• 제목/요약/키워드: M-ICP

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ICP-AES에 의한 수중의 금속 산화물 직접분석을 위한 연속흐름 Microwave 용해장치 개발 연구 (The Development of Continuous Flow Method Through Microwave Oven for the Analysis of Metal Oxides in Water by ICP-AES)

  • 김연두;이계호;김형승;김동수;박광규
    • 대한화학회지
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    • 제38권8호
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    • pp.576-584
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    • 1994
  • 수중의 금속 산화물을 신속하고 간단하게 용해시킬 수 있는 연속흐름 마이크로파 용해장치를 개발하였다. 이로서 금속 산화물 입자를 용해시킴과 동시에 유도결합 플라즈마 분광기(ICP-AES)를 이용하여 ON-LINE으로 분석하는 완전 자동화 분석 장치의 개발이 가능토록 하였다. 연속흐름 마이크로파 용해장치는 개방형 튜브 장치와 억제형 튜브 장치로 구분하여 제작하고 최적화 시험을 수행하였다. 개방형 튜브 용해장치의 최적조건은 튜브길이가 30m, 마이크로파 출력 20%, 염산 농도 0.6N, 유속은 3.5ml/min였으며, 억제형 튜브 용해장치는 튜브 길이가 7.2m, 마이크로파 출력 30%, 염산 농도 0.6N, 유속은 3.1ml/min였다. 억제형 튜브 용해장치가 개방형 장치에 비하여 용해시간이 3배 정도 단축되었고 용해시킬 수 있는 시료의 농도 범위도 10배 정도 높았다. 제작된 용해장치의 정밀도는 베치식 용기 용해법과 거의 유사한 결과를 나타내어 Fe, Cu는 5% 정도의 상대 표준 편차값을 나타내었고, Zn,Co는 10%내외로 다소 높게 나타났다.

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평판형유도결합플라즈마의 임피던스특성 측정 및 수치해석 (Measurement and Numerical Analysis of Impedance Characteristics of Planar ICP)

  • 양일동;이호준;황기웅
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1994년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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    • pp.281-283
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    • 1994
  • The impedance characteristics of planar ICP have been measured and compared with the theoretical results obtained by the field equation. The resistance of the total impedance had a maximum point and the inductance decreased monotonically as the electron density increased from $2.5{\times}10^{10}cm^{-3}$ to $7{\times}10^{11}cm^{-3}$ and the Pressure from 1mT to 50mT. The impedance characteristics were also dependent on the profile of the electron density. The effective collision frequency, ${\nu}_{eff}$ was $9.0{\times}10^6Hz$ at 5mT and $.5{\times}10^7Hz$ at 100mT. The effective collision frequency at 5mT was not so different from that at 100mT and it is doe to the reduction of the discharge channel cross-section at high pressure. The estimated effective collision frequency from the simulation data was of the same order as the measured one.

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식품중의 셀레늄 화학종의 분리 및 정량연구 (Studies of separation and quantitation for selenium species in food)

  • 장희영;민형식;이종해;박용남
    • 분석과학
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    • 제26권3호
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    • pp.182-189
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    • 2013
  • 본 연구에서는 HPLC-ICP-MS를 이용하여 여러 식품에 포함된 셀레늄의 화학종을 분리하고 정량 하였다. 양이온 교환 크로마토그래피를 사용할 때에 무기셀레늄 화학종의 분리는 효율적이나 유기셀레늄 화학종은 분리가 완전하지 못한 반면, 역상 이온쌍 크로마토그래피에서는 유기와 무기 셀레늄 화학종들을 모두 잘 분리 할 수 있었다. $C_8$ 컬럼($Symmetryshield^{TM}\;RP_8$, 3.5 ${\mu}m$, $4.6{\times}150$ mm)을 이용하여 최적조건(이동상; 5% 메탄올, ion-pairing reagent; 0.05% nonafluorovaleric acid, 흐름속도; 0.9 mL $min^{-1}$)하에서 표준물 Se(IV), Se(VI), SeCys (selenocystein), SeMet (selenomethionine), Se-M-C (seleno methyl cystein)를 성공적으로 분리하였다. 시료에서의 셀레늄화학종의 추출은 마이크로파를 이용한 추출과 효소(protease I, trypsin, protease XIV)를 이용한 추출을 사용하였는데 시료에 따라 서로 다른 효율과 결과를 보여주었다. 식물성 시료인 마늘 시료는 protease I, 동물성 시료인 돼지고기와 고등어 시료는 protease I + trypsin이 가장 효율적인 추출을 보여주었다. 각 시료의 최적 조건을 선택하여 셀레늄 화학종을 추출하고 분리 정량한 결과 이들에는 주로 무기 Se, SeCys, SeMet이 수 ${\mu}g$ $g^{-1}$ 내지 수 십 ${\mu}g$ $g^{-1}$ 수준으로 포함되어 있음을 알 수 있었다.

