The binding of cellobiohydrolases to cullulose is a crucial initial step in cellulose hydrolysis. In the search for a detailed understanding of the function of cellobiohydrolases, much information concerning how the enzymes and their constituent catalytic and cellulose-binding changes during hydrolysis is still needed. The adsorption of purified two cellobiohydrolases (Ce17A and Ce16A) from Trichoderma reesei cellulase to microcrystalline cellulose has been studied. Cellobiohydrolase II (Ce16A) does not affect the adsorption of cellobiohydrolase I (Ce17A) significantly, and there are specific binding sites for both Ce17A and Ce16A. The adsorption affinity and tightness of the cullulase binding domain (CBD) for Ce17A are larger than those of the CBD for Ce16A. The CBD for Ce17A binds more rapidly and tightly to Avicel than the CBD for Ce16A. The decrease in adsorption observed when the two cellobihydrolases are studied together would appear to be the result of competition for binding sites on the cellulose. Ce17A competes more efficiently for binding sites than Ce16A. Competition for binding sites is the dominating factor when the two enzymes are acting together, furthermore adsorption to sites specific for Ce17A and Ce16A, also contributes to the total adsorption.
Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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2017.05a
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pp.791-796
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2017
In this study, the combustion characteristics of paraffin blended fuel on aluminum particle size were investigated. The combustion experiments were carried out using aluminum particles with an average particle size of 100 nm and $8{\mu}m$ and microcrystalline paraffin wax (Sasol 0907). A series of comparison was conducted on the regression rate, the pressure curve and the characteristic velocity of pure paraffin and paraffin blended fuels with aluminum particles. It was found that the micro-sized particles enhance the regression rate as the oxidizer mass flux increased. However, the nano-sized particles decrease the regression rate as the oxidizer mass flux is increased.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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1993.05a
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pp.22-22
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1993
Tungsten silicide는 낮은 전도도, 높은 녹는점, pattern 형성에 용이함등으로 VLSI device Interconnect(Bit line)로 활발하게 이용되고 있다. 일반적으로 Tungsten silicide 는 polycide(WSi$_2$/poly-Si)구조로 사용이 되며, polycide 구조는 산화분위기에서 WSi$_2$위에 SiO$_2$막을 쉽게 형성시키는 장점이 있다. As-dep상태의 polycide를 산화시킬적에는 텅스텐 실리사이드에 존재하는 excess-silicon과 microcrystalline 구조 (grain size=3$\AA$)로 인하여 텅스텐 실리사이드 표면에 균일한 SiO$_2$가 형성이 된다. 그러나 post-anneal을 실시한 샘플 Furnace anneal ($N_2$:O$_2$유량비=2:1) 처리하면 성장된 텅스텐 실사이드 입자의 입계효과에 의하여 텅스텐 실리사이드의 표면에 SiO$_2$뿐만 아니라 WO$_3$가 형성되는 이상산화가 발생되어 공정의 어려움을 야기시키고 있다. 본 실험에서는 post anneal ($700^{\circ}C$, 30min, $N_2$ 분위기) 시킨 시편을 Implantation(As 또는 phosphorous)을 실시하여 실리사이드 표면을 비정질화 시킨후 Furnace anneal 실시하여 이상산화 발생 억제에 I/I처리가 미치는 효과를 관찰하였다. XPS를 이용하여 이상산화막 두께와 WO$_3$존재를 조사하였고, AES를 사용하여 W, Si, O 원소들이 깊이에 따라 변하는 것을 관찰하였다.
This paper presents the deposition and characterization of microcrystalline silicon(${\mu}c$-Si:H) films by HWCVD(Hot-wire Chemical Vapor Deposition) method at low substrate($300^{\circ}C$). The filament temperature, pressure and $SiH_4$ concentration were determined to be a critical parameter for the deposition of poly-Si films. Series A was deposited under the conditions of $1380^{\circ}C$(Tf), 100 mTorr and $2{\sim}10%\{SC:SiH_4/(SiH_4+H_2)\}$ for 60 min. Series B was deposited under the conditions of $1400{\sim}1450^{\circ}(T_f)$, 30 mTorr and $2{\sim}12%$(SC) for 60 min. The physical characteristics were measured by Raman and FTIR spectroscopy, dark and photoconductivity measurements under AM1.5 illumination.
This paper presents the deposition of ${\mu}c$-Si:H thin-film and fabrication of a solar cell by VHF-PECVD method. The ${\mu}c$-Si:H thin films and pin-type solar cells are fabricated using multi-chamber cluster tool system. A 7.4% conversion efficiency was achieved from ${\mu}c$-Si:H thin film solar cells with total thickness less than $5{\mu}m$. The physical characteristic was measured by Raman spectroscopy, Solar cell characteristic was measured under AM1.5 illumination.
