• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.368-368
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• 2010

Using TFTs crystallized by MICC and ELA, electron mobility and threshold voltage were measured according to various substrate temperature from $-40^{\circ}C$ to $100^{\circ}C$. Basic curve, $V_G-I_D$, is also measured under various stress time from 1s to 10000s. Consequently, due to the passivation effect and number of grains, mobility of MICC is varied in the range of -8% ~ 7.6%, while that of ELA is varied from -11.04% ~ 13.25%. Also, since $V_G-I_D$ curve is dominantly affected by grain size, active layer interface, the graph remained steady under the various gate bias stress time from 1s to 10000s. This proves the point that MICC can be alternative technic to ELA.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.146-146
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• 2010

Electrical properties of Large-grain-size TIT with 7/7 ${\mu}m$ channel width and length which gate insulator is made of 20nm $SiO_2$ and 80nm $SiN_x$. was fabricated and measured with Large-grain-size technic(MICC) and compared to ELA technic's data. The field-effect mobility was decreased from 106.78 to $88.74\;cm^2$/Vs and threshold voltage also decreased from -1.8382 to -0.9529 V, when TFT process is changed from ELA technic to MICC technic. Subthreshold swing, also, increased from 0.22 to 0.32 V/dec and $I_{on/off}$ ratio decreased from $1.12{\times}10^8$ to $5.75{\times}10^7$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.429-429
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• 2010

TFT 제조 방법 중 LTPS (Low Temperature Polycrystalline Silicon)는 저온과 저비용 등의 이점으로 인하여 flat panel display 제작에 널리 사용된다. 이동도와 전류 점멸비 등에서 이점을 가지는 ELA(Excimer Laser Annealing)가 널리 사용되고 있지만, 이 방법은 uniformity 등의 문제점을 가지고 있다. 이를 극복하기 위한 방법으로 MICC(Metal Induced Capping Crystallization)이 사용되고 있다. 이 방법은 $SiN_x$, $SiO_2$, SiON등의 capping layer를 diffusion barrier로 위치시키고, Ni 등의 금속을 capping layer에 도핑 한 뒤, 다시 한번 열처리를 통하여 a-Si에 Ni을 확산시키킨다. a-Si 층에 도달한 Ni들이 seed로 작용하여 Grain size가 매우 큰 film을 제작할 수 있다. 채널의 grain size가 클 경우 grain boundary에 의한 캐리어 scattering을 줄일 수 있기 때문에 MIC 방법을 사용하였음에도 ELA에 버금가는 소자의 성능과 안정성을 얻을 수있었다. 본 연구에서는 large grain TFT의 Gate bias stress에 따른 소자의 안정성 측정 및 분석에 목표를 두었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.430-430
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• 2010

MICC 방법으로 제작된 TFT는 large grain과 그에 따른 grain boundary의 감소로 인하여여, 소자의 전기적 특성을 좋게 할 수 있다. 본 연구에서는 bi-layer channel의 large grain size TFT를 제작하여 소자의 전기적 특성을 비교하였다. Channel의 width / length의 크기는 각 각의 경우 $7/5{\times}2$, $10/5{\times}2$, $15/5{\times}2$ (${\mu}m$)로 하였다. 소자의 성능 측정 결과 Field-effect mobility의 경우에는 channel width가 증가할 수록 감소하는 경향성을 나타내었으며, Threshold voltage의 경우에는 조금 감소하는 경향성은 있었으나 변화의 폭이 매우 작았다. Output characteristics 의 경우에는 모든 set에서 좋은 saturation 특성을 보였다. 이것은 current croding이 없었다는 것을 의미하는데, 큰 grain size로 인한 효과로 해석 할 수 있다. 본 연구에서는 bi-layer channel에서 corner effect에 중점을 두어 소자의 전기적 특성 변화에 대하여 논하였다.