Lim, W.C.;Okamura S.;Tezuka N.;Inomata K.;Bae, J.Y.;Kim, H.J.;Kim, T.W.;Lee, T.D.
Journal of Magnetics
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제11권1호
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pp.8-11
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2006
Recently half-metallic full-Heusler alloy films have attracted significant interests for spintronics devices. As these alloys have been known to have a high spin polarization, very large TMR ratio is expected in magnetic tunnel junctions. Among these alloys, $Co_2MnSi$ full-Heusler alloy with a high spin polarization and a high Curie temperature is considered a good candidate as an electrode material for spintronic devices. In this study, the magnetic and structural properties of $Co_2MnSi$ Heusler alloy films were investigated. TMR characteristics of magnetic tunnel junctions with a $Co_2MnSi/SiO_2/CoFe$ structure were studied. A maximum MR ratio of 39% with $SiO_2$ substrates and 27% with MgO(100) substrates were obtained. The lower MR ratio than expectation is considered due to off-stoichiometry and atomic disorder of $Co_2MnSi$ electrode together with oxidation of the electrode layer.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제4권6호
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pp.13-16
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2003
Mn-doped $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) thin film phosphors have been grown using a pulsed laser deposition technique under various growth conditions. The structural characterization carr~ed out on a series of $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) films grown on MgO(l00) substrates usmg Zn-rich ceramic targets. Oxygen pressure was varied from 50 to 200 mTorr and Zn/Ga ratio was the function of oxygen pressure. XRD patterns showed that the lattice constants of the $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) thin film decrease with the substitution of sulfur and selenium for the oxygen in the $ZnGa_2O_4$. Measurements of photoluminescence (PL) properties of $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) thin films have indicated that MgO(100) is one of the most promised substrates for the growth of high quality $ZnGa_2O_{4-x}M_{x}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) thin films. In particular, the incorporation of Sulfur or Selenium into $ZnGa_2O_4$ lattice could induce a remarkable increase in the intensity of PL. The increasing of green emission intensity was observed with $ZnGa_2O_{3.925}Se_{0.075}:$Mn^{2+}$ and $ZnGa_2O_{3.925}S_{0.05}$:$Mn^{2+}$ films, whose brightness was increased by a factor of 3.1 and 1.4 in comparison with that of $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ films, respectively. These phosphors may promise for application to the flat panel displays.
$LiMn_2O_4$ is prepared by reacting stoichiometric mixture of LiOH $H_2O$ and $MnO_2$ (mole ratio 1 : 2) and calcinating at $800^{\circ}C$ for 24h, 36h, 48h, 60h and 72h. At X-ray diffraction, cathode active materials calcined at $800^{\circ}C$ for 36h. (111)/(311) peak ratio was 0.37. It was that crystal structure is formed very well. In the result of charge/discharge test, when heated at $800^{\circ}C$ for 36h, charge/discharge characteristics of $LiMn_2O_4$ is the best and Super-s-black sort of conductive agent showed well property. Also, AC impedance creased gradually during cycling and stabilized after 10cycle.
Water dispersible ZnS based nanocrystals: ZnS (blue), ZnS:Cu (green) and ZnS:Mn (yellow-orange) were synthesized by capping the surface of the nanocrystals with a mercaptopropionic acid (MPA) molecule. The MPA capped ZnS based nanocrystal powders were characterized by using XRD, HR-TEM, EDXS, FT-IR, and FT-Raman spectroscopy. The optical properties of the colloidal nanocrystals were also measured by UV/Vis and photoluminescence (PL) spectroscopies in aqueous solvents. The PL spectra showed broad emission peaks at 440 nm (ZnS), 510 nm (ZnS:Cu) and 600 nm (ZnS:Mn), with relative PL efficiencies in the range of 4.38% to 7.20% compared to a reference organic dye. The measured average particle sizes from the HR-TEM images were in the range of 4.5 to 5.0 nm. White light emission was obtained by mixing these three nanocrystals at a molar ratio of 20 (ZnS):1 (ZnS:Cu):2 (ZnS:Mn) in water. The measured color coordinate of the white light was (0.31, 0.34) in the CIE chromaticity diagram, and the color temperature was 5527 K.
