• 한국진공학회지
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• 제9권3호
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• pp.242-248
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• 2000

고주파 스퍼터링 방법으로 증착조건을 변화시키면서 BST 박막을 제작하였다. 증착온도가 높을수록, Ar/O$_2$비가 적을수록 우수한 전기적 특성을 보였다. 누설전류 전도기구를 분석하기 위해 Schottky모델과 modified-Schottky모델을 도입하였다. BST 박막의 누설전류 전도기구는 기존의 Schottky모델이 아니라 modified-Schottky 모델을 따른다는 것을 알았다. Modified-Schottky 모델을 사용하여 광학유전상수 $\varepsilon$=4.9, 이동도 $\mu$=0.019 $\textrm{cm}^2$/V-s, 그리고 장벽높이 $\phi_b$ =0.79 eV를 구하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2006년도 춘계학술대회
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• pp.214-217
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• 2006

p-type 비정질 실리콘 에미터와 n-type 실리콘 기판의 계면에 intrinsic 비정질 실리콘을 증착함으로써 계면의 재결합을 억제하여 20%가 넘는 효율을 보이는 이종접합 태양전지가 Sanyo에 의해 처음 제시된 후 intrinsic layer에 대한 연구가 많이 진행되어 왔다. 하지만 p-type wafer의 경우는 n-type에 비해 intrinsic buffer의 효과가 미미하거나 오히려 특성을 저하시킨다는 보고가 있으며 그 이유로는 minority carrier에 대한 barrier가 상대적으로 낮다는 것과 partial epitaxy가 발생하기 때문으로 알려져 있다. 본 연구에서는 partial epitaxy를 억제하기 위한 방법으로 증착 온도를 낮추고 QSSPC를 사용하여 minority carrier lifetime을 측정함으로써 각 온도에 따른 passivation 특성을 평가하였다. 또한 SiH4에 H2를 섞어서 증착하였을 경우 각 dilution ratio(H2 flow/SiH4 flow)에서의 passivation 특성 또한 평가하였다. 기판 온도 $100^{\circ}C$에서 증착된 샘플의 lifetime이 가장 길었으며 그 이하와 이상에서는 lifetime이 감소하는 경향을 보였다 낮은 온도에서는 박막 자체의 결함이 증가하였기 때문이며 높은 온도에서는 partial epitaxy의 영향으로 추정된다. H2 dilution을 하여 증착한 샘플의 경우 SiH4만 가지고 증착한 샘플보다 훨씬 높은 lifetime을 가졌다 이 또한 박막 FT-IR결과로부터 H2 dilution을 한 경우 compact한 박막이 형성되는 것을 확인할 수 있었는데 radical mobility 증가에 의한 박막 특성 향상이 원인으로 생각된다.

• 턱관절균형의학회지
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• 제8권1호
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• pp.6-10
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• 2018

In order to propose a fundamental and appliable theories for balancing therapy of temporomandibular joint (TMBT), evolutionary proofs and up-down theories in evolutionary biology and Korean medicine were investigated. Balancing therapy of temporomandibular joint treats disorder and diseases of the whole body through straightening of the abnormal linking between temporomandibular joint and axis. Although the mechanism of this therapy contains many merits like multicellular integrity and coadjustment, ease of balance and alert forward mobility by the bipedal stepping and evolution to Homo sapiens, increasing disadvantages of balancing pressure of right and left in the lengthened perpendicular axis and the balancing load of temporomandibular joint and axis following the reactional change of dental occlusion are deeply related and considered in this therapy. As for up-down theory, crossing of heavenly qi and earth qi centering on cervical joint is presented as the first mechanism for TMBT, and the other ones like in-out and up-down qi activity of tripple energizer, up-down of essence-qi-spirit in the three backbone barrier and three cinnabar field, up-down of yin-yang-water-fire of viscera and bowels can be related too.

