Design of microwave absorbers using high frequency properties of fiber reinforced composites are investigated. Two kinds of composite materials (glass and carbon) are used and their complex permittivity and permeability are measured by transmission/reflection technique using network analyzer. Low dielectric constant and nearly zero dielectric loss are determined in glass fiber composite. However, carbon fiber composites show the high dielectric constant and large conduction loss which is increased with anisotropy of fiber arrangement. It is, therefore, proposed that the glass and carbon fiber composites can be used as the impedance transformer (surface layer) and microwave reflector, respectively. By inserting the foam core or honeycomb core (which can be treated as an air layer) between glass and carbon fiber composites, microwave absorption above 10 dB (90% absorbance) in 4-12 GHz can be obtained. The proposed fiber composites laminates with sandwitch structure have high potential as lightweight and high strength microwave absorbers.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.26
no.5
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pp.10-17
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1989
A new design method of lossy matching network for the microwave broadband ampilfier is presented by using seattering parameters instead od modeling of transistor. A lossy matching network is represented as the combination of 2 lossless networks between which lossy serial or parallel immittance is inserted without using specific topology, and so many useful matching cireuits can be realized. Also it is shown that linear transforming relation exists between gain and reflection coefficient of the amplifier, and the transforming equation is derived using scattering parameters. With this equation some constant gain circles can be drawn on reflection coefficient plane to get adequate reflection coefficient and gain. And since the relations between amplifier gain/reflection coefficient and the immittance of passive element are bilinear transformations. constant gain or reflection coefficients circles. Illustrative examples are presented to show the usefulness of proposed method.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.58
no.6
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pp.1174-1179
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2009
In this paper we develop the characteristic of density on non-uniform plasma in different layer of the semiconductor with optically controlled microwave pulses. The transient response of the microwave pulses in different plasma layer has been evaluated by calculating the variation of the reflection function of dielectric microstrip lines. The lines has used under open-ended termination containing optically induced plasma region, which has illuminated a laser source. The characteristics impedances resulting from the presence of plasma are evaluated by the transmission line model. The analyzes the variation of transient response in a 0.01cm layer near the surface for frequency range from 1GHz to 128GHz. The diffusion length LD is larger than compared to the absorption depth $l/_{\alpha}l$. The variation of characteristic response in plasma layer with microwave pulses which has in deferentially localized has been evaluated analytically.
Various active microwave imaging techniques have been developed for cancer detection for past several decades. Both the microwave tomography and the UWB radar techniques, constituting functional microwave imaging systems, use the electrical property contrast between normal tissues and malignancies to detect the latter in an early development stage. Even though promising simulation results have been reported, the understanding of the functional microwave imaging diagnostics has been relied heavily on the complicated numerical results. We present a computationally efficient and physically instructive analytical electromagnetic wave channel models developed for functional microwave imaging system in order to detect especially the breast tumors as early as possible. The channel model covers the propagation factors that have been examined in the previous 2-D models, such as the radial spreading, path loss, partial reflection and transmission of the backscattered electromagnetic waves from the tumor cell. The effects of the system noise and the noise from the inhomogeneity of the tissue to the reconstruction algorithm are modeled as well. The characteristics of the reconstructed images of the tumor using the proposed model are compared with those from the confocal microwave imaging.
In this study, we report the as-prepared MgO-doped $BaFe_{12}O_{19}$, which was prepared by calcination technique and high-energy ball milling process, as an electromagnetic wave absorber. The phase analysis of $BaFe_{12}O_{19}$ and the as-prepared MgO-doped $BaFe_{12}O_{19}$ was detected utilizing X-ray Diffractometer (XRD). The microstructure was characterized using Scanning Electron Microscope (SEM). By means of the transmission/reflection coaxial line method, the electromagnetic properties and microwave absorbing properties of the as-prepared electromagnetic wave absorber were studied. It is found that the electromagnetic wave absorber has a minimum reflection loss value of -41 dB at 4.27 GHz with a matching thickness of 2.6 mm. The experiment results revealed that the as-prepared electromagnetic wave absorber could find potential applications in many military as well as commercial industries.
