• 한국진공학회지
• /
• 제4권2호
• /
• pp.150-155
• /
• 1995

Mo 단결정 표면에 황을 흡착시켜 형성된 상층구조를 AES와 LEED로써 연구하였다. 황의 피복률은 sulfur gun으로부터 생성되는 S2 flux로써 조절하였으며, 여러 가지 흡착된 황의 상층구조를 LEED로써 관찰하였다. 황화된 Mo 표면에서 탈산소반응(HDO)의 모델 분자로서, Furan의 흡착과 반응을 승온반응분광법(TPRS)으로 조사하였다. 낮은 온도에서 Furan 분자의 헤테로 원자는 직접 이탈하여 안정한 기체상의 반응 생성물인 일산화탄소를 형성하였으며, 이 반응은 Mo의 (100) 및 (110)면에서 각각 깨끗한 표면 및 황화된 표면에 관계없이 일어났다. 이를 바탕으로 Mo 표면에서 Furan의 분해반응에 대한 메카니즘을 제안하였다.

• 대한화학회지
• /
• 제37권7호
• /
• pp.655-661
• /
• 1993

$[{Mo(NO)_2Cl_2}_n]$ 및 $[{W(NO)_2Cl_2}_n]$의 다핵착물과 킬레이트 리간드인 1,10-phenanthroline을 반응시켜 중성화합물인 $[Mo(NO)_2Cl_2(phen)]$ 과 $[W(NO)_2Cl_2(phen)]$을 각각 합성하였다. 아세톤 용매에서 이 cis-디니트로실 화합물과 과염소산 은(I)을 1:1로 반응시켜 $[Mo(NO)_2(phen)(S)Cl][ClO_4]$ 및 $[W(NO)_2(phen)(S)Cl] [ClO_4]$ (S = acetone)의 양이온 화합물을 얻었다. 이 1가 양이온 화합물과 피라진을 2:1의 양론으로 각각 반응시켜 $[Cl(phen)(NO)_2M(pyz)M'(NO)_2(phen)Cl][C1O_4]_2$(M = Mo, M' = W) 및 $[Cl(phen)(NO)_2M(pyz)M'(NO)2(phen)Cl][C1O4]2$(M = Mo, M' = W)형의 호모 및 헤테로 이핵착물을 합성하였다. 합성한 착물의 특성은 원소분석과, $^1H-,\;^{13}C-$핵자기 공명 및 자외선, 전자흡수스펙트럼을 이용해서 조사하였으며 이들 분광학적 결과로부터 디니트로실 이핵착물의 기하학적 구조가 피라진 다리 리간드를 중심으로 한 $C_{2v}$ 대칭구조임을 확인할 수 있었다.

• Nano
• /
• 제13권11호
• /
• pp.1850129.1-1850129.10
• /
• 2018

To improve the high charge carrier recombination rate and low visible light absorption of {001} facets exposed $TiO_2$ [$TiO_2(001)$] nanosheets, few-layered $MoS_2$ nanoparticles were loaded on the surfaces of $TiO_2(001)$ nanosheets by a simple photodeposition method. The photocatalytic activities towards Rhodamine B (RhB) were investigated. The results showed that the $MoS_2-TiO_2(001)$ nanocomposites exhibited much enhanced photocatalytic activities compared with the pure $TiO_2(001)$ nanosheets. At an optimal Mo/Ti molar ratio of 25%, the $MoS_2-TiO_2(001)$ nanocomposites displayed the highest photocatalytic activity, which took only 30 min to degrade 50 mL of RhB (50 mg/L). The active species in the degradation reaction were determined to be $h^+$ and $^{\bullet}OH$ according to the free radical trapping experiments. The reduced charge carrier recombination rate, enhanced visible light utilization and increased surface areas contributed to the enhanced photocatalytic performances of the 25% $MoS_2-TiO_2(001)$ nanocomposites.

• 한국재료학회지
• /
• 제27권12호
• /
• pp.705-709
• /
• 2017

The electronic and optical characteristics of molybdenum disulphide ($MoS_2$) film significantly vary with its thickness, and thus a rapid and accurate estimation of the number of $MoS_2$ layers is critical in practical applications as well as in basic researches. Various existing methods are currently available for the thickness measurement, but each has drawbacks. Transmission electron microscopy allows actual counting of the $MoS_2$ layers, but is very complicated and requires destructive processing of the sample to the point where it will no longer be useable after characterization. Atomic force microscopy, particularly when operated in the tapping mode, is likewise time-consuming and suffers from certain anomalies caused by an improperly chosen set point, that is, free amplitude in air for the cantilever. Raman spectroscopy is a quick characterization method for identifying one to a few layers, but the laser irradiation causes structural degradation of the $MoS_2$. Optical microscopy works only when $MoS_2$ is on a silicon substrate covered with $SiO_2$ of 100~300 nm thickness. The last two optical methods are commonly limited in resolution to the micrometer range due to the diffraction limits of light. We report here a method of measuring the distribution of the number of $MoS_2$ layers using a low voltage field emission electron microscope with acceleration voltages no greater than 1 kV. We found a linear relationship between the FESEM contrast and the number of $MoS_2$ layers. This method can be used to characterize $MoS_2$ samples at nanometer-level spatial resolution, which is below the limits of other methods.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제27권1호
• /
• pp.35-36
• /
• 2006