• International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
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• 제15권1호
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• pp.97-112
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• 2023

The purpose of this study is to design and test a new way of public transportation route guidance system for persons with disabilities, including wheelchair users. The guidance system is smartphone app-based, using, routes that involve disabled-friendly facilities in the vicinity can be searched. A database that contains publicly available data on low-floor bus services, location and extent of disabled-friendly facilities, and suitable subways and stations, was developed for this purpose. The app uses the database to access and query the required information. A pilot study was conducted to test the effectiveness of the guidance system. It was found that the system was able to convey information about the disabled-friendly routes and related guidance information even inside subway stations, effectively. The performance of the system was compared with route guidance services that do not explicitly use data on disabled-friendly services. A notable difference was observed in the travel time estimated by this program and other guidance services. The difference was around 4 to 15 minutes. This is significant savings for persons with disabilities if they use the app and service. The study thus shows that exclusive use of disabled-friendly data in route guidance will bring more benefits for persons with disabilities.

• 한국재료학회지
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• 제9권11호
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• pp.1129-1136
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• 1999

TEMAT precursor를 사용하여 다양한 증착 조건으로 ICP-CVD 방법으로 Si(100) 기판 위에 TiN 박막을 형성하였다. 형성된 TiN 박막의 결정상, 미세구조, 그리고 전기적 특성은 XRD, XPS, HRTEM, 그리고 전기적 측정으로 특성을 조사하였다. BI 구조를 갖는 다결정 TiN 박막은 기판의 온도가 $200^{\circ}C$ 이상의 온도에서 형성되었다. TiN(111) 박막은 기판의 온도가 $300^{\circ}C$에서 TEMAT, $\textrm{N}_{2}$, 그리고 Ar 가스의 유량이 10, 5, 그리고 5sccm으로 반응로에 주입할 때 형성되었다. TiN/Si(100) 계면은 TiN과 $\textrm{SiO}_2$사이에 계면반응이 없었으며 평탄하였다. 기판의 온도가 $500^{\circ}C$에서 형성된 TiN 박막의 비저항, carrier 농도와 이동도는 21 $\mu\Omega$cm, 9.5$\times\textrm{10}^{18}\textrm{cm}^{-3}$와 $462.6\textrm{cm}^{2}$/Vs으로 주어졌다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권2호
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• pp.85-90
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• 2012

In this paper, we compared and analyzed 3D silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) multi layer flash memory devices fabricated on nitride or oxide layer, respectively. The device fabricated on nitride layer has inferior electrical properties than that fabricated on oxide layer. However, the device on nitride layer has faster program / erase speed (P/E speed) than that on the oxide layer, although having inferior electrical performance. Afterwards, to find out the reason why the device on nitride has faster P/E speed, 1/f noise analysis of both devices is investigated. From gate bias dependance, both devices follow the mobility fluctuation model which results from the lattice scattering and defects in the channel layer. In addition, the device on nitride with better memory characteristics has higher normalized drain current noise power spectral density ($S_{ID}/I^2_D$>), which means that it has more traps and defects in the channel layer. The apparent hooge's noise parameter (${\alpha}_{app}$) to represent the grain boundary trap density and the height of grain boundary potential barrier is considered. The device on nitride has higher ${\alpha}_{app}$ values, which can be explained due to more grain boundary traps. Therefore, the reason why the devices on nitride and oxide have a different P/E speed can be explained due to the trapping/de-trapping of free carriers into more grain boundary trap sites in channel layer.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.420-420
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• 2013

We investigated oxygen plasma effect on defect states near the interface of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) structure grown on a silicon substrate. After the plasma treatment, electrical properties were evaluated using a frequency dependant Capacitance-Voltage (C-V) and a temperature dependant C-V measurements, and a deep level transient spectroscopy (DLTS) method to study the change of defect densities. In the depth profile resulted from the temperature dependant C-V, a sudden decrease in the carrier concentration for two-dimensional electron gas (2DEG) nearby 250 K was observed. In C-V measurement, the interface states were improved in case of the oxygen-plasma treated samples, whereas the interface was degraded in case of the nitrogen-plasma treated sample. In the DLTS measurement, it was observed the two kinds of defects well known in AlGaN/GaN structure grown on sapphire substrate, which have the activation energies of 0.15 eV, 0.25 eV below the conduction band. We speculate that this defect state in AlGaN/GaN on the silicon substrate is caused from the decrease in 2DEG's carrier concentrations. We compared the various DLTS signals with filling pulse times to identify the characteristics of the newly found defect. In the filling pulse time range under the 80 us, the activation energies changed as the potential barrier model. On the other hand, in the filling pulse time range above the 80 us, the activation energies changed as the extended potential model. Therefore, we suggest that the found defect in the AlGaN/GaN/Si structure could be the extended defect related with AlGa/N/GaN interface states.