The D2EHPA/TBP co-extractants immobilized PolyHIPE membrane can be used for the selective separation of Mn (II) from Co (II). By solvent-nonsolvent method, D2EHPA/TBP co-extractants can be effectively immobilized into PolyHIPE membrane. The pore structure of PolyHIPE membrane and the presence of TBP enhance the stability of immobilized co-extractants. The optimal operating conditions for the separation of Mn (II) and Co (II) are feeding phase at pH 5.5, sulfuric acid concentration in the stripping phase of about 50 g/L and stirring speed at 400 rpm. The D2EHPA/TBP co-extractants ratio of 5:1 shows synergetic effect on Mn/Co separation factor about 22.74. The removal rate and recovery rate of Mn (II) is about 98.4 and 97.1%, respectively, while for Co (II) the transport efficiency is insignificant. The kinetic study of Mn (II) transport shows that high initial flux, $J_f^o=80.1({\mu}mol/m^2s)$, and maxima stripping flux, $J_s^{max}=20.8({\mu}mol/m^2s)$, can be achieved with D2EHPA/TBP co-extractants immobilized PolyHIPE membrane. The stability and reusability study shows that the membrane can maintain a long term performance with high efficiency. High purity of Co (II) and Mn (II) can be recovered from the feeding phase and stripping phase, respectively.
본 연구는 상온에서 과망간산칼륨 (KMnO4)과 망간아세테이트 (Mn(CH3COO)2·4H2O) 수용액을 반응시켜 초산구리 (Cu(CH3COO)2·H2O) 수용액을 공침한 다공성 CuO/MnO2 촉매에 대한 물리화학적 특성에 대해 분석하였다. 합성방법은 KMnO4과 Mn(CH3COO)2·4H2O의 반응 몰비율을 0.3:1, 0.6:1, 1:1로 반응시켜 초산구리 수용액을 망간아세테이트 투입량 대비 10~75 wt%로 공침시켜 구리이온을 담지시켰다. 제조된 촉매는 TGA/DTA, XRD, SEM 및 BET를 통해 촉매에 대한 물리화학적 특성을 분석하였고, 그 결과 반응 몰비율 변화에 따라 γ-MnO2, α-MnO2로 상변이가 이루어 졌으며, 반응 몰비율이 0.6:1 일 때 비표면적이 253 m2/g을 갖는 다공성 CuO/γ-MnO2 촉매가 제조되었다.
In this study the characteristics of chip formation of the cold drawn Bi-S free machining steels were assessed. And for comparison those of the cold drawn Pb-S free machining steel the hot rolled low carbon steel which has MnS as free machining inclusions and the conventional steels were also investigated. During chip formation the cold drawn free machining steels show relatively little change in thickness and width of chip compare to those of the conventional carbon steels. And a single parameter which indicates the degree of deformation during chip formation chip cross-section area ratio is introduced. The chip cross-section area ratio is defined as chip cross-section area is divided by undeformed chip cross-section area. The variational patters of the chip cross-section area ratio of the materials cut are similar to those of the shear strain values. The shear stress however seems to be dependent on the carbon content of the materials. The cold drawn Bi-S and Pb-S steels show nearly the same chip forming behaviors and the energy consumed during chip formation is almost same. A low carbon steel without free machining aids shows poor chip breakability due to its high ductility. By introducing a small amount of free machining inclusions such as MnS Bi, Pb or merely increasing carbon content the chip breakability improves significantly.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제6권5호
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pp.202-209
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2005
