• 한국자기학회지
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• 제2권1호
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• pp.22-28
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• 1992

대향타겟형 스파터기에서 철과 BaO 복합타켓트를 사용한 반응성 스파터링 방법으로 고밀도 수직자기기록용 바륨훼라이트박막을 제조하였다. 표면 열 산화된 규소 웨이퍼를 기판으로 사용한 경우 바륨훼라이트박막의 c축이 기판에 완전히 수직으로 배열하기 위해서는 $750^{\circ}C$의 기판가열이 필요 하였다. 기판가열온도를 낮추기 위하여 ZnO, ${\alpha}-Fe_{2}O_{3}$와 ${\gamma}-Fe_{2}O_{3}$ 씨앗층을 사용한 결과 바륨훼라이트와 같은 육방결정구조이면서 (002)면이 기판에 평행하게 배향된 ZnO 씨앗층을 사용하였을 때 $600^{\circ}C$에서 c축배향이 우수한 바륨훼라이트박막을 성막시킬 수 있었다. 바륨훼라이트의 포화자화값은 295 emu/cc 수직보자력은 1.7kOe 각형비는 0.75 이었다. 복합타켓트를 사용하여 $230\;{\AA}/min$의 피착속도로 바륨훼라이트박막을 피착시킬 수 있었는데 이것은 지금까지 발표된 산화물 타켓트를 사용한 경우보다 5-20배 빠른 것이다.

• 한국자기학회지
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• 제9권6호
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• pp.312-320
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• 1999

RF 마그네트론 스퍼터링으로 제조한 SmCo/Cr 박막의 스퍼터 제조조건에 따르는 자기적 특성에 관하여 연구하였다. Sm 조성이 약 20 at %이고 Cr(50 nm)/SmCo(40 nm, 50W, 20mT)/Cr(150 nm, 100W, 30 mT)인 조건에서 제조한 시편에서 3.2 kOe의 최대 보자력을 얻었다. SmCo/Cr의 보자력은 하지층 표면거칠기와 SmCo의 조성에 크게 영향을 받았다. Cr 하지층의 거칠기는 Ar 분압과 두께가 증가할수록 증가하고 이는 SmCo 입자의 고립을 증가시켜 보자력이 증가된다. 본 SmCo 박막 증착시 사용한 RF 투입전력 및 Ar 분압은 SmCo의 조성을 변화시키며 최적의 조성(약 20 at.%Sm)에서 최대 보자력을 보인다. 또한 RF 파워 증가나 Ar 분압 증가에 의해 생긴 Cr 하지층의 표면거칠기, 치밀하지 않은 주상 계면구조등의 결함이 자구벽 이동을 방해하여 보자력 증가에 영향을 끼친다.

• 한국재료학회지
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• 제9권3호
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• pp.274-281
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• 1999

