• 제목/요약/키워드: MIM Interfaces

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전극금속재질에 따른 XLPE Film의 전기전도특성 (Electrical Conduction Characteristics of XLPE Film According to Electrode Metals)

  • 이홍규;박영국;신태수;임기조;김용주
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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    • pp.1419-1421
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    • 1998
  • Many kind of factors have influence on the electrical properties of polymer such as mechanical stress, impurity, additives, chemical blend, interfacial phenomena and so on. In this study, we lay emphasis on interfacial phenomena which is important part in insulating design of power cable. The electrical conduction characteristics of XLPE film are investigated as a function of different electrode materials in MIM Interfaces.

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이종금속전극이 증착된 XLPE필름의 전기전도 특성 (Electrical Conduction Characteristics of XLPE Film evaporated Different Metal Electrode)

  • 이흥규;이운영;임기조;김용주
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제48권8호
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    • pp.557-562
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    • 1999
  • Electrical conduction characteristics of XLPE film evaporated with different metal electrode are discussed. The relation between electrical current(I) and Voltage(V) in the M(metal)-I(XLPE)-M(metal) structure are measured in the temperature range from 25$[^{\circ}C]$ to 90[$[^{\circ}C]$ . Several kinds of metals are used as electrode, such as, Al, Ag and Cu.From the experimental results, it is conclused that the conduction mechanism at highelectric field is SCLC. The dependences of temperature and kinds of metal on the trap filled electric field level can be well explained by this theory.

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DAML 구조를 이용한 새로운 형태의 SIR대역 통과 여파기의 설계 및 제작 (Studies on Fabrication of Novel Micromachined SIR. Bandpass Filter Using DAMLs)

  • 백태종;고백석;김성찬;임병옥;안단;김순구;신동훈;이진구
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제16권7호
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    • pp.760-767
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    • 2005
  • 본 논문에서 우리는 DAML(Dielectric Air-gapped supported Microstrip Line) 구조를 이용하여 새로운 구조의 SIR대역 통과 여파기를 설계 제작하였다. 제작된 SIR대역 통과 여파기는 MIM capacitor를 커플링 포트로써 사용함으로 DAML구조를 이용하여 쉽게 제작될 수 있다. 더욱이 이러한 구조는 CPW interfaces를 가지고 있고 DAML구조의 링 공진기는 기판으로부터 $10{\mu}m$높이로 분리되어 있기 때문에 일반적인 평면 구조의 MMICs와 집적하기 유리하다. 제작된 필터의 측정 결과, 60 GHz에서 $10\%$의 대역폭, 60.7 GHz에서 2.84 dB의 삽입 손실, 56 GHz에서 18.4 dB의 감쇠 특성, 60 GHz에서 23 dB의 반사 특성을 얻었다.

다층구조박막으로부터 $PbTiO_3$ 박막 제조시 요소층이 상형성 및 유전특성에 미치는 영향 (An effect of component layers on the phases and dielectric properties in $PbTiO_3$ thin films prepared from multilayer structure)

  • Do-Won Seo;Song-Min Nam;Duck-Kyun Choi
    • 한국결정성장학회지
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    • 제4권4호
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    • pp.378-387
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    • 1994
  • 선행연구[1] 즉, $Ti0_2/Pb/TiO_2(900{\AA}/900{\AA}/900{\AA}/)$ 3층구조박막으로부터 열확산에 의해 상형성이 가능하였던 $PbTiO_3$ 박막의 특성을 개선하기 위하여 스퍼터링법을 이용하여 Si기판위에 각 요소층의 두께를 $200~300 {\AA}$으로 얇게하고 적층수를 3,5,7,9,11층$(TiO_2/Pb/.../Tio_2)$으로 변화시켜가며 다층구조박막을 형성한 후 이를 RTA 처리하여 $PbTiO_3$ 박막을 제조하였다. 그 결과 $500^{\circ}C$ 이상에서 단일상의 $PbTiO_3$가 형성되었다. 또한 요소층의 두께를 얇게하고 적층수를 늘려서 열처리한 결과 Pb-silicate 및 void 생성이 억제되어 우수한 계면상태를 유지하였으며 조성도 보다 균일해지는 양상을 나타내었다. $PbTiO_3$ 박막의 MiM구조에 C-V 특성으로부터 측정된 유전상수는 열처리 조건에 따른 경향을 나타내지 않았으나 적층수가 많아져 박막의 두께가 증가 할수록 유전상수가 증가하였다. MIS 구조의 $PbTiO_3$ 박막의 I-V 특성 측정 결과 절연파괴강도는 최고 150kV/cm이었다.

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