In this work, the etch characteristics of $VO_2$ thin films were investigated using inductively coupled plasma (ICP) of $Cl_2/Ar$ gas mixtures. To analyze the plasma characteristics, a quadrupole mass spectrometer (QMS), an optical emission spectroscopy (OES), and a Langmuir probe measuring system were used. The surface reaction of the $VO_2$ thin films was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). It was found that an increase in Ar fraction in the $Cl_2/Ar$ plasma at fixed gas pressure, input power, and bias power resulted in increasing $VO_2$ etch rate which reached a maximum value of 87.6 nm/min at 70-75 % Ar. It was confirmed that the etch rate of the $VO_2$ films was mainly controlled by the ion flux. On the basis of measuring results, we will discuss possible etching mechanism of $VO_2$ film in the $Cl_2/Ar$ plasma.
In this study, we devoted to kinetic measurement of the catalytic oxidation of iron-containing flame soot particles and better understanding the role of catalytic particles on carbon oxidation in particular at low temperature, targeting on autothermal regeneration of diesel particulate filter by diesel exhaust gas. Carbon-based Fe-containing particles generated by spraying ferrocene-doped diesel fuel in an oxy-hydrogen flame are tested and compared with a commercial carbon black powder for thermogravimetric analysis (TGA), secondary ion mass spectrometry (SIMS), Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR), Induced coupled plasma-Atomic emission spectroscopy (ICP-AES), and High-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM). As a result, we found that a small amount of the ferrocene addition led to significant reductions in a on-set temperature and an activation energy of the carbon oxidation as well. An oxygenated surface complex forming at the particle surface could be thought as active species that would be readily consumed in particular at low temperature.
Corrosion of nickel-base alloys (Hastelloy C-276, Inconel 625, and Inconel X-750) in $500^{\circ}C$, 25MPa supercritical water (with 10 wppb oxygen) was investigated to evaluate the suitability of these alloys for use in supercritical water reactors. Oxide scales formed on the samples were characterized by gravimetry, scanning electron microscopy/energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, and X-ray photoelectron spectroscopy. The results indicate that, during the 1000h exposure, a dense spinel oxide layer, mainly consisting of a fine Cr-rich inner layer ($NiCr_{2}O_{4}$) underneath a coarse Fe-rich outer layer ($NiFe_{2}O_{4}$), developed on each alloy. Besides general corrosion, nodular corrosion occurred on alloy 625 possibly resulting from local attack of ${\gamma}$" clusters in the matrix. The mass gains for all alloys were small, while alloy X -750 exhibited the highest oxidation rate, probably due to the absence of Mo.
Liquid Crystal Displays(LCDs) 투명성 전도막으로 사용하는 Indium Tin Oxide (ITO)의 고밀도 식각특성을 조사하였다. 특히 ITO식각의 경우, pixel electrode 전극에서 사용되는 underlayer인 SiO2, Si3N4와의 최적의 선택비를 얻는데 중점을 두고 있다. 따라서 본 실험에서는 Inductively Coupled Plasma(ICP)를 이용하여 source power, gas combination, bias voltage, pressure 및 기판온도에 따른 ITO의 식각 특성과 이의 underlayer인 SiO2, Si3N4와의 선택비를 조사하였다. Ar과 CH4를 주된 식각가스로서 사용하였으며 첨가가스로는 O2와 HBr를 사용하였다. ITO의 식각특성을 이해하기 위하여 Quadruple Mass Spectrometry(QMS), Optical emission spectroscopy(OES) 이용하였으며, 식각된 sample의 잔류물을 조사하기 위하여 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 이용하여 분석하였다. Ar gas에 적정량의 CH4 혼합이 순수한 Ar 가스로 식각한 경우에 비하여 ITO와 SiO2, Si3N4의 선택비가 높았으며, 더 높은 식각 선택비를 얻기 위하여 Ar/CH 분위기에서 첨가가스 O2, HBr을 사용하였다. Source power 및 bias 증가에 따라 ITO의 식각률은 증가하나, underlayer와의 선택비는 감소함을 보였다. 본 실험에서 측정된 ITO의 high 식각률은 약 1500$\AA$/min이며, SiO2, Si3N4와의 high selectivity는 각각 7:1, 12:1로 나타났다. ITO의 etchrate 및 선택비는 source power, bias, pressure, CH 가스첨가에 의존하였지만 기판온도에는 큰 변화가 없음을 관찰하였다. 또한 적정량의 가스조합으로 식각된 시편의 잔류물을 줄일 수 있었다.
Nano-wear and friction of carbon overcoated laser-textured and mechanically-textured computer hard disk were characterised after contact start/stop (CSS) wear test. Various analytical and mechanical testing techniques were employed to study the changes in topography, roughness, chemical elements, mechanical properties and friction characteristics of the coating arising from the contact start/stop wear test These techniques include: the atomic force microscopy (AFM), the continuous nano-indentation test, the nano-scratch test, the time-of-flight secondary ion mass spectroscopy (TOF-SIMS) and the auger electron spectroscopy (AES). It was shown that the surface roughness of the laser-textured (LT) bump and mechanically textured (MT) Bone was reduced approximately am and 7nm, respectively, after the CSS wear test. The elastic modulus and hardness values increased after the CSS test, indicating straining hardening of the top coating layer, A critical load was also identified fer adhesion failure between the magnetic layer and the Ni-P layer, The TOF-SIMS analysis also revealed some reduction in the intensity of C and $C_2$$F_59$, confirming the wear of lubricant elements on the coating surface.
