• 제목/요약/키워드: MO-SiO$_2$

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졸겔법으로 제조된 MO-$SiO_2$(M=Zn,Sn,In,Ag,Ni)의 구조특성 (Structural Properties of MO-SiO$_2$(M=Zn, Sn, In, Ag, Ni) by Sol-Gel Method)

  • 신용욱;김상우
    • 한국재료학회지
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    • 제11권7호
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    • pp.603-608
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    • 2001
  • 졸겔법에 의해 제조된$ MO-SiO_2$(M=Zn, Sn, In, Ag, Ni)이성분계 실리카 겔에서 금속이온의 종류에 따른 실리카 구조의 변화를 XRD, FT-lR, $^{29}$Si-NMR로 분석하였다. XRD peak을 관찰한 결과 $Ag-SiO_2$겔에서 $AgNO_3$의 부분적인 재결정화가 나타났지만, 첨가된 금속이온과 실리카 매트릭스의 결합에 의한 결정상은 관찰되지 않았다. FT-IR 분석결과 첨가되는 금속이온 중 Zn, Sn, In은 부분적으로 Si-O-M의 결합형태를 이루어 Si-O-Si 대칭 진동에 의한 흡수 peak의 위치를 변화시켰다. $^{29}$Si-NMR 관찰에 의해 Zn, Sn, In등의 금속이온은 실리카의 저온 졸겔 반응에 영향을 미치지 않고 불완전한 네트워크를 갖는 선형적 실리카 구조 내에서 비가교 산소와 결합하며 존재하였다. Ag, Ni는 실리카 네트워크가 형성되는 과정에서 실리카 형성을 위한 졸겔반응의 촉매로서 작용하여, 이러한 금속이온이 첨가된 실리카 네트워크는 보다 치밀한 구조적 특성을 나타내었다.

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SHS 공정으로 제조된 MoxW1-xSi2 발열체의 가속수명시험과 고장분석 (Failure Analysis and Accelerated Life Test of MoxW1-xSi2 Haters Fabricated by SHS process)

  • 이동원;이상헌;김용남;이희수;이성철;구상모;오종민
    • 전기전자학회논문지
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    • 제21권3호
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    • pp.252-255
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    • 2017
  • 고온자전합성과 후열처리 공정으로 $Mo_xW_{1-x}Si_2$ 발열체를 제조하였다. $Mo_xW_{1-x}Si_2$ 발열체의 신뢰성을 검증하기 위해 가속수명시험을 수행하였으며, 수명시간을 Minitab 프로그램으로 추정하였다. 또한, 가속수명시험 후의 $Mo_xW_{1-x}Si_2$ 발열체의 고장분석을 전기적과 구조적 특성으로부터 수행하였다. 그 결과, $Mo_xW_{1-x}Si_2$ 발열체의 지배적인 고장 유형은 발열체 내부의 크랙 형성과 $SiO_2$ 보호층의 박리임을 확인하였다.

The Oxidation of Polymethylsiloxane/MoSi$_2$/SiC/Si-Derived Ceramic Composite Coatings

  • Moon, Jae-Jin;Lee, Dong-Bok;Kim, Deug-Joong
    • 한국표면공학회지
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    • 제36권1호
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    • pp.85-88
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    • 2003
  • By utilization of preceramic polymer of polymethylsiloxane (PMS), a $MoSi_2$SiOC/SiC ceramic composite was fabricated. The prepared composite displayed superior high temperature oxidation resistance by forming $SiO_2$ on the surface. The thin $SiO_2$ layer had some surface cracks, but they had not adversely deteriorated the oxidation resistance. The composite fabrication method employed in this study can be applied to protect any possible substrate material from aggressive oxidative attack, if the composite were coated on the substrate material.

Transient Isomers of the Undecatungstomolybdo(V)phosphate and -silicate Anions

  • Cho, Yung-Whan;So, Hyun-Soo
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제5권2호
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    • pp.65-68
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    • 1984
  • Reactions of $MoOCl_5^{2-}$ with $[PW_{11}O_{39}]^{7-}\;and\;[SiW_{11}O_{39}]^{8-}$ have been studied spectrophotometrically and several transient complexes have been discovered. Transient species initially formed are probably $[Mo_2O_4(PW_{11}O_{39})_2]^{12-}\;and\;[Mo_2O_4(SiW_{11}O_{39})_2]^{14-}$. Spectra change gradually, indicating formation of transient isomers of $[PMoW_{11}O_{40}]^{4-}\;and\;[SiMoW_{11}O_{40}]^{5-}$, which again transform into the stable isomers. The transient isomers absorb light much more strongly than the stable isomers in the visible range.

