• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1996.05c
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• pp.225-230
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• 1996

탄화규소(SiC)가 도포된 핵연료 제조를 위해 고온 연소 합성법(Self-propagating High Temperature Synthesis, SHS)이 적용되었으며, 반응물로 규소(Si) 분말, 규소 박막 (Si-thin film), 흑연 분말과 카본(C) 화이버가 사용되었다. 규소 박막은 프라즈마가 강화된 화학증착법(a microwave pulsed electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition)으로 준비되었다. 그 결과 규소와 탄소의 고온 연소 합성반응 생성물은 반응물이 분말이거나 박막에 관계없이. 탄화규소(SiC)가 합성되었으며, 생성물의 형상(morphology)은 초기 탄소의 형상에 의존하였다. 본 연구를 통해 고온 연소 합성법이 탄화규소와 탄소가 도포된 핵연료 제조에 적용 가능함을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1998.06a
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• pp.49-54
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• 1998

The growth of diamond films in plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) processes requires high substrate temperatures and gas pressures, as well as high-power excitation of the gas source. Thus determining the substrate temperature in this severe environment is a challenge. The issue is a critical one since substrate temperature is a key parameter for understanding and optimizing diamond film growth. The precise Si substrate temperature calibration based on rapid-scanning spectroscopic ellipsometry have been developed and utilized. Using the true temperature of the top 200 ${\AA}$ of the Si substrate under diamond growth conditions, real time spectroellipsometry (RTSE) has been performed during the nucleation and growth of nanocrystallind thin films prepared by PECVD. RTSE shows that a significant volume fraction of nondiamond(or{{{{ {sp }^{2 } -bonded}}}}) carbon forms during thin film coalescence and is trapped near the substrate interface between ∼300 ${\AA}$ diamond nuclei.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.07d
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• pp.1490-1492
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• 1998

The methastable state diamond films have been deposited on Si substrates using MWPCVD. Effects of each experimental parameters of MWPCVD including $CH_4$ conentrations, Oxygen additions, Operating pressure, etc. on the growth rate and crystallinity were invesitigated. The best crystallinity of the film at 3% methane concentration addition of oxygen to the $CH_4-H_2O$ mixture gave an improved film crystallinity at 50% oxygen concentration. Upon increasing the operating pressure, the growth rate and crystallinity were increased simultaneously.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.56-56
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• 1999

수소화된 비정질 탄소(a-C:H0는 그 형성 조건에 따라서 여러 가지 다른 구조와 특성을 갖게 되며, 특히 DLC(diamond-like carbon)-FED(field emission display) 개발 면에서 중요하게 연구되고 있다. 본 연구에서는 a-C:H 박막을 PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 방법으로 증착하고 주고 ESR 및 Raman 측정을 통하여 그 결과를 조사해 보았다. PECVD 증착가스는 CH4 가스를 사용하였다. 기판은 Corning 1737 glass를 사용하였고, 기판 온도는 32$0^{\circ}C$이었다. 증착 압력과 R>F. power는 각각 0.1-1 Torr 와 12-36 W 사이에서 변화되었다. ESR를 피하기 위하여, microwave power에 대한 ESR 신호 의존성을 측정하고 포화효과를 피하기 위한 Raman spectroscopy로 분석하였다. R.F.power가 증가할수록 증착속도는 0.06 nm/sec 정도까지 대체로 증가하였으나, pressure가 1 Torr 일때는 같은 R.F. power로써 증착이 일어나지 않는 경우도 발생하였다. 증착된 a-C:H 박막은 R.F.power가 증가할수록 스핀밀도의 증가가 두드러졌으며, 기타 증착가스 압력 등의 증착 조건에 따른 ESR 및 Raman 스펙트럼의 변화를 관찰하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.305-305
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• 2015

알루미늄 방열판 위에 MPCVD(Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치를 이용하여 DC 바이어스 전압을 기판에 인가하면서 $Ar+CH_4$ 가스 분위기에서 증착한 나노결정질 다이아몬드(Nanocrystalline Diamond; NCD) 박막의 방열 특성을 평가하였다. XRD와 Raman spectroscopy를 이용하여 증착된 박막이 NCD인지를 확인하였으며 FE-SEM 및 FIB로 박막의 표면 및 단면의 형상을 관찰하였다. 다이아몬드가 증착된 방열판에 LED를 부착하여 발열시키고 열유동측정기의 하나인 T3-ster를 사용하여 방열 특성을 분석하였다. 기존 알루미늄(Al) 기판(5.55 K/W)보다 다이아몬드 증착(Dia-Al) 기판(3.88 K/W)의 열저항 값이 현저히 작았다, 또한 LED 접합온도는 Dia-Al 기판이 Al 기판보다 약 $3.5^{\circ}C$만큼 낮았다. 적외선 열화상 카메라로 발열 중인 시편의 전면과 후면을 촬영한 결과, LED가 부착된 전면부에서는 최고 발열 부위(hot spot)의 면적이 Al 기판의 경우가 Dia-Al 기판보다 높았고, 후면부에서는 그 반대의 경향을 보였다. 이들 데이터로부터 다이아몬드 증착 방열판이 기존의 방열판보다 방열특성이 우수한 것으로 해석할 수 있으며, 다이아몬드 박막을 방열판으로 사용하면 LED의 사용 수명과 효율이 높아질 것으로 기대된다.