수소화물 발생-유도결합 플라스마 원자 방출 분광법을 이용한 폐광산 광미 시료 중의 As(III)와 As(V)의 동시 정량 (Simultaneuous Determination of As(III) and As(V) in Disused Mine Tailing Samples by Hydride Generation-Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry)

  • 김선태;임유리;박경수;정진호
    • 분석과학
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    • 제13권2호
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    • pp.189-193
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    • 2000
  • 수소화물 발생-유도 결합 플라스마 원자 방출법(HG-lCP-AES)을 이용하여 폐광산 광미 시료중의 As(III)와 As(V)를 동시 정량하였다. 폐기물 공정 시험법에 준하여 용출한 폐광간 광미 시료 중에서 전체 비소는 1M KI를 사용하여 As(V)를 As(III)로 예비 환원 후 2% $NaBH_4$와 6M HCl로 분석하였고, As(III)는 pH 5-6의 citrate/citric acid 완충 용액을 사용하여 선택적으로 정량한 후 전체 비소의 양에서 As(III)의 양을 보정하여 As(V)를 정량하였다. 그 결과 폐광간 광미 시료에서 용출된 전제 비소 중에서 As(V)의 함량이 90% 이상이었다.

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ICP-CVD 방법에 의해 성장된 탄소나노튜브의 Ni 및 Co 촉매 두께에 따른 구조적 물성 및 전계 방출 특성 분석 (Characterization of structural and field emissive properties of CNTs grown by ICP-CVD method as a function of Ni and Co catalysts thickness)

  • 김종필;김영도;박창균;엄현석;박진석
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2003년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1574-1576
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    • 2003
  • Carbon nanotubes (CNTs) were grown on the TiN-coated silicon substrate with different thickness of Ni and Co catalysts layer at $600^{\circ}C$ using inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD). The Ni and Co catalysts were formed using the RF magnetron sputtering system with various deposition times. It was found that the growth of CNTs was strongly influenced by the surface morphology of Ni and Co catalysts. With increasing deposition time, the thickness of catalysts increased and the grain boundary size of catalysts increased. The surface morphology of catalysts and CNTs were elucidated by SEM. The Raman spectrum further confirmed the graphitic structure of the CNTs. The turn-on field of CNTs grown on Ni and Co catalysts was about 2.7V/pm and 1.9V/pm respectively. Field emission current density of CNTs grown on Ni and Co catalysts was measured as $11.67mA/cm^2$ at $5.5V/{\mu}m$ and $1.5mA/cm^2$ at $5.5V/{\mu}m$ respectively.

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Analysis of arsenic in contaminated soil SRM by two extraction methods: Ultrasonic extraction method and Microwave extraction method

  • Kim, Youn-Tae;Yoon, Hyeon;Shin, Mi-Young;Yoon, Cheol-Ho;Woo, Nam-Chil
    • 한국지하수토양환경학회:학술대회논문집
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    • 한국지하수토양환경학회 2004년도 임시총회 및 추계학술발표회
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    • pp.227-230
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    • 2004
  • Two extraction techniques, Ultrasonic and Microwave extraction method, were tested for the determination of arsenic in contaminated soil SRM (Montana Soil). The extraction mixture was prepared by mixing 1 M ortho-phosphoric acid and 0.1 M ascorbic acid. This extractant was known to preserve arsenic species. The appropriate extraction time was 10 min to 20 min and the recovery rate was about 80%. A coupled system, SPE-HG-ICP-AES, was used for the determination of inorganic arsenic species. The detection limit was around 2 $\mu\textrm{g}$/1 and the linearity of calibration curve was better than $R^2$=0.99.

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수치모델을 이용한 pulsed dc bias ICP장치의 플라즈마 특성 해석 (Numerical Modeling of Plasma Characteristics of ICP System with a Pulsed dc Bias)

  • 주정훈
    • 한국표면공학회지
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    • 제43권3호
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    • pp.154-158
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    • 2010
  • Numerical analysis is done to investigate the effects of pulse bias on the plasma processing characteristics like ion doping and ion nitriding by using fluid dynamic code with a 2D axi-symmetric model. For 10 mTorr of Ar plasma, -1 kV of pulse bias was simulated. Maximum sheath thickness was around 20 mm based on the electric potential profile. The peak electron temperature was about 20 eV, but did not affect the averaged plasma characteristics of the whole chamber. Maximum ion current density incident on the substrate was 200 $A/m^2$ at the center, but was decreased down to 1/10th at radius 100 mm, giving poor radial uniformity.

Determination of Copper in Uniformly-Doped Silicon Thin Films by Isotope-Dilution Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry

  • 박창J.;차명J.;이동S.
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제22권2호
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    • pp.205-209
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    • 2001
  • Uniformly-doped silicon thin films were fabricated by ion beam sputter deposition. The thin films had four levels of copper dopant concentration ranging between 1 ${\times}$1019 and 1 ${\times}$ 1021 atoms/cm3 . Concentrations of Copper dopants were determined by the isotope dilution inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS) to provide certified reference data for the quantitative surface analysis by secondary ion mass spectrometry (SIMS). The copper-doped thin films were dissolved in a mixture of 1 M HF and 3 M HNO3 spiked with appropriate amounts of 65 Cu. For an accurate isotope ratio determination, both the detector dead time and the mass discrimination were appropriately corrected and isobaric interference from SiAr molecular ions was avoided by a careful sample pretreatment. An analyte recovery efficiency was obtained for the Cu spiked samples to evaluate accuracy of the method. Uncertainty of the determined copper concentrations, estimated following the EURACHEM Guide, was less than 4%, and detection limit of this method was 5.58 ${\times}$ 1016 atoms/cm3.

