• 한국광학회지
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• 제14권1호
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• pp.1-7
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• 2003

유기발광물질 Alq$_3$ 복소굴절률을 양자역학적 흡수이론인 바탕인 포로히-블루머(Forouhi-Bloomer) 분산식[Phys. Rev. B 34. 7018(1986)]을 이용하여 1.5~6 ev의 영역에서 계산하였다. 분광광도계를 이용하여 측정한 Alq$_3$ 박막의 흡수 스펙트럼에서 흡수 피크의 위치와 폭으로부터 포로히-블루머 분산식의 변수 $A_{i}$ , B$_{i}$, $C_{i}$ 의 초기 근사값을 결정하였다. 기판으로 사용한 비정질실리카(fused silica)의 굴절률은 분광광도계로부터 측정된 투과율과 반사율 스펙트럼으로부터 셀마이어(Sellmeier)분산식을 적용하여 계산하였다. 기판의 굴절률과 분광광토계에서 측정한 Alq$_3$박막의 투과율과 반사율 스펙트럼에 포로히-블루머 분산식을 이용한 비선형 최소자승법 곡선맞춤을 하여 Alq$_3$의 복소굴절률을 계산할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.469-470
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• 2008

We have studied electro-optic characteristics as a function of splay elastic constants ($K_{11}$) in the fringe-field switching (FFS) mode using the LC with positive dielectric anisotropy. When $K_{11}$ is increased from 7.7pN to 11.7pN, a maximum transmittance is slightly increased and rising time become a little bit fast. However, operating voltage and threshold voltage is independent. In opposition to rising time, decay time is not affected by $K_{11}$. We already know that $K_{11}$ affects tilt angle of liquid crystals. Therefore, on the occasion of high $K_{11}$, liquid crystals are mainly affected by twist deformation because the higher $K_{11}$, the less tilt angle. In the FFS device, high $K_{11}$ is favorable to reduce tilt angle in on state and thus improve rising response time.

• 한국안광학회지
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• 제12권1호
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• pp.85-90
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• 2007

안경렌즈의 무반사 코팅물질로 사용되는 황화아연(Zinc Sulphide : ZnS)의 단일박막을 실리콘과 슬라이드 유리 기판위에 스핀코팅방법으로 증착하였다. 박막 증착 후 변입사각분광타원계(VASE : Variable Angle Spectroscopic Ellipsometer)를 사용하여 1.5~5.0 eV 광 에너지 영역에서 타원 각(ellipsometry angle) ${\Delta}$, ${\Psi}$를 측정하였다. 이 측정결과들을 Jellison Modine 분산관계식을 사용하여 최적맞춤하고, 매개변수들을 구하여 박막의 광학상수인 굴절계수 $n({\lambda})$와 소광계수 $k({\lambda})$를 결정하였다.

• 한국재료학회지
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• 제9권7호
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• pp.670-674
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• 1999

탄성계수의 정밀측정은 과학적인 관점과 공학적인 관점 모두 중요하다. 과학적인 관점에서 본다면 탄성계수를 측정함으로써 원자와 원자사이, 이온과 이온 사이의 bending에 관한 해석 및 이해중진의 중요한 도구가 되며 공학적인 측면에서 본다면 공학적인 기계설비에 반드시 고려해야 할 설계기준 중의 하나이다. 본 연구에서는 보다 정확한 탄성계수 측정을 위해 두 가지의 동적 진동실험(음향 공진법과 충격가진 방법)을 비교해 보았으며, 이 두 실험적으로 얻은 공진수파수는 Euler 빔 방정식과 Timoshenko 빔 방정식에 각각 적용하여 그 차이를 비교해 보았다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제25권9호
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• pp.1493-1500
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• 2001

Recently small punch creep testing (or miniature disc bend creep test) has received much attention through European collaborative research projects. This method was considered as a substitute for the conventional creep rupture testing by which the residual creep life is measured from the specimen taken out from serviced components of high temperature plants. It would be beneficial if the material creep properties such as power law creep constants as well as the creep rupture life can be measured from the small punch creep test. In this paper a method of assessing creep constants from the small punch creep testing is proposed. Finite element analyses were performed to investigate evolution of stress and strain rate at the weakest locations of the small punch creep specimen. Elastic-plastic-secondary creep analyses were carried out. The estimation equations for creep constants by the small punch creep testing are proposed based on the finite analysis results. Small punch creep tests were also performed with 9Cr steel and the accuracy of the proposed equation was verified by the experimental results.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권11호
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• pp.1007-1013
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• 1998