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
• /
• pp.53.2-53.2
• /
• 2009

몰리브덴(Mo)은 우수한 전기전도도와 고온 안정성으로 인해 전자부품의 전극으로 널리 사용되고, 미래 에너지인 태양전지 분야에서 CIS계 화합물박막태양전지의 후면전극으로 이용되고 있는 재료로서 현재 증착 방법으로는 D.C. sputtering이 가장 널리 이용되고 있다. 또한 $MoO_3$ 분말이 Mo 분말로 수소 환원되는 과정은 $MoO_3+H_2{\rightarrow}MoO_2+H_2O$ 와 $MoO_2+2H_2{\rightarrow}Mo+2H_2O$의 2단계를 통해서 수행되며 이중 첫 번째 단계에서 $MoO_3(OH)_2$라는 기상을 통해 지배적으로 일어난다고 알려져 있고 이를 화학증기수송(Chemical vapor transport : CVT)이라고 한다. 본 연구에서는 $MoO_3$분말의 수소 환원 과정 중에 발생하는 기상인 $MoO_3(OH)_2$을 이용하여 몰리브덴 옥사이드 박막을 증착하고 이를 다시 수소분위기에서 수소 환원하는 증착 방법을 통해 균일하고 부착성이 우수한 Mo 박막을 제조하고자 하였다. 기판으로 사용된 Glass를 $MoO_3$ 분말 위에 홀더를 이용하여 $MoO_2$ 박막을 증착하고 이를 다시 수소분위기에서의 수소 환원을 통해 Mo 박막을 성공적으로 제조하였다. 제조된 Mo박막의 결정구조 및 미세조직을 XRD 와 SEM을 통해 분석하였다.

• 대한화학회지
• /
• 제34권2호
• /
• pp.171-178
• /
• 1990

1,2-디클로로에탄에서 $[MoO_2(S_2CNC_4H_8)_2]$와 트리페닐포스핀 사이의 산소이동 반응에 대한 속도를 분광학적 방법으로 측정하였다. 514nm 부근에서 흡광도가 시간에 따라 증가하였다가 감소하는데, 이것은 반응의 중간단계에서 몰흡광계수가 큰$ [Mo_2O_3(S2_CNC_4H_8)_4]$이 생성되었다가 트리페닐포스핀과 더 이상 반응하면 몰리브덴(IV)가 생성되기 때문이다. 제 1단계에서는 $\mu$-옥소이합체의 생성이, 그리고 제 2단계반응에서는 옥소몰리브덴(IV)가 생성되는 반응과 관련된 메카니즘이 제시된다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제23권9호
• /
• pp.1257-1262
• /
• 2002

$[(C_2B_9H_{11})Mo(CO)_3]_2PPN_2$ $(2{\cdot}PPN_2)$, a new precursor for the oxidative decarbonylation reaction, was synthesized in high yield by the one-electron oxidation reaction of $[(C_2B_9H_{11})Mo(CO)_3]PPN_2$. $2{\cdot}PPN_2$ was structurally characterized, showing a dimeric nature with long (3.321 ${\AA}$) Mo-Mo bonding. Reaction of $2{\cdot}PPN_2$ with sulfur gave the completely decarbonylated product $[(C_2B_9H_{11})Mo({\mu}-S)(S)]_2PPN_2$ ($3{\cdot}PPN_2$). The ligand substitution of the terminal sulfur ligands in $3{\cdot}PPN_2$ to oxygen ligands was carried out with the use of PhIO to give $[(C_2B_9H_{11})Mo({\mu}-S)(O)]_2PPN_2$ ($4{\cdot}PPN_2$). The structures of $3{\cdot}PPN_2$ and $4{\cdot}PPN_2$ were also studied.

• Tribology and Lubricants
• /
• 제35권4호
• /
• pp.199-205
• /
• 2019

Two-dimensional materials such as graphene, h-BN, and $MoS_2$ have attracted increased interest as solid lubricant and protective coating layer for nanoscale devices owing to their superior mechanical properties and low friction characteristics. In this work, the frictional properties of single-layer graphene, h-BN, and $MoS_2$ are experimentally investigated under various normal forces using atomic force microscope (AFM) tips with a spherical and flat end, with the aim to gain a better understanding of frictional behaviors. The nonlinear relationship between friction and normal force friction was clearly observed for single-layer graphene, h-BN, $MoS_2$ specimens slid against the spherical and flat AFM tips. The results also indicate that single-layer graphene, h-BN, $MoS_2$ exhibit low frictional properties (e.g., friction coefficient below 0.1 under 70~100 nN normal force). In particular, graphene is found to be superior to h-BN and $MoS_2$ in terms of frictional properties. However, the friction of single-layer graphene, h-BN, $MoS_2$ against the flat tip is larger than that against the spherical tip, which may be attributed to the relatively large adhesion. Furthermore, it is shown that the fluctuation of friction is more significant for the flat tip than the spherical tip. The resutls of this study may be helpful to elucidate the feasibility of using two-dimensional materials as solid lubricant and protective coating layer for nanoscale devices.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
• /
• 한국분말야금학회 1995년도 춘계학술강연 및 발표대회 강연 및 발표논문 초록집
• /
• pp.36-36
• /
• 1995