• 대한지리학회지
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• 제28권1호
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• pp.40-57
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• 1993

본 연구에서는 光州를 중심으로 발생하는 人口流動의 특성에 관하여 분석하였다. 이를 위하여 生殘準法에 의한 이동 및 주거지 이동의 永久的 移動과 고속버스여객의 이동 및 환자의 受診移動의 一時的 移動으로 구분하였다. 分析結果, 1986-1990년 광주시 전출입의 양상은 전남이 규모상 탁월하지만 移動空間이 전국적으로 확산되고 있음이 밝혀졌다. 그리고 1980-1985년 센서스의 생잔율법에 의한 純移動의 분석과 광주시 5개 洞의 표본조사 결과에서는 移動因子로서 敎育因子와 移住者의 距離認知가 중요한 因子로 작용한다는 사실이 판명되었다. 한편, 1日移動의 분석결과, 週末과 休日에는 방문이동이 많고 連休에는 일시적 귀환이동이 탁월하게 나타났다. 환자의 수진이동은 생활환경의 변화에 따라 큰 폭으로 증가하고 있으며, 이런 현상은 광양, 여천의 공업지역에서 현저하게 나타나고 있다.

• 한국진공학회지
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• 제22권6호
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• pp.335-340
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• 2013

본 논문은 InP 식각정지층을 갖는 MHEMT 소자의 항복전압을 증가시키기 위한 시뮬레이션 설계 논문이다. MHEMT 소자의 게이트 리세스 구조 및 채널 구조를 변경하여 시뮬레이션을 수행하였고 비교 분석하였다. MHEMT 소자의 드레인 측만을 완전히 제거한 비대칭 게이트 리세스 구조인 경우 $I_{dss}$ 전류가 90 mA에서 60 mA로 줄어들지만 항복 전압은 2 V에서 4 V로 증가함을 확인하였다. 이는 $Si_3N_4$ 보호층과 InAlAs 장벽층 사이의 계면에서 형성되는 전자-포획 음의 고정전하로 인해 채널층에서의 전자 공핍이 심화되어 나타나는 현상으로 이는 채널층의 전류를 감소시켜 충돌이온화를 적게 형성시켜 항복전압을 증가시킨다. 또한, 동일한 구조의 비대칭 게이트 리세스 구조에서 채널층을 InGaAs/InP 복합 채널로 바꾸어 설계한 구조에서는 항복전압이 5 V로 증가하였다. 이는 높은 드레인 전압에서 InP 층의 적은 충돌이온화와 이동도로 인해 전류가 더 감소했기 때문이다.

• 한국비블리아학회지
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• 제21권1호
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• pp.131-148
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• 2010

본 연구는 공공도서관 장애인서비스를 지원하는 자원봉사자들이 활용할 수 있는 체계화된 매뉴얼을 개발하여 자원봉사 활동의 전문화 및 활성화에 기여하기 시도되었다. 장애인서비스 현황조사와 담당자와 이용자와의 면담, 전문가 간담회 등을 통하여 가장 수요가 많은 도서관 장애인서비스 유형을 파악하고, 국내외 도서관 장애인서비스 자원봉사 매뉴얼의 구성요소를 추출하여 실질적인 장애인 서비스 자원봉사 활용 매뉴얼을 개발하였다. 대면낭독, 입력봉사, 도서관 비방문자 서비스, 이동보조, 보조공학기 서비스의 5개 분야를 선정하여 이들을 효과적으로 수행할 수 있도록 각각의 구체적인 활동 매뉴얼 내용을 제시하였다. 5개자원봉사의 활동분야, 장애 유형, 활동 목적, 세부 활동 내용 및 체크리스트로 구성된 활동내용의 구성도와 구성요소의 정의를 소개하였고, 구성요소의 기술사례를 대면낭독에 적용하여 활동 매뉴얼의 내용을 간략히 제시하였다.