• 제목/요약/키워드: Memory improvement

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An Improved Index Structure for the Flash Memory Based F2FS File System

  • Kim, Yong-Seok
    • 한국컴퓨터정보학회논문지
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    • 제27권12호
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    • pp.1-8
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    • 2022
  • F2FS는 SSD(Solid State Drive)를 위한 파일시스템 중의 하나로서 리눅스 운영체제의 커널에 채용되어 널리 사용되고 있다. F2FS는 플래시 메모리의 특성을 반영하여 성능을 높이기 위한 여러 가지 방안들을 적용하였는데, 그 중의 하나가 파일별 데이터 블록들의 주소 정보를 관리하는 인덱스 구조의 개선이다. 본 논문에서는 F2FS의 인덱스 구조를 더욱 개선하여 성능을 높이는 방안을 제시하였다. F2FS는 모든 인덱스 블록들에 대하여 논리적 번호로 기록하고 이것을 물리적 번호로 매핑하는 테이블을 사용한다. 본 논문에서는 인덱스 블록들 중에서 끝단의 블록만 논리적 번호를 적용하고 앞단의 블록들은 물리적 번호를 직접 적용함으로써, 데이터 블록 접근시에 매핑 테이블을 검색하는 회수를 기존의 1~4회에서 1~2회로 줄일 수 있음을 보여주었다.

공간 메인 메모리 DBMS를 위한 효율적인 회복 시스템 (An Efficient Recovery System for Spatial Main Memory DBMS)

  • 김정준;주성완;강홍구;홍동숙;한기준
    • 한국공간정보시스템학회 논문지
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    • 제8권3호
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    • pp.1-14
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    • 2006
  • 최근 실시간 서비스의 요구 사항을 갖는 위치 기반 서비스(Location Based Service : LBS)와 텔레매틱스(Telematics) 서비스를 효율적으로 제공하기 위해서 공간 메인 메모리 DBMS에 대한 관심이 급증하고 있다. 이러한 공간 메인 메모리 DBMS에서는 시스템 장애가 발생하였을 경우 메인 메모리상의 모든 공간 데이타를 잃어버릴 수 있으므로 데이타베이스의 안정성을 위한 회복 시스템은 매우 중요하다. 회복 시스템에서 로그와 체크포인트 수행 과정 중 발생하는 디스크 입출력은 전체 시스템 성능을 저하하는 중요한 요인이 되고 있다. 그러므로, 공간 메인 메모리 DBMS에서 디스크 입출력을 줄일 수 있는 효율적인 회복 시스템에 대한 연구가 절실히 필요하다. 본 논문에서는 공간 메인 메모리 DBMS를 위한 효율적인 회복 시스템에 대해서 연구하였다. 먼저 로그 기법으로는 디스크 입출력을 줄이고 트랜잭션의 동시성 향상을 위해 사전 완료 기법을 사용하였고, 전체 시스템 성능을 향상시키기 위해 기존의 퍼지-핑퐁 체크포인트 기법에서 발생하는 동일 페이지에 대한 중복 디스크 입출력 문제를 해결한 퍼지-쉐도우 체크포인트 기법을 제안하여 회복 시스템 구현 시 사용하였다. 그리고 마지막으로 본 논문에서 개발한 회복 시스템의 성능 평가를 수행하여 효율성을 입증하였다.

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디지털 오디오 프로세서용 전류모드 소자의 성능 개선에 관한 연구 (Performance Improvement of Current-mode Device for Digital Audio Processor)

