• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제10권1호
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• pp.59-69
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• 1999

반응성 스퍼터링법으로 AIN 박막을 증착하여 Al/AlN/Si구조의 MIS소자용 절연박막으로서의 응용가능성에 대해 연구하였다. 기판온도 $300^{\circ}C$, RF power 150W, 스퍼터링 압력 5mTorr, 아르곤과 질소 가스유량비 1:1 의 조건에서 5%의 수소가스를 부가적으로 첨가해 주는 시기에 따른 AIN박막의 표면형상변화, I-V특성, C-V특성, 조성을 조사하였다. 수소첨가에 따라 증착속도는 상당히 감소하였으나 표면형상 및 거칠기는 크게 변하지 않았다. I-V특성에서는 AIN 박막 증착시 초기 20분간 수소첨가를 시킨 경우가 후기 20분간 수소첨가를 시킨 경우보다 보다 우수한 절연특성을 보였다. 또한 C-V특성에서도 수소가 첨가됨에 따라 플랫밴드전압이 매우 낮아졌으며, 초기 20분간 수소첨가를 시킨 경우는 히스테리시스를 거의 보이지 않았으나, 후기 20분간 수소첨가를 시킨 경우는 상당한 히스테리시스를 보였다. AES를 이용한 조성분석을 통해 수소가스가 첨가됨에 따라 AIN박막내의 산소농도가 낮아진다는 사설을 발견하였고, 이에 따라 박막의 절연특성 및 C-V특성이 향상될 수 있는 가능성을 보였다.

• 한국제4기학회지
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• 제18권1호통권22호
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• pp.21-30
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• 2004

일광단층은 NNE-SSW 방향으로 한반도 남동부의 울산에서 부산 해운대까지 연장되며 그 길이는 40 Km이다. 본 연구는 신고리 원자력발전소 1,2호기 건설과 관련된 일관단층석의 제4기 활동 여부를 판단하기 위해서, 지형면 분류와 트렌치 조사로 일광단층의 활동시기를 추정한 것이다. 일광역 부근의 해안에서 산록까지는 모래해안 및 충적면, 10m 해성단구면(MIS 5a), 20 m 해상단면(MIS 5e), 45m 해성단구면(MIS 7 or 9)의 변형면, 소기복침식면의 5개 지형면으로 분류된다. 일광단층선을 경계로 기반침식면은 해안 쪽에 분포하는데도 불구하고 내률 쪽의 45m 해성구면의 변형면 보다 비고가 10m 이상 높다. 그러나 동일한 단층선이 지나고 있는 20m 해성단구면은 변위를 나타내지 않는다. 10m 해성단구면과 20 m 해성단구면이 직선적으로 접하는 지대를 트렌치 조사하였으나 단층선이나 퇴적층의 변위를 관찰할 수 없어, 이 지대는 10m 해성단구면의 옛 해안선[구정선(구汀線)]으로 추정한다. 이에 45m 해성단구면 형성기의 고지리(古地理)로는 소기복침식면은 당시의 해수면 보다 높은 '섬' 이였을 것이며, 일광단층은 이천리층 형성 이후-45m 해성단구면 형성기(22만년 내지 32만년 전) 이전에 이루어졌을 것으로 판단한다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권5호
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• pp.463-469
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• 1996

The double insulating layer consisting of anodic oxide and ZnS was formed for HgCdTe metal insulator semiconductor(MIS) structure. ZnS was evaporated on the anodic oxide grown in H$_{2}$O$_{2}$ electrolyte. Recently, this insulating mechanism for HgCdTe MIS has been deeply studied for improving HgCdTe surface passivation. It was found through TEM observation that an interface layer is formed between ZnS and anodic oxide layers for the first time in the study of this area. EDS analysis of chemical compositions using by electron beam of 20.angs. in diameter and XPS depth composition profile indicated strongly that the new interface is composed of ZnO. Also TEM high resolution image showed that the structure of oxide layer has been changed from the amorphous state to the microsrystalline structure of 100.angs. in diameter after the evaporation of ZnS. The double insulating layer with the resistivity of 10$^{10}$ .ohm.cm was estimated to be proper insulating layer of HgCdTe MIS device. The optical reflectance of about 7% in the region of 5.mu.m showed anti-reflection effect of the insulating layer. The measured C-V curve showed the large shoft of flat band voltage due to the high density of fixed oxide charges about 1.2*10$^{12}$ /cm$^{2}$. The oxygen vacancies and possible cationic state of Zn in the anodic oxide layer are estimated to cause this high density of fixed oxide charges.