In this paper, the dielectric properties of fabricated Polyvinylidene fluoride(PVDF, $PVF_2$) thin film with substrate temperature from 30 to at vapor deposition. The dielectric properties of PVDF thin film had been studied in the frequency range from 10Hz to 4MHz at measuring temperature between 20 and $100^{/circ}C$. The anomalous increasing in dielectric constant and dielectric loss at low frequencies and high temperature was described for PVDF thin film containing ion impurities. In particularly, ion mobility of fabricated PVDF thin film at substrate temperature at $30^{/circ}C$ decrease from $2\times10^{-5}\;to\;3.07$\times10^{-7}cm^2/V.s$ On the other hand, ion density increase abruptly from 1.49\times$$10^{13}$ to $1.5\times$10^{16}$cm^{-3}$ In spite of decreasing of ion mobility, dielectric constants and dielectric loss for PVDF thin film increase rapidly with decreasing frequency and high temperature. It was concluded that the dielectric constants and dielectric loss was related to ion density than to ion mobility at low frequency and high temperatures.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
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• 한국추진공학회 2006년도 제26회 춘계학술대회논문집
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• pp.151-155
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• 2006

Bodner-Partom 점소성 모델을 이용하여 액체로켓 연소기 재생냉각 챔버의 구조해석을 수행하였다. 구조해석에 사용한 점소성 모델의 재료상수를 구하기 위하여 구리합금에 대하여 변형률 속도를 변화시켜 인장시험을 상온 및 고온에서 수행하였다. 점소성 모델의 재료상수는 구리합금의 변형률 속도 시험 데이터로부터 구하여 사용하였으며 점소성 모델의 구현은 상용유한요소 해석 프로그램인 Marc의 사용자 서브루틴을 이용하여 구현하였다. 구조해석 결과 냉각 채널은 압력에 의한 영향보다 열하중에 의하여 대부분의 변형이 발생하며 연소기의 작동조건에서 냉각 채널의 안정성 여부를 확인할 수 있었다.

• 한국추진공학회지
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• 제10권4호
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• pp.69-76
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• 2006

Bodner-Partom 점소성 모델을 이용하여 액체로켓 연소기 재생냉각 챔버의 구조해석을 수행하였다. 구조해석에 사용한 점소성 모델의 재료상수를 구하기 위하여 구리합금에 대하여 변형률 속도를 변화시켜 인장시험을 상온 및 고온에서 수행하였다. 점소성 모델은 상용유한요소 해석 프로그램인 Marc의 사용자 서브루틴을 이용하여 구현하였다. 구조해석 결과 냉각 채널은 압력에 의한 하중보다 열하중에 의하여 대부분의 변형이 발생하며 연소기의 작동조건에서 냉각 채널의 구조적인 안정성 여부를 확인할 수 있었다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제2권1호
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• pp.16-21
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• 2002

On the contrary to the progress of the electronic industry and radio communication technologies, many social problems such as EMI, due to unnecessary electromagnetic(EM) wave are serious with the increased use of EM wave. It is required that the absorbing capability of an EM wave absorber is more than 20 dB, the bandwidth of which is required from 30 MHz to 18 GHz to satisfy the international standard about an anechoic chamber for EMI/EMS measurement$^{[1]}$TEX>. However, the absorbing frequency band of the conventional EM wave absorbers satisfying more than 20 dB is very narrow, for examples, from 30 MHz to 400 MHz in ferrite tile type and from 30 MHz to 870 MHz in ferrite grid type, respectively. In this paper, we proposed and designed a new tripe absorber with broadband characteristics covering the frequency band from 30 MHz to 10 GHz by use of the equivalent material constants method (EMCM)$^{[2]~[4]}$TEX>.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권3호
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• pp.228-233
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• 2010

We studied the optical characteristics correlated with low dielectric constants of low-k SiOCH thin films through ellipsometry. The low-k SiOCH thin films were prepared by CCP-PECVD method using BTMSM(Bis-trimethylsilylmethane) precursors deposited on p-Si wafer. The Si-O-CHx, Si-O-Si, Si-CHx, CHx and Si-H bonding groups were specified by FTIR spectroscopic spectra, and the groups coupled with the nano-porous structural organic/inorganic hybrid-type of SiOCH thin films which has extremely low dielectric constant close to 2.0. The structural groups includes highly dense pore as well as ions in SiOCH thin films affecting to complex refraction characteristics of single layer on the p-Si wafer. The structural complexity originate the complex refractive constants of the films, and resulted the elliptical polarization of the incident linearly polarized light source of Xe-light source in the range from 190 nm to 2100 nm. Phase difference and amplitude ratio between s wave and p wave propagating through SiOCH thin film was studied. After annealing, the amplitude of p wave was reduced more than s wave, and phase difference between p and s wave was also reduced.