4NH(sub)3+$3O_2$$\longrightarrow$$2N_2$+$6H_2$O 의 화학반응식을 가지며$ O_2$ 및 $H_2$O를 산화제로 하는 $NH_3$/$O_2$산화의 성장모델을 세웠으며, 그 결과 Fick의 제 1 법칙을 기초로 하는 건식 및 습식 산화메카니즘으로 이해되는 Deal-Grove의 산화막 성장모델과 유사한 결과가 도출되었다. 이 성장모델에 의하면 산화제$ O_2$ 및 $H_2$O가 상호보완적으로 산화에 영향을 미치므로 산화온도 뿐 아니라 $NH_3$/O$_2$의 유량비도 산화율을 결정한다. rapid thermal processing(RTP)에 의한 산화막 성장실험으로 본 연구에서 제안하는 성장모델을 확인하였으며, NH$_3$분자의 분해에 의해 발생하는 N 원자의 산화막 내부확산을 secondary ion mass spectroscopy(SIMS)로 확인하였으며, Auger electron spectroscopy (AES) 측정결과 N 원자의 존재는 무시할만한 수준이었다.
Tungsten oxide and nickel oxide thin films were deposited onto ITO(Indium Tin Oxide) transparent glass by the E-beam evaporation and were used as a cathode and an anode for the EC(Electrochromic) smart window, respectively. Stoichiometric structures of the deposited films were investigated by the implementation of XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy) analysis and the results were $WO_{2.42}$ and $NiO_{0.44}$. This oxygen deficincy might affect affect the transparency of the thin films. The electrolyte for the EC smart windows was PAN-$LiCIO_4$ conducting polymer. EC(Ethylene Carbonate)and PC(Propylene Carbonate) were added as plasticizer to enhance ion conductivity. When the weight ratio of the EC : PC was 3 : 1, transmission difference and cycle life performance were tested. Polymer EC windows showed 40% $\Delta$T at 1.5V operating volage for 3,200 cycles. Structural degradation was observed by the SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy) analysis and it was confirmed that structural degradation of polymer caused by the solvent evaporation was the main cause to degrade EC smart windows.
In this paper we presented the detection of the explosive material RDX using a parallel plate waveguide (PPWG) THz time domain spectroscopy (TDS). Normally the explosive materials have been characterized through identification of vibrational fingerprint spectra. Until now, most of all THz spectroscopic measurements have been made using pellet samples where disorder effects contribute to line broadening such that individual resonances merge into relatively broad absorption features. In order to avoid such disadvantages we used the technique of PPWG THz-TDS to achieve sensitive characterization of explosive material RDX. The PPWG THz-TDS used in this work well established ultrafast optoelectronic techniques to generate and detect sub-picosecond THz pulses. The explosive material was analyzed as powder layers in $112{\mu}m$ gap of metal PPWG. The thin later mass was estimated to be about $700{\mu}g$. Finally, we showed spectra of explosives from 0.2 to 2.4 THz measured using PPWG THz-TDS.
The segregation of S in electrotransport-purified polycrystaline $\alpha$-Ti and Ti-aluminide alloys has been studied by Auger electron spectroscopy(AES), Ion scattering spectroscopy(ISS) and Secondary ion mass spectrometry(SIMS) in the temperature range extending from 20 to $1000^{\circ}C$. The chemisorbed oxygen and carbon on Ti were observed to disappear at T>$400^{\circ}C$ after which the S signal increased to levels approaching 0.5 monolayer. At lower temperatures the presence of the surface oxygen and carbon appeared to inhibit the segregation, presumably because there were no available surfaces sites for the S emerging from the bulk. The activation energy for the S segregation in pure polycrystaline Ti was determined to be 16.7 kcal/mol, which, when compared to S segretation from single-crystal Ti, is quite small and suggests grain boundary or defect diffusion segregation kinetics. In the Ti-aluminide alloys, the presence of Al appeared to enhance the retention of surface oxygen which, in turn, substantially reduced the S segretation. The $\gamma$ alloy, with its high Al content, exhibited the greatest retention of surface oxygen and the smallest quantity of the S segregation(T$\simeq1000^{\circ}C$).
In this study, $Y_2$O$_3$ thin films were etched with inductively coupled plasma (ICP). The etch rate of $Y_2$O$_3$, and the selectivity of $Y_2$O$_3$ to YMnO$_3$ were investigated by varying Cl$_2$/(Cl$_2$+Ar) gas mixing ratio. The maximum etch rate of $Y_2$O$_3$, and the selectivity Of $Y_2$O$_3$ to YMnO$_3$ were 302/min, and 2.4 at Cl$_2$/(Cl$_2$+Ar) gas mixing ratio of 0.2 repectively. In x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, $Y_2$O$_3$ thin film was dominantly etched by Ar ion bombardment, and was assisted by chemical reaction of Cl radical. These results were confirmed by secondary ion mass spectroscopy(SIMS) analysis. YCI, and YCl$_3$ existed at 126.03 a.m.u, and 192.3 a.m.u, respectively
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[게시일 2004년 10월 1일]
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