초고온용 발열체 (Mo1-xWx)Si2의 산화거동에 대한 연구 (Oxidation behavior of (Mo1-xWx)Si2 high-temperature heating elements)

  • 이성철;명재하;김용남;전민석;이동원;오종민;김배연
    • 한국결정성장학회지
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    • 제30권5호
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    • pp.200-207
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    • 2020
  • SHS 법으로 MoSi2 분말, (Mo1/2W1/2)Si2 분말 및 WSi2 분말을 합성하고 이 분말들을 500℃, 1,000℃, 1,200℃, 1,300℃, 1,400℃, 1,500℃ 및 1,600℃에서 열처리한 다음, 결정구조 및 열중량 변화 등을 관찰하였다. Mo-W-Si계의 silicide 분말은 500℃의 저온에서도 산화 반응이 일어나며, 저온 산화 및 분해로 생성되는 결정상은 MoO3이었다. 1,200℃ 이상에서 열처리를 한 경우에 분해반응으로 생성된 SiO2의 결정상은 상온에서 흔히 관찰되는 α-quartz가 아닌 α-cristobalite 상으로 생성되었다. W이 포함되면 저온과 고온에서 분해 반응이 더 많이 일어나는 것으로 나타났으며, 분말을 성형하여 소결한 시편의 경우에 MoSi2와 (Mo1/2W1/2)Si2는 저온이나 고온에서 1시간 열처리를 하더라도 저온산화에 의한 분해와 그에 따른 질량 변화 반응을 관찰하기 어려웠지만 WSi2는 저온 산화에 의하여 소결 자체가 어려웠다.

Study on Oxidation Behavior of (W,Mo)$Si_2$ Powders in Air at 400, 500 and $600^{\circ}C$

  • Peizhong, Feng;Xuanhui, Qu;Xiaohong, Wang;Farid, Akhtar
    • 한국분말야금학회:학술대회논문집
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    • 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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    • pp.1149-1150
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    • 2006
  • The oxidation of (W,Mo)$Si_2$ powders has been investigated at 400, 500 and $600^{\circ}C$ for 12.0 hours in air. It was shown that the low temperature oxidation resistance of (W,Mo)$Si_2$ was worse than that of $MoSi_2$, and they showed great changes in mass, volume and colour. Especialy at $500^{\circ}C$, the amount of volume expansion of (W,Mo)$Si_2$ was as high as about $7\sim8$ times and color changed from black to yellow after 4.0h with $MoO_3$, $WO_3$, (W,Mo)$O_3$ and amorphous $SiO_2$ as main reaction products. The mass gain and oxidation rate were relatively slower at $400^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$ than that at $500^{\circ}C$.

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전구체의 pH와 소성 온도가 실리카에 담지된 몰리브드늄 활성종에 미치는 영향 (The Effect of Precursor pH and Calcination Temperature on the Molybdenum Species over Silica Surface)

  • 하진욱
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제5권6호
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    • pp.558-561
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    • 2004
  • 암모늄헵타몰리브데이트(ammonium heptamolybdate, AHM)를 전구체로 제조한 실리카 담지 몰리브드늄$(MoO_{3}/SiO_{2})$ 촉매의 구조적 특성을 x-ray 회절기(XRD)를 사용하여 자세히 고찰하였다. 몰리브드늄의 표면담지량은 0.2부터 4.0 atoms $Mo/nm^{2}$로 변화하였으며, 담지촉매의 소성온도는 $300\~500^{\circ}C$로 변화하여 열역학적으로 형성 가능한 모든 몰리브드늄산화물의 구조를 고찰하였다. 담지량이 큰 경우(4 atoms $Mo/nm^{2}$), $300^{\circ}C$소성에서는 뭉쳐있거나 잘 분산된 hexagonal 형태의 결정체가 형성되었으며, $500^{\circ}C$로 소성온도를 증가하면 뭉친 orthorhombic 형태의 $MoO_{3}$ 결정체가 형성되었다. 뭉친 orthorhombic 형태의 결정체는 담지량이 1.1 atom $Mo/nm^{2}$이상이 되면 형성된 반면 잘 분산된 hexagonal 형태의 결정체는 가장 큰 표면 담지량 4.0 atoms $Mo/nm^{2}$에서도 고찰하기가 어려웠다. 이러한 hexagonal 결정체의 담체 표면에서의 높은 분산은 암모니아로 인한 몰리브드늄 산화물($MoO_{3}$)과 실리카($SiO_{2}$) 담체 사이의 강한 표면작용에 기인한 것으로 생각된다.

