pyrochlore Pb1.83Ba0.29Zn1.71Nb2/3O6.39 were mixed and dielectric characteristics of this composites were investigated. Percolation limit of perovskite phase, which was determined by microstructural observation in the composite as an isolation of perovskite phase from pyrochlore matrix, was 28.9-47.5 vol%. Ferroelectric phase transition below percolation limit depends on a parameter which affects the propagation of lattice vibration between isolated perovskite phase and pyrochlore matrix. Therefore, it is believed that ferroelectric lattice vibration of isolated perovskite phase could be transfered to pyrochlore matrix when the oxygen octahedra are linked in 3-dimension and highly polarizable Pb2+ ions are contained in both phases.
The electrical conductivity of $(M_2O_3)_x (BaTiO_3)_{1-x}$ has been measured over the temperature range of 30 to 27$0^{\circ}C$. The substitution of rare earth oxide such as $La_2O_3$, $Nd_2O_3$, or $Dy_2O_3$ can be represented by $M_2O_3$. The additional mole fraction of the rare earth oxide is ranged over 0.0015 to 0.0030. The electrical conductivity exhibits an anomalous decrease near the tetragonal to cubic transition about 12$0^{\circ}C$. The decrease in the electrical conductivity is observed at the higher impurity concentrations owing to space charge layer. The increase in the electrical conductivity is observed as the impurity ion is varied from $La^{+3}$$Nd^{+3}$ to $Dy^{+3}$, due to overlap of 4f electrons of the inner shell.
An experimental study was performed to establish the validity of an on-line state estimator for a semibatch MMA-MA copolymerization reactor by using on-line densitometer and viscometer under two different operating conditions; one without additional solvent feed and the other with solvent fed additionally. A conventional extended Kalman filter (EKF) was used as the state estimator and the experiment was conducted for the purpose of application to the control of copolymer properties. Further analysis was made by using off-line measurement data for the mole fraction of MMA in the remaining monomers and the solid content. It was found that the EKF could provide a good estimate for the states of the copolymerzation system ...
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.29A
no.8
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pp.71-77
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1992
According to increasing the doping concentration in p-n junction, a tunneling current through trap as well as SRH(Shockley-Read-Hall) generation-recombination current in depletion region occurs. It is the tunneling current that is a dominant current at the forward bias. In this paper, the new tunneling-recombination equation is derived. The thermal generation-recombination current and tunneling current though trap can be easily calculated at the same time because this equation has the same form as the SRH generation-recombination equation. For the validity of this equation, 2 kind of samples are simulated. The one is $n^{+}$-p junction device fabricated with MCT(Mercury Cadmium Telluride, mole fraction=0.29), the other Si n$^{+}-p^{+}$ junction. From the results for MCT $n^{+}$-p junction device and comparing the simulated and expermental I-V characteristics for Si n$^{+}-p^{+}$ junction, it is shown that this equation is a good description for tunneling through trap and thermal generation-recombination current calculation.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.20
no.10
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pp.3355-3360
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1996
To provide standard data of temperature and species concentration in a flame for calibrating the laser based combustion diagnostics, we investigated combustion characteristics of a flat flame burner(Mckennar Product). For various stoichiometric ratios we measured temperature and concentration of OH in the premixed methane/air flame with Coherent anti-Stokes Raman spectroscopy and laser induced fluorescence technique, respectively. Assuming the chemical equilibrium condition at the measured temperature, the mole fraction of the OH radical in the flame was obtained and compared with numerical analysis.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.32A
no.4
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pp.47-56
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1995
In this paper the model of the MQE-IMD-based neural trigger circuit is improved, where MQW-IMD is a new semiconductor device proposed and experimentally demonstrated by the author for the hardware implementation of the neural networks. The electron energy of AlXGa1-XAsbarrier is calculated by Ensemble Monte Carlo simulation according to the variation of Al mole fraction x and the applied electric field, whtich had been roughly estimated in the previous paper because of the difficulty to get the data. And in the consideration of the tunneling of the confined electrons within the quantum well the accuracy of the impact ionization rate is enhaned. Finally, the dependance of the frequency of pulse-train on the number of quantum wells can be calculated by modelling the effect of the distance of the induced positive charge from the cathode on the electric field at the cathode.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2007.07a
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pp.237-238
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2007
A new strain analysis model, so called the stress matched model, in an epitaxial multilayer system is proposed. The model makes it possible to know the strain, the stress, the elastic strain energy in each epitaxial layer. Analytical formulas of strain parameters in each epitaxial layer are derived under assumptions that the substrate thickness is finite and the in-plane lattice constant is the same for all epitaxial layers for dislocation free growth. As an example, the model is applied to a 405nm InGaN/InGaN multiple quantum well laser diode. Analysis result shows that AlxGa1-xN layer with Al mole fraction of 0.06 and the thickness of 6${\mu}m$ is one of good templates for a laser. In fact, this layer structure coincides with experimentally optimized one.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.34D
no.7
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pp.45-55
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1997
Electircal characteristics of HgCdTe photodiodes with a heterostructure to achieve high performance are analyzed numerically. A two-dimensional device simulator which can handle a HgCdTe heterostructure, was developed for this work. The effects of band nonparabolicity, carrier degeneracy, and band-offset of heterointerace are included in a carrier transport model. A unified generation-recombination model includes simultaneously phonon-assisted tunneling and pure tunneling of carriers via traps is newly employed for describing the electric field and temperature dependency of dark current effectively. Furthermore, to accurately predict the effect mole fraction variations on genration rates, ray-trace algorithm is incorporated in the our simulator. Under the various circumstances such as dark, illumination, and surface states, electrical properties of planar heterostructure photodiode are presented and those of homojunction are compared. These results serve as a explanation of cap layer's role on performance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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