Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 $AgInS_2$ 단결성 박막의 성장과 가전자대 갈라짐에대한 광전류 연구
(Photocurrent Study on the Splitting of the Valence Band and Growth of $AgInS_2$ GaAs Single Crystal Thin Film by Hot Wall Epitaxy)
-
- 한국결정학회지
- /
- 제12권4호
- /
- pp.197-206
- /
- 2001