Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2005.10a
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pp.657-660
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2005
It is net easy to predict the shrinkage rate of a plastic injection mold in its design process. The shrinkage rate should be considered as one of the important performances to produce the reliable products. The shrinkage rate can be determined by suing the CAE tools in the design produces. However, since the analysis can take minutes to hours, the high computational costs of performing the analysis limit their use in design optimization. Therefore this study was carried out to presume for mutual relation of analysis condition to get the optimum average shrinkage by regression analysis. The results shown that coefficient of determination of regression equation has a fine reliability over 88.3% and regression equation of average shrinkage is made by regression analysis.
The first Marine Observation Satellite(MOS) was launched by National Space Development Agency of Japan on February 19, 1987, and it is equipped with three sensons covering visible, infrared, and microwave region. One of them is Visible and Thermal Infrared Radiometer(VTIR) whose main objective is to detect the Sea Surface Temperature(SST). The objective of this study was to process the MOS data using Cray-2 supercomputer, and to assess the SST in the Yellow Sea. In order to implement this objective, the linear regression model between the ground truth data and the corresponding digital number of VTIR in MOS was used to establish the relationship. After testing the significance of the regression model, the SST map of the whole Yellow Sea was derived based on the model. The digital SST map representing the study area showed certain pattern about the SST of Yellow Sea in March and April. In conclusion, the VTIR data in MOS is also useful in investigating SST which provides the information about the Yellow Sea water current in the spring.
This paper recognizes the risk of ignition of air fryer (machine that can cook fried dishes with hot air without oil) that is far exceeding the sales rate of microwave ovens, which is necessary to modern household kitchen, and identifies fire risk through the operation principle of the process of heat transfer, and the main structure of the machine. The fire test that we conducted is to observe the risk of ignition of the machine due to the damage to the safety system and the possibility of igniting oil paper along with food, to experiment with the possibility of ignition due to blockage of the exhaust due to obstacles, and accumulation of oil stains on the hot wire, and to present the method of fire control and devise countermeasures.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.13
no.9
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pp.882-888
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2002
This paper proposed a bias stability circuit that compensates the degradation of MMIC's performance for the variation of the process and temperature. The proposed bias circuit proved the superior effect compared with the conventional bias circuit using the constant current source. It designed and fabricated simultaneously two amplifier on one layout for comparison in same conditions. One is amplifier with conventional bias circuit using constant current source and the other is amplifier with proposed bias stability circuit. The chip was measured the microwave performances under process variation that classed the level NOM, MIN and MAX. The amplifier with a conventional bias circuit using constant current source has 6.4 dB gain variation and 7 mA Ids variation at 1.8 GHz, but the amplifier with the proposed bias circuit has the 2.1 dB gain variation and 3 mA Ids variation. As the result, MMIC having the proposed bias circuit shows the superior compensation of the quiescent point than the MMIC having the conventional bias circuit under the variations of the process and temperature and can improve the yield of the MMIC. The fabricated chip size is 1.2 mm $\times$ 1.4 mm.
We studied the magnetotransport properties of tunnel junctions with AlO and AlN barriers fabricated using microwave-excited plasma. The plasma nitridation process provided wider controllability than the plasma oxidization for the formation of MTJs with ultra-thin insulating layer, because of the slow nitriding rate of metal Al layers, comparing with the oxidizing rate of them. High tunnel magnetoresistance (TMR) ratios of 49 and 44% with respective resistance-area product $(R{\times}A) of 3 {\times} 10^4 and 6 {\times} 10^3 {\Omega}{\mu}m^2$ were obtained in the Co-Fe/Al-N/Co-Fe MTJs. We conclude that AlN is a hopeful barrier material to realize MTJs with high TMR ratio and low $R{\times}A$ for high performance MRAM cells. In addition, in order to clarify the annealing temperature dependence of TMR, the local transport properties were measured for Ta $50{\AA} /Cu 200 {\AA}/Ta 50 {\AA}/Ni_{76}Fe_{24} 20 {\AA}/Cu 50 {\AA}/Mn_{75}Ir_{25} 100 {\AA}/Co_{71}Fe_{29} 40 {\AA}/Al-O$ junction with $d_{Al}= 8 {\AA} and P_{O2}{\times}t_{0X}/ = 8.4 {\times} 10^4$ at various temperatures. The current histogram statistically calculated from the electrical current image was well in accord with the fitting result considering the Gaussian distribution and Fowler-Nordheim equation. After annealing at $340^{\circ}C$, where the TMR ratio of the corresponding MTJ had the maximum value of 44%, the average barrier height increased to 1.12 eV and its standard deviation decreased to 0.1 eV. The increase of TMR ratio after annealing could be well explained by the enhancement of the average barrier height and the reduction of its fluctuation.