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Mo/SiO2/Si(100)기판 위에 MOCVD법으로 성장시킨 AIN박막이용 GHz대역의 FBAR제작에 관한 연구 (Fabrication of GHz-Band FBAR with AIN Film on Mo/SiO2/Si(100) Using MOCVD)

  • 양충모;김성권;차재상;박구만
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제20권4호
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    • pp.7-11
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    • 2006
  • 본 논문에서는 $Mo/SiO_2/Si(100)$ 기판 위에 MOCVD(Metal-Organic-Chemical-Vapor Deposition)법을 이용하여 C축 방향으로 성장시킨 AIN(Aluminum Nitride) 박막을 이용하여 GHz대역 무선 통신에서 사용할 수 있는 FBAR(Film-Bulk-Acoustic Resonator)을 제작하였다. 제작된 공진부의 공진주파수와 반공진주파수는 각각 3.189[GHz]와 3.224[GHz]으로 측정되었으며, Q값(Quality Factor)과 유효한 전기기계 결합계수(${k_{eff}}^2$)는 각각 24.7과 2.65[%]로 평가되었다. AIN의 증착(Deposition) 조건은 $950[^{\circ}C]$의 기판표면(Substrate) 온도, 20Torr의 압력, 25000의 N/Al의 V/III비로 증착하였다. $4{\times}10^{-5}[\Omega{cm}]$의 Mo 하부전극 고유저항과 $Mo/SiO_2/Si(100)$ 기판 위에 AIN(0002) FWHM(Full-Width at Half-Maximum) 4를 갖는 C축 방향성의 AIN 박막을 성공적으로 성장시켰다. 따라서 증착된 AIN박막의 FWHM값은 GHz대역 무선 통신용 RF(Radio Frequency) 밴드 패스 필터 설계에 유용하게 사용될 것이다.

다공질유리의 이온교환성에 미치는 알루미나의 영향 (Effect of Alumina on the Ion-Exchange Capacity of Porous Glasses)

  • 김병호;이덕열;김성길
    • 한국세라믹학회지
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    • 제25권3호
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    • pp.251-260
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    • 1988
  • $10Li_2O$.$(90-x)B_2O_3$.$xSiO_2$ 기초유리에 $Al_2O_3$ 또는 $MoO_3$를 첨가한 유리를 열처리한 후 열수 또는 산처리하여 이온교환성 다공질 유리를 제조하였다. 그리고 $Al_2O_3$ 또는 $MoO_3$ 첨가가 분상과 양이온교환능(CEC)에 미치는 영향을 조사하였다. 이들 유리의 분상최적조건은 48$0^{\circ}C$, 10시간 열처리하였다. 분상은 $Al_2O_3$ 10mol%까지는 급격히 억제되고 그 이후에는 분상억제 효과가 완화되었다. 양이온교환능의 최대값은 $1OLi_2O$.$45B_2O_3$.$45SiO_2+7.5Al_2O_3$ 조성유리를 열수처리한 다공질유리에서 약 252meq/100g을 나타냈으며 이 유리의 세공평균반경은 약 16.3A이었다. $MoO_3$ 첨가는 분상과 용출속도를 증가시켰다. $MoO_3$첨가에 의해 다공질유리의 세공반경과 세공용적이 크게 증가하는 것으로 보아 $MoO_3$는 유리의 붕산염상중의 실리카 농도를 낮추고 용출처리중 실리카를 수용성 착체로 형성시키는 효과가 있다고 생각된다.

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Interaction of Oxygen and $CH_4$ with Molybdenum Oxide Catalysts

  • Kim, C. M.
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제18권10호
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    • pp.1082-1085
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    • 1997
  • The Near-Edge X-ray Absorption Fine Structure (NEXAFS) technique and Differential Scanning Calorimetry (DSC) were utilized to investigate the reaction of CH4 and O2 on the MoO3/SiO2 catalyst. The NEXAFS results showed that the stoichiometry of the molybdenum oxide catalyst supported on silica was MoO3. MoO3 was reduced to MoO2 when the catalyst was exposed to CH4 at 773 K. NEXAFS results confirm that lattice oxygen is directly related to the process of CH4 oxidation which takes place on the surface of MoO3/SiO2 catalysts. DSC results show that the structure of MoO3 changes around 573 K and this structural change seems to improve the migration of oxygen in the lattice.