• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권10호
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• pp.447-450
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• 2003

This paper presents a process optimization of antireflection (AR) coating on crystalline Si solar cells. Theoretical and experimental investigations were performed on a double-layer AR (DLAR) coating of MgF$_2$/CeO$_2$. We investigated CeO$_2$ films as an AR layer because they have a proper refractive index of 2.46 and demonstrate the same lattice constant as Si substrate. RF sputter grown CeO$_2$ film showed strong dependence on a deposition temperature. The CeO$_2$ deposited at 40$0^{\circ}C$ exhibited a strong (111) preferred orientation and the lowest surface roughness of 6.87 $\AA$. Refractive index of MgF$_2$ film was measured as 1.386 for the most of growth temperature. An optimized DLAR coating showed a reflectance as low as 2.04% in the wavelengths ranged from 0.4${\mu}{\textrm}{m}$ to 1.1${\mu}{\textrm}{m}$. We achieved the efficiencies of solar cells greater than 15% with 3.12% improvement with DLAR coatings. Further details on MgF$_2$, CeO$_2$ films, and cell fabrication parameters are presented in this paper.

• 한국세라믹학회지
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• 제43권1호
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• pp.48-54
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• 2006

Hydroxyapatite $(HAp,\;Ca_{10}(PO_4)_6(OH)_2)$/alumina composites were fabricated with the addition of fluorides, such as $MgF_2$ and $CaF_2$. In this study, the effect of fluorides on the inhibition of phase decomposition and the mechanical properties of HAp was investigated. Due to the higher solubility of F ion in HAp structure, $MgF_2$ additive was more effective compared to $CaF_2$ additive in the lowering decomposition temperature of HAp. Therefore, the dissociation tendency of HAp was fully inhibited below $1400^{\circ}C$. The mechanical properties of HAp composites with $MgF_2$ additive showed higher value (flexural strength: $\~170MPa$, Vickers hardness: $\~7\;GPa$, fracture toughness: $\~1.5\;MPam^{1/2}$) compared to $MgF_2-free$ composites. The linear thermal expansion coefficient of HAp composites with $MgF_2$ showed the value of $16.4\times10^{-6}/^{\circ}C\;at\;20\~400^{\circ}C $.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제28권2호
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• pp.137-143
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• 2017

In the present study, Ni and $TaF_5$ were chosen as additives to enhance the hydriding and dehydriding rates of Mg. A sample with a composition of 80 wt% Mg + 14 wt% Ni + 6 wt% $TaF_5$ (named $80Mg+14Ni+6TaF_5$) was prepared by high-energy ball milling in hydrogen. Its hydriding and dehydriding properties were then examined. At the fourth cycle, the activated sample absorbed 3.88 wt% H for 2.5 min, 4.74 wt% H for 5 min, and 5.75 wt% H for 60 min at 593 K under 12 bar $H_2$. $80Mg+14Ni+6TaF_5$ had an effective hydrogen-storage capacity (the quantity of hydrogen absorbed for 60 min) of about 5.8 wt%. The sample desorbed 1.42 wt% H for 5 min, 3.42 wt% H for 15 min, and 5.09 wt% H for 60 min at 593 K under 1.0 bar $H_2$. Line scanning results by EDS for $80Mg+14Ni+6TaF_5$ before and after cycling showed that the peaks of Ta and F appeared at different positions, indicating that the $TaF_5$ in $80Mg+14Ni+6TaF_5$ was decomposed.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권10호
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• pp.1029-1033
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• 1997

A prototype MFSFET using ferroelectric fluoride BaMgF$_4$as a gate insulator has been successfully fabricated with the help of 2 sheets of metal mask. The fluoride film was deposited in an ultrai-high vacuum system at a substrate temperature of below 30$0^{\circ}C$ and an in-situ post-deposition annealing was conducted for 20 seconds at $650^{\circ}C$ in the same chamber. The interface state density of the BaMgF$_4$/Si(100) interface calculated by a MFS capacitor fabricated on the same wafer was about 8$\times$10$^{10}$ /cm$^2$.eV. The I$_{D}$-V$_{G}$ characteristics of the MFSFET show a hysteresis loop due to the ferroelectric nature of the BaMgF$_4$film. It is also demonstrated that the I$_{D}$ can be controlled by the “write” plus which was applied before the measurements even at the same “read”gate voltage.ltage.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권4호
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• pp.548-554
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• 1997