합금박막형 자기기록매체의 제작방법은 스퍼터링과 무전해 도금방법이 주로 이용되고 있으며, 미국이나 일본 등에서는 스퍼터링 방법에 비하여 대량생산이 용이하고, 도금조건에 따라 다양한 특성의 합금박막을 제조할 수 있는 무전해 도금방법을 이용한 합금자성박막에 대하여 많은 연구를 하고 있지만 국내에서는 이에 관한 연구가 매우 미약한 실정이다. 따라서 이 연구에서는 차아인산이수소나트륨을 환원제로 사용한 무전해 도금법을 이용하여 corning glass 2948 유리기판 위에 Co-Mn-P 도금층은 석출전위에 따라 산성에서 석출되지 않고 알칼리성에서만 환원석출반응에 의해 형성되었으며, 석출속도는 pH와 온도가 증가할수록 상승하여 pH10, 온도 $80^{\circ}C$일 때 가장 우수하였다. 자기적 특성은 pH9, 온도 $70^{\circ}C$일 때 보자력 870Oe, 각형비 0.78로 가장 우수하였으며, 이 때, Co-P 도금층의 인(P)의 함량은 2.54%，두께는 $0.216\mu\textrm{m}$였다. 결정배향은 $\beta$-Co의 Fcc는 발견되지 않았고, $\alpha$-Co의 hcp(1010), (0002), (1011)방향의 결정배향을확인할 수 있었으며, (1010), (1011)방향이 우선 배향한 것으로 보아 수평자기벡터를 형성함을 확인할 수 있었다. 무전해 Co-Mn-P 도금층은 Co-P 도금층에 비해 보자력의 경우 100Oe 정도 증가하였지만, 각형비에 있어서는 큰 변화가 없었고, 결정배향 또는 Co-P 도금층과 마찬가지로 $\alpha$-Co (1010), (1011)방향이 우선 배향하여 수평자기벡터를 형성함을 확인할 수 있었다.2년경에 판매되는 단말기의 80%정도는 멀티모드타입 단말기일 것으로 예측되는 점, 그리고 금년말까지 100개 회사 이상이 SDR 포럼 멤버로 가입할 것으로 예측되는 점, 무선 인터넷 폭발적인 성장으로 복합 멀티미디어 단말기 시대가 다가오는 점 등으로 미루어 볼 때, 고객의 서비스 가치선택에 역점을 둔 기술을 중시해야 한다는 점에서 더욱 설득력을 지닌다. 따라서 이 같은 목적과 3세대 이동통신 및 인터넷 사용자의 증가, 반도체기술의 발전에 힘입어, 과거 군용 시스템에서 이용되던 SWR 기술을 상용시스템 특히 3세대 이동통신에 적용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. '96년 SDR 포럼이 결성되었는데, 목적은 휴대형 장치(hand-held devices), 기지국(base stations), 차량형 장치(mobile stations)를 포함하는 다중모드(multi-mode), 다중대역(multi-band) SDR을 위한 개방형 구조의 표준을 정하기 위함이다. 이 같이 public forum에 의한 표준(open architecture standard)이 정해지면 그 다음은 이를 어떻게 구현할 것인가가 문제가 될 것이다. 본고에서는 먼저 SDR 단말기 요구사항을 살펴보고, 이 요구사항들을 만족하는 SDR 단말기 구조, SDR 계층참조 모델, 그리고 기존의 단말기 구조와 SDR 계층참조 모델의 연관관계에 대해 살펴보고, 크게 두가지 종류의 단말기 즉 사용 SDR 단말기와 군용 SDR 단말기에 대해 살펴보고, 설계 절차 및 현재 시점에서 단말기 구현을 위해 해결해야 하는 기술적 과제를 살펴보고 결론을 언급한다.a^{2+}$ 통로를 자극함으로써 세포바깥의 $Ca^{2+}$이 세포안으로 이동하여 나타나는 변화로 생각된다.축력의 차이로부터 기인한다고

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권12호
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• pp.1032-1038
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• 2000

Ni$_{81}$$Fe_{19}$(200 nm) thin films have been deposited by RF-magnetron sputtering on Si(001) substrates, Atomic force microscopy(AFM), X-ray diffraction(XRD) and magnetoresistance(MR) measurements of the thin films for investigating electromagnetic properties and microstructures were employed. During field annelaing for 1hr, there was no big difference n XRD patterns of Ni$_{81}$$Fe_{19}$ thin films. However, there was a significant change in XRD patterns of Ni$_{81}$$Fe_{19}$ thin films deposited at 40$0^{\circ}C$ during in-situ magnetic field deposition. The degree of surface roughness increased with increasing annealing and deposition temperature. With variation of surface roughness, there was no significant difference in MR Characteristics of Ni$_{18}$ $Fe_{19}$ thin films in 1hr-annealed case. High MR ratio was observed in the case of in-situ field deposited Ni$_{81}$$Fe_{19}$ films. 19/ films.

• 한국자기학회지
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• 제4권2호
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• pp.100-105
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• 1994

대표적인 연자성재료 중의 하나로 알려진 Ni-Fe 합금박막을 고주파 마그네트론 스파터링 장치를 사용하여 제작했다. 박막두께가 Ni-Fe 합금박막의 특성에 미치는 영향을 고찰하기 위하여, 스파터링 시간을 변화시켜 주면서 제작된 시료에 대해 강자성 공명 실험에서 얻은 미분형 공명흡 수곡선을 분석하여, 유효자화 $M_{eff}$, 교환상수(exchange stiffness constant) A, 그리고 분 광학적 분리인자 g를 구했다. 모든 시료에 대해 유효자화는 거의 일정한 값을 보였으나, 교환상수 는 시료의 두께가 증가함에 따라 비교적 큰 증가폭을 나타냈다. 분광학적 분리인자는 시료의 두께 가 증가함에 따라 약간 증가하는 경향성을 보였는데, 이는 스핀자기모멘트에 대한 궤도자기모멘트 의 상대적인 기여가 증가했기 때문인 것으로 생각된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1996년도 제10회 학술발표회 논문개요집
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• pp.102-102
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• 1996

This paper represents a new type low power High Frequency technological ion source (HF TIS) for ion - beam processing: the surface modification of materials, cleaning of surface, sputtering, coating of thin films, and polishing. The operational principle of HF TIS is based on the excitation of electrostatic waves in plasma located in the external magnetic field. Low power HF TIS with diameter 92 rom gives the opportunity to obtain beams of inert and chemically reactive gases with currents range from 5 to 150 mA (current density $0.015\;~\;3.5\;mA/\textrm{m}^2$) and ion beam energy 100 ~ 2500 eV at a HF power level 10 ~ 150 W. Three grid concave type ion optical system (IOS) is used for extraction and formation ofion beam.n beam.