  • 김성권;조주필;차재상
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제8권5호
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    • pp.35-41
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    • 2008
  • 본 논문은 디지털 오디오 신호처리의 고속 및 저전력 동작을 구현하기 위한 전류모드 신호처리의 고성능 회로에 관하여 설계방안을 제시한다. 디지털 오디오 프로세서는 FFT(fast Fourier transform)와 같은 디지털 연산 동작이 필요하며, FFT 프로세서는 그 설정 포인트에 따라, 전력이 많이 필요하게 되며, 또한 고속 동작의 요구에 따라, 전력의 부담은 증대되고 있다. 따라서, 디지털 오디오 프로세서에 SI(switched current) circuit을 이용하는 analog current-mode 신호처리의 응용이 적용되게 되었다. 그러나 SI circuit을 구성하는 current memory는 clock-feedthrough의 문제점을 갖기 때문에, 전류 전달 특성에 있어서 오차를 발생시킨다. 본 논문에서는 current memory의 문제점인 clock- feedthrough의 해결방안으로 switch MOS에 dummy MOS의 연결을 검토하고, 0.25um process로 제작하기 위하여 switch MOS와 dummy MOS의 width의 관계를 도출하고자 한다. 시뮬레이션 결과, memory MOS의 width가 20um, 입력전류와 바이어스전류의 비가 0.3, switch MOS의 width가 2~5um일 경우에 switch MOS와 dummy MOS의 width는 $W_{M4}=1.95W_{M3}+1.2$의 관계로 정의되고, switch MOS의 width가 5~10um일 경우에 width는 $W_{M4}=0.92W_{M3}+6.3$의 관계로 정의되는 것을 확인하였다. 이 때, 정의된 MOS transistor의 width관계는 memory MOS의 설계에 유용한 지침이 될 것이며, 저전력 고속 동작의 디지털 오디오 프로세서의 적용에 매우 유용할 것으로 기대된다.

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자가 복구 오류 검출 및 정정 회로 적용을 고려한 최적 스크러빙 방안 (An Optimal Scrubbing Scheme for Auto Error Detection & Correction Logic)

  • 류상문
    • 제어로봇시스템학회논문지
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    • 제17권11호
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    • pp.1101-1105
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    • 2011
  • Radiation particles can introduce temporary errors in memory systems. To protect against these errors, so-called soft errors, error detection and correcting codes are used. In addition, scrubbing is applied which is a fundamental technique to avoid the accumulation of soft errors. This paper introduces an optimal scrubbing scheme, which is suitable for a system with auto error detection and correction logic. An auto error detection and correction logic can correct soft errors without CPU's writing operation. The proposed scrubbing scheme leads to maximum reliability by considering both allowable scrubbing load and the periodic accesses to memory by the tasks running in the system.

Characterization of behaviors using electric pulse for phase switching operation of Ge2Sb2Te5 material

  • 이현철;최두진
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.322-322
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    • 2016
  • Phase change memory (PCM) has attracted much attention as one of the most promising candidates for next-generation nonvolatile memory. In that regard, the purposes of the study are to propose reference of effective pulse parameter to control phase switching operation and to invest the effect of nitrogen doped in PCM materials for improved cycling stability and economic energy consumption. Switching operation of PCM is affected by electric pulse parameter and as shown in figure.1 are composed to RT(rising time), ST(setting time), FT(falling time) and the effect of these parameter was precisely investigated. Transmission electron microscope (TEM) was used to confirm fine structure and retention cycle test was conducted to confirm reliability. Finally improvement reliability and economic power consumption in quantitatively are obtainable by optimum pulse parameter and nitrogen doping in GST material. these study is related to the engineering background of other semiconductor industries and it have confirmed to possibility further applications.

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차동식 형상기억합금 액츄에이터의 동작성능향상을 위한 연구 (A study on the Improvement of the Performance of Bidirectional SMA Actuator)

  • 정상화;김현욱
    • 한국공작기계학회:학술대회논문집
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    • 한국공작기계학회 2004년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.155-159
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    • 2004
  • In the recent years, as the research and the development of micro and precision machinery become active, the interest of micro actuators using SMA(Shape Memory Alloy) has been increased. The dydnamic characteristic analysis of SMA is necessary for actuator application and many common researches report the material characteristics of SMA sufficiently. However the research for dynamic characteristics is very deficient. In this paper, the helical suing are fabricated with NiTi SMA wire of high resistivity. The force, response speed, temperature, and displacement are measured by digital force gauge, infrared thermometer, and laser displacement sensor so that the dynamic characteristics of this SMA is analyzed. Also, bidicrectional actuator was fabricated and experimented for its performance.

