• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1353-1354
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• 2006

The dielectric properties of $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(BST) and MgO-doped BST ceramics were investigated for tunable microwave applications by sol-gel method. The effects of MgO mixing with BST. It is observed that Mg substitution into BST causes a shift in the cubic-tetragonal BST Phase transition peak to a lower temperature. MgO-substituted BST and MgO-mixed phases exhibit homogeneous and broadened BST phase transition peaks. Mg substitution into BST has a significant effect on the grain sife reduction. Dielectric constant and loss is inhanced with decrease MgO dopant.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권2호
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• pp.129-134
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• 1995

단결정 $KMnCl_3$, $LiNbO_3$ 및 $Mg-LiNbO_3$의 bulk 성질을 중성자 산란을 이용하여 측정하였다. 본 연구는 편광 빛을 사용하여 보이는 좋은 단결정이라도 이들의 bulk 성질을 정확히 파악하기 위하여는 중성자 산란으로 재측정하여야 함을 보여준다. 중성자 산란에서 나타나는 $KMnCl_3$, 의 큰 mosaic 분포는 이 결정이 단일 구역을 갖는 단결정이 아니고 축에 대해 작은 각으로 분포되어 있는 구역 군들이 상대적으로 여러 방향으로 존재함을 보여준다. $LiNbO_3$ 에서 나타는 작은 mosaic분포는 큰 구역들이 서로 가까이 정렬되어 있고 Mg가 첨가된 $LiNbO_3$ 는 잘 키워진 단결정으로 나타났다.

• Journal of Magnetics
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• 제16권1호
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• pp.15-18
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• 2011

We have studied the $TiO_2$ doping effects on the flux pinning behavior of an $MgB_2$ superconductor synthesized by the in-situ solid-state reaction. From the field-cooled and zero-field-cooled temperature dependences of magnetization, the reversible-irreversible transition of $TiO_2$-doped $MgB_2$ was determined in the H-T diagram (the temperature dependence of upper critical magnetic field and irreversibility line). For comparison, the similar measurements are also obtained from SiC-doped $MgB_2$. The critical current density was estimated from the width of hysteresis loops in the framework of Bean's model at different temperatures. The obtained results manifest that nano-scale $TiO_2$ inclusions served as effective pinning centers and lead to the enhanced upper critical field and critical current density. It was concluded that the grain boundary pinning mechanism was realized in a $TiO_2$-doped $MgB_2$ superconductor.

• 전기학회논문지
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• 제58권12호
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• pp.2441-2445
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• 2009

The effects of Si -doped MgO have been investigated in order to improve the material properties of the MgO protective layer in plasma display panels. A small amount of Si is added to the MgO pellet while the MgO layer is being deposited by using an electron-beam evaporation method. Both the surface characteristics of the protecting layer and the electro-optical properties of 4 in. test panels are investigated, such as XRD patterns, SEM images, firing and sustain voltages, secondary electron emission coefficient($\gamma$), luminance, luminous efficacy and lifetime. The firing and sustain voltage are minimized when Si concentration is 0.038%, where the luminance and luminous efficacy increase up to 17% and 26% compared with that of the pure MgO film, separately, and lifetime also shows good characteristics.

• 공업화학
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• 제33권6호
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• pp.588-593
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• 2022

MgO 입자 표면에 첨가된 P₂O₅의 가수분해, 발수성, 그리고 절연 거동에 미치는 영향을 조사하였다. MgO 표면에 첨가된 P₂O₅는 가수분해반응 억제와 발수성을 동시에 나타내기 때문에 독특한 절연거동을 나타내었다. 따라서 절연거동은 MgO의 표면수화반응에 의한 Mg(OH)₂와 OH^-전하 전달비와 친수성에 반비례하였다. 시효에 따른 MgO의 절연성은 표면수화반응, 첨가된 도펀트 종의 밴드갭, 그리고 도펀트의 친수성과 소수성에 강한 영향성과 의존성을 나타내었다. 마지막으로 친수성인 MgO의 표면수화반응을 억제하는 전기절연성을 발현하여 열전달매체 응용분야에서 큰 잠재력을 제공하는 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.113-114
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• 2008

Conventional furnace annealing (CFA) for activating Mg-doped p-type GaN films had been performed in pure $N_2$ ambient. All sample activated the same gas ambient. The annealing process change temperature: the first process is performed at $550^{\circ}C$ for 10 min. but, the first process is the same bulk. From second to five process increase activation temperature to change $50^{\circ}C$ and annealing time keeping for 10 min. It is found that the samples characteristic measure hall measurement. Similar results were also evidenced by photoluminescence (PL) measurement.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제6권3호
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• pp.206-208
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• 2000

0.65 mol% MgO-doped LiNbO$_3$single crystals were grown by CZ method. The obtained single crystals were colorless and transparent. Noncritically phase-matched second harmonic generation (SHG) of 532-nm radiation from 1064-nm in MgO-doped LiNbO$_3$has been investigated by using pulsed Nd:YAG laser. The phase-matching temperature was room temperature. SHG conversion efficiencies were typically achieved higher than 50% at the phase-matching temperature with no photorefractive damage in the region of fundamental power density which was used in this experiment. The thermo-birefringence coefficient and the electro-birefringence coefficient of SHG were calculated from the temperature phase-matching profile with the electric field.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제6회(2017년)
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• pp.404-411
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• 2017

이 논문에서는 2차원 화합물 반도체인 Indium Selenide monolayer의 효과적인 도펀트 원소를 탐색해보았다. 총 4가지 종류의 원소를 도핑시켜 계산을 했다. In 자리에 Mg과 Sn을 도핑시켜 각각 p-type과 n-type으로 만들고 Se 자리에 As과 Br을 도핑시켜 각각 p-type과 n-type으로 만들었다. 변화한 성질을 알아보기 위해 전자 구조를 분석하고 band structure와 DOS를 살펴보았다. P-type 같은 경우, Mg doped InSe는 shallow defect level이 생겨 좋은 반도체로 쓰일 수 있지만 As을 도핑한 InSe는 deep defect states가 생겼다. VBM에서 약 0.67 eV만큼 떨어져있는데 이 수치는 실험값과 비슷한 값이다. N-type 경우에는 Sn doped InSe는 deep defect states가 생겼고, CBM 아래로 약 0.08eV만큼 defect가 생긴 것이 실험값과 비슷하다. Br doped InSe는 Sn doped InSe보다 안정적인 n형 반도체가 될 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제29권3호
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• pp.83-90
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• 2019

본 논문에서는 전력 반도체 소자용 Mg-doped AlN 에피층을 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법에 의해 성장하였다. p형 재료로는 Mg을 사용하였다. 소자응용을 위한 기초 기판으로서 역할을 하기 위하여 GaN 에피층이 성장된 기판과 GaN 에피층이 성장되어 패턴이 형성된 사파이어 기판 위에 Mg-doped AlN 에피층을 선택 성장하였다. Mg-doped AlN 에피층의 표면과 결정 구조는 FE-SEM 및 HR-XRD에 의해 조사하였다. XPS 스펙트럼과 라만 스펙트럼 결과로부터 혼합소스 HVPE 방법에 의해 성장된 Mg-doped AlN 에피층은 전력소자 등에 응용이 가능할 것으로 판단된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1683-1685
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• 2003

MgO is making an important role not only as a protective layer but also improves the discharge characteristics at AC PDP. Until now, the substitute of protective layer, MgO has been studied in many ways, but it's too difficult to get a new substitute as stable as MgO. But some problems has been advanced at the discharge characteristics of MgO on high temperature. So we studied the discharge characteristics of impure MgO with $SiO_2$ doped.