수직 Bridgman방법으로 $Mg_{0.18}Zn_{0.84}$Te:Co(Co:0.01 mole%)단결정을 성장시켰다. 성장된 단결정의 결정구조와 광흡수 spectra를 연구하였다. X 선 회절무늬로부터 성장된 단결정의 구조는 cubic구조이었고 격자상수 a=6.1422 $\AA$이었다. 광흡수 측정결과 $Co^{2+}$ 이온에 기인된 $A-band:^4A_2(^4F){\to}^4T_2(^4F),\; B-band:^4A_2(^4F){\to}^4T_1(^4F), C- band:^4A_2(^4F){\to}^4T_1(^4P)$의 intracenter transition과, 흡수단 근처의 charge transfer에 의한 photoionization transition에 관계된 D-band를 550-770 nm의 파장영역에서 관측하였다. 또한 결정장 이론에 의해 결정매개변수(Dq)와 Racah parameter(B)를 결정하였다.

• 한국식품과학회지
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• 제44권2호
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• pp.207-215
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• 2012

본 연구에서는 쌀 막걸리의 발효제 종류 및 배합비율에 따른 담금유형을 설정하고 품질특성을 비교하였다. 알코올 함량은 담금 (C)형이 13.6%로 가장 높았으며, (D)형 13.5%, (A)형 13.1%, (B)형 12.9% 및 (E)형 12.7% 순이며, 담금 (F)형에서 12.1%로 가장 낮게 나타났다. 발효 후 당도는 담금 (A)-(E)형은 약 $8.6^{\circ}Bx$로 비슷하였으나 담금 (F)형에서는 $5.4^{\circ}Bx$로 낮게 나타났다. 적정산도는 발효 중 큰 변화는 없었으며, pH는 담금 (A)-(E)형에서는 pH 3.8-3.9, 담금 (F)형에서 pH 4.16으로 조금 높게 나타났다. 환원당 함량은 담금 (A)형에서 401.6 mg%로 가장 높았으며, 담금 (B)-(E)형에서는 337.3-380.9 mg%, 담금 (F)형에서는 119.2 mg%로 가장 낮게 나타났다. 알코올 성분 중 methanol, 1-propanol, 2-methyl-1-propanol 및 iso-amylalcohol이 검출되었으며, 발효 동안 증가하는 경향을 나타내었다. 올리고당 함량은 담금 (D)형에서 1251.27 mg%로 가장 높았으며, (E)형 1,219.2 mg%, (C)형 1,141.4 mg%, (A)형 1,049.9 mg%, (B)형 973.8 mg% 순이며, (F)형에서는 608.0 mg%로 가장 낮았다. 총 유리아미노산 함량은 담금 (B)형에서 781.4 mg%로 가장 높았으며, (C)형 703.2 mg%, (D)형 702.6 mg%, (E)형 678.7 mg%, (A)형 630.4 mg% 및 (F)형 328.7 mg% 순으로 나타났다. 휘발성 향기성분은 담금 (A)와 (B)형은 16종, (C)형 15종, (D)형과 (E), (F)형은 14종이 검출되었다. 전반적 기호도는 담금 (A)형과 (C)형에서 유의적인 차이를 나타내었으며, 쓴맛이 강한 (D)형과 (E)형, 단맛이 적은 (F)형에서는 전반적인 기호도 수치가 낮게 나타났다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.373-373
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• 2011

$Cu(In,Ga)Se_2$(CIGS) 박막 태양전지는 Chalcopyrite계 박막 태양전지로 Cu, In, Ga, Se 각 원소의 조성을 적절히 조절하여 박막을 성장시킨다. 성장시킨 CIGS 박막은 광흡수계수가 105cm-1로 다른 물질 보다 뛰어나고 직접 천이형 반도체로서 얇은 두께로도 고효율의 박막 제작이 가능하다. 얇은 두께로도 충분히 빛의 흡수가 가능하지만, cell 표면 반사에 의한 광 손실은 cell 효율을 떨어뜨리게 된다. 본 연구에서는 CIGS 박막 태양전지의 광 흡수 향상을 위해 굴절률이 1.86인 ITO 위에 ITO보다 굴절률이 작은 $MgF_2$ (n=1.377) [1]를 80, 100, 120, 140 nm로 증착하여 $MgF_2$/Al/Ni/ITO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 시료를 제작하고, optical reflectance, Quantum Efficiency를 이용하여 분석하였다. optical reflectance 분석 결과, $MgF_2$ AR coating을 한 경우, 두께가 두꺼워짐에 따라 광 반사도가 감소하는 경향을 보였다. 또한 AR coating 두께가 커짐에 따라 fluctuation이 점점 커지며, 파형이 장파장 쪽으로 shift하는 것을 관찰 할 수 있었다. Quantum efficiency (QE)를 분석한 결과 $MgF_2$ AR coating 할 경우, 측정된 대부분의 파장에서 QE가 향상되는 것을 확인할 수 있었다. 하지만 AR coating 두께에 따른 변화는 뚜렷한 차이를 보이지 않았다. AR coating 결과, JSC가 증가하여 efficiency가 향상되는 것을 확인 할 수 있다. 그러나 $MgF_2$ AR coating 80~140 nm 범위에서 cell 효율 변화의 뚜렷한 차이는 관찰할 수 없었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권2호
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• pp.163-170
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• 1997