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Tunnel Barrier Engineering for Non-Volatile Memory

  • Jung, Jong-Wan;Cho, Won-Ju
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제8권1호
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    • pp.32-39
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    • 2008
  • Tunnel oxide of non-volatile memory (NVM) devices would be very difficult to downscale if ten-year data retention were still needed. This requirement limits further improvement of device performance in terms of programming speed and operating voltages. Consequently, for low-power applications with Fowler-Nordheim programming such as NAND, program and erase voltages are essentially sustained at unacceptably high levels. A promising solution for tunnel oxide scaling is tunnel barrier engineering (TBE), which uses multiple dielectric stacks to enhance field-sensitivity. This allows for shorter writing/erasing times and/or lower operating voltages than single $SiO_2$ tunnel oxide without altering the ten-year data retention constraint. In this paper, two approaches for tunnel barrier engineering are compared: the crested barrier and variable oxide thickness. Key results of TBE and its applications for NVM are also addressed.

NiTi 형상기억합금을 이용한 차동식 액츄에이터의 동작성능 향상을 위한 연구 (A study on the Improvement of the Performance of Biodirectional SM Actuator)

  • 정상화;김현욱;차경래;송석;신병수;이경형
    • 한국공작기계학회:학술대회논문집
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    • 한국공작기계학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.346-351
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    • 2003
  • In the recent years, as the research and the development of micro and precision machinery become active, the interest of micro actuators using SMA(Shape Memory Alloy) has been increased. The dynamic characteristic analysis of SMA is necessary for actuator application and many common researches report the material characteristics of SMA sufficiently. However, the research on dynamic characteristics is very deficient. In this paper, the helical spring are fabricated with NiTi SMA wire of high resistivity. The force, response speed, temperature, and displacement are measured by digital force gauge, infrared thermometer, and laser displacement sensor so that the dynamic characteristics of this SMT is analyzed. Also, bidirectional actuator was fabricated and experimented for its performance

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니티놀 형상기억합금의 표면 거칠기 향상 및 미세 버 제거를 위한 마이크로 전해연마의 가공특성 분석 (A Study for Improving Surface Roughness and Micro-deburring Effect of Nitinol Shape Memory Alloy by Electropolishing)

  • 신민정;백승엽;이은상
    • 한국공작기계학회논문집
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    • 제16권6호
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    • pp.49-54
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    • 2007
  • Electropolishing, the anodic dissolution process without contact with tools, is a surface treatment method to make a surface planarization using an electrochemical reaction with low current density. Nitinol is a metal alloy composed of Ni and Ti around 50% respectively which has shape memory effect. Nitinol can be put various applications which require purity and high pricision surface of products. The aim of this study is to investigate the characteristic of electropolishing effect for nitinol workpieces. In order to analyze the characteristics of electropolishing effect, surface roughness and micro-burr size were measured in terms of machining conditions such as current density, machining time and electrode gap. The tendencies about improvement of surface roughness and deburring effect by electropolishing for nitinol workpieces were determined.

드러난 영역 예측을 이용한 초저 비트율 동영상 부호화 (Very Low Bit Rate Video Coding Algorithm Using Uncovered Region Prediction)

  • 정영안;한성현;최종수;정차근
    • 한국통신학회논문지
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    • 제22권4호
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    • pp.771-781
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    • 1997
  • In order to solve the problem of uncovered background region due to the region-due to the region-based motion estimation, this paper presents a new method which generates the uncovered region memory using motion estimation and shows the application of the algorithm for very low bit rate video coding. The proposed algorithm can be briefly described as follows it detects the changed region by using the information of FD(frame difference) and segmentation, and then as for only that region the backward motion estimation without transmission of shape information is done. Therefore, from only motion information the uncovered background region memory is generated and updated. The contents stored in the uncovered background region memory are referred whenever the uncovered region comes into existence. The regions with large prediction error are transformed and coded by using DCT. As results of simulation, the proposed algorithm shows the superior improvement in the subjective and objective image quality due to the remarkable reduction of transmission bits for prediction error.

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