Phase evolution, microstructure and the electrical properties such as $k_p$ and $Q_m$ of $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3[PMN]-Pb(Mn_{1/3}Nb_{2/3})O3[PM'N]-PbZrO_3[PZ]-PbTiO_3[PT]$ quaternary system were investigated within the compositional ranges $0{\leq}y{\leq}0.125$, y+z=0.125, and $0.39{\leq}x{\leq}0.54$ of the formula $Pb_{0.97}Sr_{0.03}[Mg_{1/3}Nb_{2/3})_y\;(Mn_{1/3}Nb_{2/3})_z\;(Zr_{x}Ti_{1-x})_{1-(y+z)}]O_3$. In the case of increasing Mn/(Mg+Mn) ratio for a fixed Zr/Ti ratio of 47.5/52.5, phase relation remained unchanged but the grain size drastically decreased, and the electrical properties changed as following: both $k_P$ and $Q_m$ reached the peak values at $Mn/(Mg+Mn)\cong0.3l7$ and gradually decreased; $\varepsilon33^T$ showed a monotonic decrease; P-E hysteresis loop gradually changed to asymmetrical one, and $E_i$ increased in correspondence. With increasing Zr/Ti ratio for a fixed Mn/(Mg+Mn) ratio of 0.317, on the contrary, the cell parameter $(\alpha^2c)^{1/3}$ gradually increased, and tetragonal-rhombohedral morphotropic phase boundary appeared in the range of $51/49{\leq}Zr/Ti{\leq}54/46$. the meantime, the grain size substantially increased, and the electrical properties changed as following: $k_P$ and $\varepsilon33^T$ reached peak values at Zr/Ti=51/49 and 48/52, respectively, and then gradually decreased; change of $Q_m$ was adverse to $k_P$; both $E_C\;and\;E_i$ considerably decreased while $P_S$ moderately increased. For the system 0.125(PMN+PM'N)-0.875PZT studied, the composition Mn/(Mg+Mn)=0.3l7 and Zr/Ti=51/49 revealed some promising electrical properties for piezoelectric transformer application such as $k_P=0.58,\;Q_m\cong1000$, and $\varepsilon^T_{33}=970$, as well as dense and fine-grained microstructure.
We investigated effectness of sort and volume of conductive agent to charge/discharge capacity of LiMn$_2$O$_4$. LiMn$_2$O$_4$is prepared by reacting stoichiometric mixture of LiOH . $H_2O$ and MnO$_2$(mole ratio 1 : 2) and heating at 80$0^{\circ}C$ for 24h, 36h, 48h, 60h and 72h. All LiMn$_2$O$_4$cathode active materials show spinel structure. Cathode active materials calcined at 80$0^{\circ}C$ for 36h, charge/discharge characteristics and cycle stability have remarkable advantages. Used that super-s-black and 20wt% as conductive agent in LiMn$_2$O$_4$, it is excellent than property of cathode used Acetylene black or mixture of Super-s-black and acetylene black at charge/discharge capacity and cycle stability. Also, specific efficiency of cathode is excellent as over 98% and that of first cycle is excellent as 92%.
Ta(5 nm)/NiFe(11 nm)/FeMn(16 nm) Ta(5 nm)과 Ta(5 nm)/NiFe(11 run)/FeMn(16 nm)/NiFe(7 nm)/Ta(5 nm) 다층박막구조를 제작하여, Laser의 power, 조사 위치, 자장의 방향에 따라 자기저항(MR)비와 교환결합력(H$_{ex}$) 자기적 특성을 연구하였다. Laser 열처리는 power를 440 mW까지 증가시키면서 FeMn/NiFe 이중박막을 15분 씩 Laser로 조사하여, 200 mW에서부터 음의 자기장에서 자기저항곡선의 피크가 발생하기 시작하였다. 400 mW까지 증가시키면서 양의 자기장에서 자기저항곡선의 MR비와 H$_{ex}$:가 각각 0.9%에서 0.1%로, 87 Oe에서 76 Oe로 감소하였고, 음의 자기장 피크에서는 MR비와 H$_{ex}$가 모두 증가하였다. 또한 NiFe/FeMn/NiFe삼중박막에서도 같은 결과를 얻었다. 300 mA로 laser열처리한 면적을 증가시켰을 때 자기저항곡선이 positive 피크는 감소하고 negative 피크는 증가하였다. 이러한 Laser 열처리효과에 의해 결과적으로 교환결합된 박막구조의 국소적 자화반전을 가능하게 하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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