대표적인 무기계 지연제인 규불하마그네슘(MgSiF6.6H2O)을 시멘트 수화반응시 첨가했을 때의 수화반응의 지연 효과 및 특성과 수용액 이온농도 변화 고찰하기 위하여 규불화마그네슘을 시멘트 질랴의 0.3wt%에서 5wt%까지 변화시키면서 그 영향을 연구 검토하였다. 시멘트 모르타르의 flow는 지연제의 첨가에 따라 감소하는 경향이 있으며 응결 시간은 지연제의 첨가량에 따라 지연되었다. 모르타르의 압축 강도는 지연제의 첨가량에 따라 3일, 7일까지는 지연제를 첨가하지 않은 plain mortar에 비하여 약간 낮은 강도를 나타내나, 시간이 지남에 따라 회복되어 28일이 지나면 plain 모르타르와 같은 강도를 나타낸다. 규불화마그네슘이 첨가되면 수화 초기 단계에서 시멘트로부터 용출된 알카리 이온과 반응하여 K2SiF6의 생성이 일어나며 그와 동시에 Ca++와 F++와의 반응에 따라 CaF2화합물이 생성됨을 확인하였다. 이때 생성된 K2SiF6 및 CaF2생성물의 비표면적은 대단히 컸으며 이들 물질이 수화반응 초기에 미수화 시멘트시 입자 표면에 생성되어 시멘트의 수화가 지연되는 것으로 검토된다. 또한 수화초기의 수화용액의 Ca++ 및 K+이온 농도의 저하 역시 포틀랜드 수화반응속도를 지연시켜 주는 이유가된다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제15권2호
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• pp.57-65
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• 1990

새로 개발한 LiF(Mg, Cu, Na, Si) 열형광선량계를 사용하여 $^{60}Co$ 원격조사장치에 의한 수중흡수선량을 측정하였다. 공기중 조사선량으로 부터 TLD 공동의 흡수선량 교정인자($D_{TLD}$/TL)를 결정하였고, 수중흡수선량은 TLD 공동의 흡수선량을 측정하여 공동이론에 의해 해석하였다. $10{\times}10cm^2$ 및 $5{\times}10cm^2$의 빔 크기에서 팬텀내 여러지점에 대하여 LiF(Mg, Cu, Na, Si) TLD로 수중흡수선량을 결정하고 동일한 위치에서 NE 2561 전리함을 사용하여 측정한 값과 비교한 결과, LiF(Mg, Cu, Na, Si) TLD의 측정오차$({\pm}3%)$ 범위내에서 잘 일치 하였다. 빔의 크기가 $5{\times}5cm^2$, $10{\times}10cm^2$ 및 $30{\times}30cm^2$인 경우에 깊이-선량 백분율과 팬텀-공기 선량비를 측정하였으며 이 값들은 British Journal of Radiology(1983)의 데이터와 잘 일치하였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권5호
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• pp.102-107
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• 1996

Use of a rapid thermal annealing (RTA) technique is shown to improve the properties of metal-ferroelectric BaMgF$_{4}$-silicon structures. The fluoride film was deposited in an ultra-high vacuum system at asubstrate temperature of 300$^{\circ}C$. A post-deposition annelaing was conducted for 10 seconds at 600.deg. C in a vacuum of 0.1 Torr, using a home-made RTA apparatus. The results showed that the resistivity of the ferroelectric BaMgF$_{4}$ film from a typical value of 1-2${\times}10^{11}{\Omega}{\cdot}cm$ before the annealing to about 5${\times}10^{13}{\Omega}{\cdot}cm$ and reduce the interface state density of the BaMgF$_{4}$/Si interface to about 8${\times}10^{10}cm^{2}{\cdot}$eV. Ferroelectric hysteresis measurements using a sawyer-tower circuit yielded remanent polarization and coercive field values of about 0.5$\mu$C/cm$^{2}$ and 80 kV/cm, respectively. the typical remanent polarization of the BaMgF$_{4}$ films ont he (100) and (111) oreientated silicon wafers were 0.5 - 0.6 $\mu$C/cm$^{2}$ and that of th efilms on the (110) wafers was 1.2$^{\circ}C$/cm$^{2}$.