Microcrystalline silicon(c-Si:H) thin-film solar cells are prepared with intrinsic Si-layer by hot wire CVD. The operating parameters of solar cells are strongly affected by the filament temperature ($T_f$) during intrinsic layer. Jsc and efficiency abruptly decreases with elevated $T_f$ to $1400^{\circ}C$. This deterioration of solar cell parameters are resulted from increase of crystalline volume fraction and corresponding defect density at high $T_f$ The heater temperature ($T_h$) are also critical parameter that controls device operations. Solar cells prepared at low $T_h$ (<$200^{\circ}C$) shows a similar operating properties with devices prepared at high $T_f$, i.e. low Jsc, Voc and efficiency. The origins for this result, however, are different with that of inferior device performances at high $T_f$. In addition the phase transition of the silicon films occurs at different silane concentration (SC) by varying filament temperature, by which highest efficiency with SC vanes with $T_f$.
Kim, Joon-Dong;Yoon, Yeo-Hwan;Lee, Eung-Sug;Han, Chang-Soo;Anderson, Wayne A.
Proceedings of the KIEE Conference
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2007.07a
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pp.220-221
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2007
금속 촉매 성장 (Metal-induced growth) 를 이용하여, 마이크로 사이즈의 결정질 (Microcrystalline) 박막 실리콘 (Silicon, Si)을 성장하였다. 금속 촉매로서는 코발트, 니켈, 코발트/니켈 복합물질(Co, Ni, or Co/Ni) 이 사용되었으며, 실리콘과 반응하여 실리사이드 (Silicide) 층을 형성한다. 이러한 실리사이드 층은 실리콘과 격자 거리가 유사하여 (Little lattice mismatch), 그 위에 실리콘 박막을 성장하기 위한 모체 (Template) 가 된다. XRD (X-ray diffraction) 분석을 통하여, 실리사이드 ($CoSi_2$ or $NiSi_2$) 의 형성과 성장된 박막 실리콘의 결정성을 연구하였다. 이러한 박막을 이용하여, 쇼트키 태양전지 (Schottky Solar cell) 에 응용하였다. 코발트/니켈 복합물질을 이용하였을 경우에 10.6mA/$cm^2$ 단락전류를 얻었으며, 이는 코발트만을 이용한 경우보다 10 배만큼 증가하였다. 이러한 실리사이드를 매개로한 박막 실리콘의 성장은 공정상에서의 열부담 (Thermal budget) 을 줄일 수 있으며, 대면적 응용에 큰 가능성을 가지고 있다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.446-447
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2007
The rapid thermal annealing effect of transparent IZTO(indium zinc oxide) and IAZO(indium alminium zinc oxide) films grown on glass substrate for solar cell or flat panel displays(FPDs) was studied. We prepared IZTO using RF magnetron sputtering and IAZO using DC co-sputtering method. Subsequently, using rapid thermal annealing(RTA) system, prepared IZTO and IAZO films were annealed at 300, 400, 500, $600^{\circ}C$ for 90sec. In addition, Electrical and optical characteristics were measured by Hall effect measurement and UV/Vis spectrometer examinations, respectively. To analyze structural properties and surface smoothness of the IZTO and IAZO films, XRD and SEM examinations were performed, respectively. It was shown that IZTO and IAZO films exhibited microcrystalline structure over $400^{\circ}C$ and amorphous structural regardless of RTA temperature, respectively.
Proceedings of the Korea Technical Association of the Pulp and Paper Industry Conference
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2008.04a
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pp.178-182
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2008
The bleached red algae fiber(BRAF) showed very similar crystallinity to the cellulose, furthermore, it has higher thermal decomposition temperature than that of the microcrystalline cellulose(MCC). Polypropylene biocomposites reinforced with BRAF have been fabricated with various BRAF contents by compression molding method and their mechanical and thermomechanical properties have been studied. The mechanical strength as tensile, impact and flexural modulus of BRAF/PP biocomposites were gradually improved with increasing the BRAF content, and thermal property which against the thermal expansion was markdly improved, especially. These results are compared with chopped non-woody fibers as Henequen or Kenaf, BRAF was more effective for fabrication of biocomposites reinforced small-sized fibers. The red algae fiber reinforced biocomposites has the applicability such as electronics, biodegradable products and small-structure composites.
Superstrate pin amorphous silicon thin-film (a-Si:H) solar cells are prepared on $SnO_2:F$ and ZnO:Al transparent conducting oxides (TCO) In order to see the effect of TCO/P-layers on a-Si:H solar cell operation. The solar cells prepared on textured ZnO:Al have higher open circuit voltage $V_{oc}$ than cells prepared on $SnO_2:F$. Presence of thin microcrystalline p-type silicon layer $({\mu}c-Si:H)$ between ZnO:Al and p a-SiC:H plays a major role by causing improvement in fill factor as well as $V_{oc}$, of a-Si:H solar cells prepared on ZnO:Al TCO. Without any treatment of pi interface, we could obtain high $V_{oc}$, of 994mv while keeping fill factor (72.7%) and short circuit current density $J_{sc}$ at the same level as for the cells on $SnO_2:F$ TCO. This high $V_{oc}$ value can be attributed to modification in the current transport in this region due to creation of a potential barrier.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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