• Journal of the Korean Data and Information Science Society
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• 제26권5호
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• pp.1167-1173
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• 2015

정보통신기술의 발전은 SNS, 블로그, 게시판 등 자신의 생각이나 의견을 표출할 수 있는 장소의 다양성을 제공하였고 이는 빅데이터 성장을 가능케 하였다. 특히 매순간마다 엄청난 수의 사용자가 이용가능하고 다양한 이슈에 대한 의견을 작성할 수 있는 SNS의 특징으로 인해 많은 사람들이 트위터 등에 사회적 이슈에 대한 자신의 의견을 드러낸다. 따라서 본 연구에서는 트위터에서 작성되는 사회 이슈에 대한 의견을 수집하여 사회이슈를 주제로 하는 감성사전을 구축하고 구축된 감성사전을 통해 감성 분석을 실시하고자 한다. 사용된 데이터는 '비키니', '나꼼수'를 포함하는 트윗 글이다. 사회이슈에 특화된 주제지향 감성사전을 구축하고 구축된 감성사전을 통해 긍부정 의견을 분석한 결과 Precision은 61%로 나타났으며 F1-score는 74%의 성능을 보여주었다. 본 연구는 정치적 색을 띄고 있는 특정 사회 이슈에 대한 트윗 작성자의 의견이 긍정인지 부정인지 자동으로 분류할 수 있도록 하는 사전 구축의 하나의 기준을 제시할 것이라 기대한다.

• Journal of the Korean Data and Information Science Society
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• 제26권5호
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• pp.1097-1104
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• 2015

급격한 사회 경제적인 성장은 긍정적인 결과를 가져왔지만 동시에 꾸준히 증가하는 범죄로 인하여 안전한 귀가에 대한 관심이 증가하였다. 범죄 동향 및 범죄 유형을 분석하고 이를 토대로 시민들의 안전을 보장하기 위한 연구가 진행되고 있다. 범죄 예방을 위한 대안이 큰 효과를 발휘하기 위해서 범죄위험도 산출에 대한 연구가 필요하다. 따라서 본 논문은 샌프란시스코 주정부에서 제공하는 범죄 데이터와 FBI (Federal Bureau of Investigation)의 피해자 데이터를 사용하여 범죄 위험도 계산식을 제안하고자 한다. 남자, 여자, 노인, 미성년자 등의 사용자 유형별로 범죄 유형을 분석하여 사용자에 따라 다른 가중치를 부여하고, 범죄 위험도를 계산하였다. 최종적으로 계산된 범죄 위험도에 따라 사용자 유형별로 다른 경로를 제안하게 된다.

• 드라이브 ㆍ 컨트롤
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• 제21권2호
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• pp.30-35
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• 2024

Domestic rice is more expensive than imported products, so it is necessary to reduce production costs to secure competitiveness. Low-density planting developed in Japan is a cultivation technology that reduces labor and production costs without yield loss. The area of low-density cultivation is continuously increasing. However, research on how rice transplanters adapt to low-density planting has not been conducted. Therefore, this study was carried out to determine the optimal working conditions of a rice transplanter for low-density planting. Three types of rice transplanters were used and treated based on 3 conveying distance levels. The number of picked seedlings, pick missing rate, the number of planted seedlings, and the mis-planted rate were investigated to evaluate planting accuracy according to the transfer distance to the seedling tray. The results showed that the number of planted seedlings was 4.31~4.95 EA with an L1 seedling tray transfer distance (horizontal 9 mm, vertical 8 mm), but the mis-planted rate was higher than in other conditions. At L2 (horizontal 9 mm, vertical 10 mm) and L3 (horizontal 11 mm, vertical 8 mm) transfer distance conditions, the number of planted seedlings were 4.89-5.68 EA and 4.69-5.66 EA, respectively, with a low mis-planted rate of less than 3%. The results showed that if the transfer distance is adjusted properly, a rice transplanter can be used for low-density planting with high planting accuracy.