ICP-Assisted DC Sputtering 방법을 이용한 Ge 박막의 저온 결정 성장 연구

  • 김은겸;문선우;김경훈;김성민;박원웅;한승희
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.337-337
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    • 2012
  • 단일 결정의 Ge 박막은 0.67 eV의 작은 밴드갭을 가지고 있기에 장파장의 빛을 흡수하기 위한 목적으로 태양전지 분야에서 집중적인 연구가 진행되어지고 있다. 또한, Si에 비하여 높은 전하 이동도를 가지고 있기에 박막 트랜지스터로의 응용 연구들이 진행되고 있는 중이다. 전자 소자로써 큰 효과를 가지고 오기 위해서는 양질의 Ge 결정박막을 성장하여야 한다. 이를 위하여 다양한 공정 방법으로 Ge 박막의 결정성 향상에 대한 연구들을 진행하고 있다. 그중 본 연구에서는 ICP-assisted DC sputtering 방법을 이용하여 저온(${\sim}230^{\circ}C$) Ge 박막 결정성장에 대한 연구를 진행하였다. Ge 박막을 유리기판(Eagle 2000) 위에 증착하였으며, $6{\times}10^{-6}$ Torr 이하의 기본 압력에서 공정을 진행하였다. 7 mTorr의 Ar 분위기에서 타겟에 인가되는 전압 및 전류를 변화 시키며 Ge 박막 증착에 미치는 영향에 대해서 연구를 진행하였다. 기본적인 DC sputtering 방법을 이용하여 박막을 증착하였을 경우 증착한 모든 샘플에서 결정성을 확인하였으며, 낮은 전압에서도 결정화가 일어나는 것을 확인 할 수 있었다. 또한 전압을 증가시켜도 결정화 정도가 일정하게 유지됨을 확인 할 수 있었다. 다만 이 경우에는 결정의 방향이 랜덤하게 형성되었으며, DC sputtering 방법을 이용하여 저온에서 공정을 진행하였기에 박막은 수십 nm의 columnar grain을 형성하였다. ICP를 이용한 DC sputtering 방법을 이용하여 박막을 증착 하였을 경우, 일정 전압 이하에서는 비정질의 Ge 박막이 균일하게 형성됨을 확인 할 수 있었으며, 이후 결정화 정도가 타겟에 인가되는 전압에 비례하여 증가하였다. 또한, 이때 증착된 Ge 박막은 단일 결정으로 형성되었음을 확인 할 수 있었다. 이는 박막 성장시 ICP에 의해서 생성된 Ar 이온이 표면으로 가속화됨으로 인하여 Ge 박막 표면에서 channeling 효과가 나타남으로 인하여 <110> 방향으로 결정이 정열된 것으로 보인다.

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기관내 흡인이 두개강내압에 미치는 영향에 관한 연구 (The effect on the Intracranial Pressure of the Patients Receiving Endotracheal Suction)

  • 김매자;이경옥
    • 대한간호학회지
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    • 제23권2호
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    • pp.245-254
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    • 1993
  • The purpose of this study was to identify effective methods to minimize increases in intracranial pressure(IICP ) during endotracheal suction by means of comparing two methods of hyperventilation and oxygen supply before and after endotracheal suction. In order to evaluate the effects of these two methods, the ICP during suctioning and the sustained time of IICP were measured. For hyperventilation, ambu-bagging was done 10 times for 30 seconds with a tidal volume of 800-900m1. For oxygen supply, 100 percent oxygen was supplied for 2 minutes before and after suction. The subjects for this study were 12 neurosurgical patients who had had a subarachnoid bolt inserted for ICP monitoring and they were all on mechanical ventilatory support in a surgical intensive care unit of Seoul National University Hospital from July 1, 1991 to March 31, 1992. In each patient hyperventilation was performed five times and oxygen supply was given five times and intracranial pressures were measured immediately before and every 30 seconds for 15 minutes after suction. For case assignments counterbalancing and repeated measure designs were combined. And so the total number of experiments were sixty for each group. The effects of hyperventilation and oxygen supply on the IICP and the sustained time of IICP after suction were analyzed by t-test. The results of study were as follows 1. There was a significant difference between the two groups in the increased ICP during suction (t=2.49, p=.014). 2. The sustained time of IICP after suctioning in the oxygen supply group was shorter than that in the hyperventilation group(t=2.35, p=.020) In summary, the Increase in the ICP during suction was lower and the time for the ICP to return to the presuction level was shorter in the oxygen supply group as compared to the hyperventilation group. Therefore, oxygen supply can be re commended before and after endotracheal suction.

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