• Journal of the Korean institute of surface engineering
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• v.29 no.5
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• pp.505-511
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• 1996

The field emission characteristics of diamond films deposited by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPECVD) method were investigated. Diamond films were deposited on n-type Si(100) wafer using various mixtures of hydrogen and methane gas, and the I-V characteristics are measured. We observed that the field emission characteristics depend on the $CH_4$ concentration and the diamond film thickness. All the films show remarkable emission characteristics; low turn-on voltage, high emission current density at lower voltage, uniform stable current density, and good stability and reproducibility. The threshold field for producing a current density of 1mA/$\textrm{cm}^2$ is found as low as 7.6V/$\mu\textrm{m}$.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• v.3 no.1
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• pp.43-48
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• 1999

Using microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition, diamond films were successfully grown on Ti-coated glass substrates at temperatures as low as around 500$^{\circ}C$ in behalf of practical applications to field emitters. Electron emission was observed at turn-on fields below 18V-$\mu\textrm{m}$. Field emission characteristics of diamond films were discussed in terms of their crystalline qualities. diamond films with poorer crystalline qualities showed better field emission properties.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• v.4 no.1
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• pp.18-22
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• 2000

For the enhancement of the nucleation density of the diamond film, we introduced the cyclic process. The cyclic process was carried out by the on/off control of CH$_4$ flow rate for a relatively short time (10 min), compared with the total reaction time (6 h). Prior to depositing the diamond film, we made the pretreated glass substrate via the unidirectional scratch using ∼l $\mu\textrm{m}$ size diamond powders. Diamond films were deposited on the pretreated glass substrate in a microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPECVD) system. We observed the enhancement of the nucleation density of the diamond films caused by the cyclic process. Detailed surface morphologies of the substrate were investigated after the cyclic process. Based on these results, we discussed the cause for the enhancement of the nucleation density on the pretreated glass substrate by the cyclic process.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.s1
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• pp.160-166
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• 1998

The field emission characteristics of defective diamond films grown by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPECVD) have been studied. X-ray diffraction, the poor crystal quality and/or small grain sizes of the diamond phase and the inclusion of the non-diamond carbon phases in these films have been condirmed by raman spectroscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and the reflectance measurements. The degrees of the film defectiveness and the emission characteristics were dependent on the methane concentration. Current-versus-voltage measurements have demonstrated that the defective diamond films have good electron emission characteristics. characteristics strongly suggests the defect-related electron-emission mechanism. The defective diamond films deposited on Si substrates show the field emission current density of 1$\mu\textrm{A}/\textrm{cm}^2$ and 1mA/$\textrm{cm}^2$ have been measured at electric fields as low as 4.5V/$\mu\textrm{m}$ and 7.6V/$\mu\textrm{m}$, respectively. We also observed the similar emission characteristics from the defective diamond film deposited on Cr/Si substrate and could decrease the deposition temperature to $600^{\circ}C$.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.117-118
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• 2011

초경합금 위에 RF Magnetron Sputter를 이용하여 Ti 중간층을 증착 후 MPECVD(Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 시스템을 이용하여 나노결정 다이아몬드 박막을 증착 하였다. 공정압력, 마이크로웨이브 전력, Ar/$CH_4$ 조성비, 기판온도를 일정하게 놓고 직류 bias의 인가 여부를 변수로 하고 증착시간을 0.5, 1, 2시간으로 변화시켜 박막을 제작하였다. 제작된 시편은 FE-SEM과 AFM을 이용하여 다이아몬드 박막의 표면과 다이아몬드 박막의 표면 거칠기 등을 측정하였고, Raman spectroscopy와 XRD를 이용하여 다이아몬드 결정성을 확인하였다. Automatic Scratch �岵謙�ter를 이용하여 복합박막의 층별 접합력을 측정하였다. 바이어스를 인가하지 않고 다이아몬드 박막을 증착할 경우 증착 시간이 증가할수록 다이아몬드 입자의 평균 크기가 증가하며 입자들이 차지하는 면적이 증가하는 것을 확인하였다. 그러나 1시간이 경과해도 아직 완전한 박막은 형성되지 못하고 2시간 이상 증착 시 완전한 박막을 이루는 것이 확인되었다. 이에 비해서 바이어스 전압을 인가할 경우 1시간 내에 완전한 박막을 이루었다. 표면 거칠기는 바이어스를 인가한 경우가 그렇지 않은 경우에 비해서 조금 높은 것으로 나타났다. 이러한 바이어스 효과는 표면에서의 핵생성 밀도 증가와 재핵생성 속도 증가에 기인하는 것으로 해석된다.