• 한국항해항만학회:학술대회논문집
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• 한국항해항만학회 2000년도 춘계학술대회논문집
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• pp.33-43
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• 2000

In order to streamline the procedure of data transmission in port and logistics industries, MOMAF introduced EDI systems as the method of data transmission of 19 documents 5 years ago. While operating EDI system, MOMAF has found the inconvenience and the inefficiency of using EDI systems in the field of requesting fast response. This thesis focuses on finding the possible fields of on-line processing system instead of EDI system and suggests the economic effects occurred by the on-line processing system. The result of the paper presents that if data transmission area such as 'ocean vessel entrance report', 'application for using tug boat'and 'application for pilot'is changed to on-line processing method, the processing cost and time will be reduced compared with EDI processing method.

• 한국진공학회지
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• 제5권3호
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• pp.223-228
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• 1996

$SiO_2$ insulator layers on InSb have been prepared by remote PECVD system a low temperature below $200^{\circ}C$. The effects of deposition pressure, temperature, and gas flow ratio on the physical and electrical characteristics of the $SiO_2$ were studied. The InSb MIS device using $SiO_2$ was fabricated and measured its current-voltage and capacitance-voltage characteritance-voltage charateristics at 77K. The films evaluated Auger electron spectroscopy showed that composition atoms were distributed uniformaly throughout the oxide film and the outdiffusion of substrate atoms into the oxide were few. The leakage current density of the MIS device was about 6.26nA/$\textrm{cm}^2$ at 0.75MV/cm , and the breakdown voltage was about 1MV/cm. The interface-stage density at mid-bandgap extracted from 1MHz C-V measurement was $54\times 10^{11}\textrm{cm}^2-2V^{-1}$.

• 전기학회논문지
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• 제56권4호
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• pp.751-755
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• 2007

We have studied the variable conditions of reactive sputtering to prepare AM thin film. The leakage current showed below $10^{-9}A/cm^2$ at the deposition temperature of $250^{\circ}C\;and\;300^{\circ}C$ in the field of 0.1 MV/cm, and it was gradually increased and to be saturated in 0.2 MV/cm. The C-V characteristics of the above mentioned deposition temperature conditions showed a deep depletion phenomenon at inversion region. The C-V characteristics showed similarly under the DC power conditions of 100 and 150 W but were degraded at 200W. When the DC power was 100, 200, and 300 W the dielectric breakdown phenomenon was shown in 2.8, 3.2 and 5.2 MV/cm, respectively. It was found that AIN film was dominated by Poole-Frenkel conduction mechanism.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권5호
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• pp.709-715
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• 1990

SiO2 films were nitrided by tungsten-halogen heated rapid thermal annealing in ammonia gas at temperatures of 900-1100\ulcorner for 15-180sec. The nitroxide films were analyzed using Auger electron spectroscopy. MIS caapcitors were fabricated using these films as gate insulators. I-V and C-V characteristics of MIS capacitors were investigated. The AES depth profiles of nitroxide film show that the nitrogen rich layer is, at the early stage of nitridation, formed at the surface of nitroxide film and near the interface between nitroxide and silicon. Nitridation of SiO2 makes the film have a larger effective average refractive index. The thermal nitridation of SiO2 on silicon causes the flatband voltage shift due to the change of the fixed charge density. It is found that the dominant conduction mechanism in nitroxide is Fowler-Nordheim tunneling. Rapid thermal nitridation of 200\ulcornerSiO2 on silicon results in an improvement in the dielectric breakdown electric field.