• Journal of Magnetics
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• 제3권1호
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• pp.31-35
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• 1998

Metal/cobalt ferrite composite thin films with the saturation magnetization (M_s$)of~580 emu/cm3 and the coercivity(Hc) of 1700 Oe were prepared by the reactive sputtering. With increasing substrate temperature, Ms of the thin films increased, while Hc of the thin films decrease. This sttributed to the precipitation of $Co_xFe_{1-x}(x {\appro}x0.62)$ metal phase in the thin films. The metal phase showed the BCC structure ($a_0$=2.89 $\AA$) and Im3m space group. Also, the cobalt ferrite phase was identified as$ CoFe_2O_4$ with a cubic structure ($a_0=8.39 $\AA$$) and a space group of Fd3m. For the higher cobalt content than the stoichiometric composition,$ Co_{37.8}Fe_{62.2}$, the thin films with high Ms and Hc could be obtained in the wide substrate temperature range (200-40$0^{\circ}C$).

• Journal of Magnetics
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• 제8권2호
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• pp.89-92
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• 2003

The tunneling magnetoresistance (TMR) of a ramp-edge type junction with SrTiO$_3$barrier layer has been stud-ied. The samples with a structure of glass/NiO(600${\AA}$)/Co(100${\AA}$)/SrTiO$_3$(400 ${\AA}$)/SrTiO$_3$(20-100${\AA}$)/NiFe(100${\AA}$) were prepared by the sputtering and etched by the electron cyclotron (ECR) argon ion milling. Nonlinear I-V characteristics were obtained from a ramp-type tunneling junctions, having the dominant difference between two different external magnetic fields (${\pm}$100 Oe) perpendicular to the junction edge line. In the SrTiO$_3$ barrier thickness of 40${\AA}$, the TMR was 52.7% at a bias voltage of -50 mV The bias voltage dependence of resistance and TMR in a ramp-type tunneling junction was similar with those of the layered TMR junction.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2005년도 동계학술연구발표회 및 2차 아시안포럼
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• pp.154-155
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• 2005

Multi-layer film of $MgO/(FePt-B)_{50nm}/ MgO$ was deposited on Si(100) substrates by RF magnetron sputtering. The boron chips were uniformly placed oil tile FePt target. The boron content of thin film was found to be about 5, 10, 15, 25 and $33 at\%$ by using a CAMECA SX-51 wavelength dispersive spectroscopy (WDX). It is observed that X-ray diffraction patterns of FePt-B film by post-annealing exhibited a transformation from disordered fcc structure to ordered $Ll_0$ phase with fct structure from around $400^{\circ}C$. By adding B, annealing temperature for ordering is about $200^{\circ}C$ lower than that of pure FePt. This remarkable decrease of the annealing temperature is closely related to the high diffusivities of Fe and Pt associated with the defects caused by movements of B atoms. The maximum coercivity(Hc) for FePt films was found to be ${\~}$13 kOe after annealing at $600^{\circ}C$ for 1hr.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.355-358
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• 2000

Magnetoresistance changes of NiFe thin films were investigated as a function of deposition temperature. DC magnetron sputtering was employed to fabricate Ta/NiFe(t)/Ta thin films on Si(001) substrates with in-situ field or with no-field. The thickness(t) of NiFe films was a range of 4 to 15nm. Substrate temperature was a range of 30 to 400$^{\circ}C$. MR measurement was carried out as a function of angle $\theta$, between external field and current direction. MR ratio increased with increasing substrate temperature, also, max. MR ratio was observed in samples deposited at 300$^{\circ}C$. With increasing upto 400$^{\circ}C$, MR ratio was rapidly decreased in the case of thinner NiFe films. In non-field deposited NiFe films, both angle $\theta$=0, 90。, there was no significant change in MR curves. However, MR curves of in-situ field deposited NiFe films were different in both angles $\theta$=0 and 90。