• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제4권3호
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• pp.209-216
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• 2011

최근 시스템 온 칩 내 메모리의 고속 동작을 위해 TCM (Tightly Coupled Memory)를 내장한 설계가 크게 증가하고 있다. 본 논문에서는 시스템 온칩 내 eDRAM을 사용한 TCM 메모리를 위한 새로운 병열 메모리 테스트 구조를 제안한다. 제안하는 기법에서 피테스트 메모리가 테스트 모드에서 병렬 구조로 바뀌고 바운더리 스캔 체인과 함께 내장 메모리의 테스트용이도가 크게 향상된다. 병렬테스트 방식의 메모리는 각 메모리 요소들이 특정한 기능을 수행하도록 구조화되어 있으므로 모듈들로 분할하여 테스트 할 수 있으며 입출력 데이터를 기반으로 동적 테스트 평가 가능하다. 시뮬레이션을 통하여 제안한 기법의 타당성을 검증하였다.