Conductive and dielectric SiC are fabricated using electroless plating of Ni-Fe films on SiC chopped fibers to obtain lightweight and high-strength microwave absorbers. The electroless plating of Ni-Fe films is achieved using a two-step process of surface sensitizing and metal plating. The complex permeability and permittivity are measured for the composite specimens with the metalized SiC chopped fibers dispersed in a silicone rubber matrix. The original non-coated SiC fibers exhibit considerable dielectric losses. The complex permeability spectrum does not change significantly with the Ni-Fe coating. Moreover, dielectric constant is sensitively increased with Ni-Fe coating, owing to the increase of the space charge polarization. The improvements in absorption capability (lower reflection loss and small matching thickness) are evident with Ni-Fe coating on SiC fibers. For the composite SiC fibers coated with Ni-Fe thin films, a -35 dB reflection loss is predicted at 7.6 GHz with a matching thickness of 4 mm.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.05a
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pp.132-136
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2004
열 증착 방법을 이용하여 copper(II)-phthalocyanine(CuPc) 박막을 glass 기판 위에 제작하였다. 열처리 조건은 $150^{\circ}C$에서 후열(annealing) 처리 하는 방식과 예열하는 두 가지 방식으로 달리하였다. 제작된 박막의 전기전도도를 평가하기 위해 마이크로웨이브 근접장 효과를 이용한 근접장 현미경(near-field scanning microwave microscope)을 이용하여 비파괴적인 방식으로 CuPc 박막의 반사계수(reflection coefficient)를 측정하였다. CuPc 박막의 전기전도도 특성을 UV 흡수도를 통한 에너지 밴드갭의 shift 현상과 관련지어 설명하고 또한 x-ray diffraction(XRD) data를 통해 박막의 결정 특성과 비교하였다. 박막 표면 특성은 SEM(scanning microscope microscopy)을 통해 관측하였다. 열처리 조건에 따른 CuPc 박막의 전기전도도 특성은 후열 처리한 박막의 경우 예열 처리한 박막보다 전기 전도 특성이 향상되었음을 관측할 수 있었다.
In this paper, we introduce the design and fabrication of 60 GHz low noise amplifier MMIC for IEEE802.15.3c WPAN system. The 60 GHz LNA was designed using ETRI's $0.12{\mu}m$ PHEMT process. The PHEMT shows a peak transconductance ($G_{m,peak}$) of 500 mS/mm, a threshold voltage of -1.2 V, and a drain saturation current of 49 mA for 2 fingers and $100{\mu}m$ total gate width (2f100) at $V_{ds}$=2 V. The RF characteristics of the PHEMT show a cutoff frequency, $f_T$, of 97 GHz, and a maximum oscillation frequency, $f_{max}$, of 166 GHz. The performances of the fabricated 60 GHz LNA MMIC are operating frequency of $60.5{\sim}62.0\;GHz$, small signal gain ($S_{21}$) of $17.4{\sim}18.1\;dB$, gain flatness of 0.7 dB, an input reflection coefficient ($S_{11}$) of $-14{\sim}-3\;dB$, output reflection coefficient ($S_{22}$) of $-11{\sim}-5\;dB$ and noise figure (NF) of 4.5 dB at 60.75 GHz. The chip size of the amplifier MMIC was $3.8{\times}1.4\;mm^2$.
In this paper, we introduce the design and fabrication of V-band power amplifier MMIC with excellent gain-flatness for IEEE 802.15.3c WPAN system. The V-band power amplifier was designed using ETRI' $0.12{\mu}m$ PHEMT process. The PHEMT shows a peak transconductance ($G_{m,peak}$) of 500 mS/mm, a threshold voltage of -1.2 V, and a drain saturation current of 49 mA for 2 fingers and $100{\mu}m$ total gate width (2f100) at $V_{ds}$=2 V. The RF characteristics of the PHEMT show a cutoff frequency, $f_T$, of 97 GHz, and a maximum oscillation frequency, $f_{max}$, of 166 GHz. The gains of the each stages of the amplifier were modified to have broadband characteristics of input/output matching for first and fourth stages and get more gains of edge regions of operating frequency range for second and third stages in order to make the gain-flatness of the amplifier excellently for wide band. The performances of the fabricated 60 GHz power amplifier MMIC are operating frequency of $56.25{\sim}62.25\;GHz$, bandwidth of 6 GHz, small signal gain ($S_{21}$) of $16.5{\sim}17.2\;dB$, gain flatness of 0.7 dB, an input reflection coefficient ($S_{11}$) of $-16{\sim}-9\;dB$, output reflection coefficient ($S_{22}$) of $-16{\sim}-4\;dB$ and output power ($P_{out}$) of 13 dBm. The chip size of the amplifier MMIC was $3.7{\times}1.4mm^2$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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