Three fabrication techniques for forming thin barrier layer with uniform thickness and large barrier height in magnetic tunnel junction (MTJ) are discussed. First, the effect of immiscible element addition to Cu layer, a high conducting layer generally placed under the MTJ, is investigated in order to reduce the surface roughness of the bottom ferromagnetic layer, on which the barrier is formed. The Ag addition to the Cu layer successfully realizes the smooth surface of the ferromagnetic layer because of the suppression of the grain growth of Cu. Second, a new plasma source, characterized as low electron energy of 1 eV and high density of $10^{12}$$cm^{-3}$, is introduced to the Al oxidation process in MTJ fabrication in order to reduce damages to the barrier layer by the ion-bombardment. The magnetotransport properties of the MTJs are investigated as a function of the annealing temperature. As a peculiar feature, the monotonous decrease of resistance area product (RA) is observed with increasing the annealing temperature. The decrease of the RA is due to the decrease of the effective barrier width. Third, the influence of the mixed inert gas species for plasma oxidization process of metallic Al layer on the tunnel magnetoresistance (TMR) was investigated. By the use of Kr-O$_2$ plasma for Al oxidation process, a 58.8 % of MR ratio was obtained at room temperature after annealing the junction at $300{^{\circ}C}$, while the achieved TMR ratio of the MTJ fabricated with usual Ar-$0_2$ plasma remained 48.4%. A faster oxidization rate of the Al layer by using Kr-O$_2$ plasma is a possible cause to prevent the over oxidization of Al layer and to realize a large magnetoresistance.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.357-357
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2012
The doping process of the solar cell has been used by furnace or laser. But these equipment are so expensive as well as those need high maintenance costs and production costs. The atmospheric pressure plasma doping process can enable to the cost reduction. Moreover the atmospheric pressure plasma can do the selective doping, this means is that the atmospheric pressure plasma regulates the junction depth and doping concentration. In this study, we analysis the atmospheric pressure plasma doping compared to the conventional furnace doping. the single crystal silicon wafer doped with dopant forms a P-N junction by using the atmospheric pressure plasma. We use a P type wafer and it is doped by controlling the plasma process time and concentration of dopant and plasma intensity. We measure the wafer's doping concentration and depth by using Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS), and we use the Hall measurement because of investigating the carrier concentration and sheet resistance. We also analysis the composed element of the surface structure by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and we confirm the structure of the doped section by using Scanning electron microscope (SEM), we also generally grasp the carrier life time through using microwave detected photoconductive decay (u-PCD). As the result of experiment, we confirm that the electrical character of the atmospheric pressure plasma doping is similar with the electrical character of the conventional furnace doping.
Huong, Le Thi Thanh;Tan, Phan Minh;Hoa, Tran Thi Viet;Lee, Soo
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.26
no.1
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pp.1-9
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2009
Nowadays, Tra catfish fat is given attention as an appropriate material for biodiesel production in Vietnam. The aim of this work is to investigate the optimal conditions of refining biodiesel and recovering glycerin by the transesterification from Tra catfish fat using KOH catalyst. As our results, the yield of transesterification was achieved to 94.17% at $50^{\circ}C$ for 45 min with 6:1 molar ratio of methanol to fat in the presence of 0.8% KOH catalyst, and wherein the biodiesel was refined by washing with distilled water at $70^{\circ}C$ and dried in a microwave oven. The yield of raw glycerin recoveries from the transesterification process was 78.58%. The purity of raw glycerin was 84.14% by the conditions of neutralization state with $H_{3}PO_{4}$ solution (pH = 5), $70^{\circ}C$, and 60 min. Activated carbon (3.0 wt.%) was used for the bleaching process at $80^{\circ}C$ for 20 min. The biodiesel was obtained in accordance with for ASTM D 6751 (biodiesel standard). The ash and water of raw glycerins were 7.32 and 8.01%, respectively, and implied that the raw glycerin is very promising candidate to be used as a raw material for textile and cosmetic industries.
Nano sized $(Pb_{0.5}Ca_{0.5})(Fe_{0.5}Nb_{0.5})O_3$ (PCFN) powders with the stoichiometric composition and the uniform size distribution were successfully synthesized by the metal-citrate process through the calcination of the polymeric precursor which consisted of the metal ions and the organic network. The crystallization of the initial amorphous powders began at $400{\circ}$ and completed at $700{\circ}$. The pyrochlore phase was detected caused by the dissociation of PbO above $900{\circ}$. Single phase perovskite PCFN powders with 40 nm size and uniform shape were obtained through the calcination at $700{\circ}$.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.15
no.3
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pp.258-264
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2004
In this paper, MMIC double balanced star mixer for 40 ㎓ was implemented on GaAs substrate with backside vias. In the design of the MMIC mixer, the design of balun and diode was required. A novel balun structure using microstrip to CPS was presented. The 40 ㎓ balun was designed based on the design experience of the scale-down balun by 2 ㎓. The balun may be suitable for fabrication in MMIC process with backside via and can easily be applied for DBM(Double Balanced Mixer). A Schottky diode was designed and implemented using p-HEMT process considering the compatability with other high frequency MMIC's fabricated on p-HEMT base process. Finally, the double balanced star mixer was fabricated using the balun and the p=HEMP Schottky diode. The measured performance of mixer shows 30 ㏈ conversion loss at 18 ㏈m LO power. This insufficient performance is caused by the unwanted diode at AlGaAs junction in vertical structure of p-HEMT. If the p-HEMT's gate is recessed to AlGaAs layer, and so the diode is eliminated, the mixer's performances will be improved.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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