Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.9
no.3
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pp.120-122
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2008
We have studied the tilt angle generation on the homeotropic polyimide (PI) surface using a low intensity ion beam source as a function of incident angle. An excellent LC alignment of nematic liquid crystal (NLC) on the PI surface with ion beam exposure for all incident angles was observed. The tilt angle of NLC on the homeotropic PI surface for all incident angles was from 90 to 88 degree was observed. Also the tilt angle of NLC on the homeotropic PI surface with ion beam exposure of 400 eV had a tendency to increase as ion beam energy incident angle become more instance from 45 degree. Finally, a good LC alignment thermal stability on the homeotropic PI surface with ion beam exposure can be achieved.
Park Jong Yong;Choi Hyoung Wook;Ermakov Y.;Jung Yeon Sik;Choi Won-Kook
Korean Journal of Materials Research
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v.15
no.6
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pp.361-369
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2005
InP(100) crystal surface was irradiated by ion beams with low energy $(180\~225\;eV)$ and high flux $(\~10^{15}/cm^2/s)$, Self-organization process induced by ion beam was investigated by examining nano structures formed during ion beam sputtering. As an ion source, an electrostatic closed electron Hall drift thruster with a broad beam size was used. While the incident angle $(\theta)$, ion flux (J), and ion fluence $(\phi)$ were changed and InP crystal was rotated, cone-like, ripple, and anistropic nanostrucuture formed on the surface were analyzed by an atomic force microscope. The wavelength of the ripple is about 40 nm smaller than ever reported values and depends on the ion flux as $\lambda{\propto}J^{-1/2}$, which is coincident with the B-H model. As the incident angle is varied, the root mean square of the surface roughness slightly increases up to the critical angle but suddenly decreases due to the decrease of sputtering yield. By the rotation of the sample, the formation of nano dots with the size of $95\~260\;nm$ is clearly observed.
$TiB_2$-TiN double-layer coating have been prepared by ion beam enhanced deposition. AES, XRD, TEM and HRTEM were employed to characterize the $TiB_2$ layer. The microhardness of the coatings was evaluated by an ultra low-load microhardness indenter system, and the tribological behavior was examined by a ball-on-disc tribology wear tester. It was found that in a single titanium diboride layer, the composition is uniform along the depth of the film, and it is mainly composed of nanocrystalline $TiB_2$ with hexagonal structure, which resulted from the ion bombardment during the film growth. The hardness of the $TiB_2$ films increases with increasing ion energy, and approaches a maximum value of the $TiB_2$ films increases with increasing ion energy, and approaches a maximum value of 39 Gpa at ion energy of 85 keV. The tribological property of the TiB2 films is also improved by higher energy of 85keV. The tribological property of the $TiB_2$ films is also improved by higher energy ion beam bombardment. There is no major disparity in the mechanical properties of double-layer $TiB_2$/TiN coatings and TiN/$TiB_2$ coatings. Both show an improved wear resistance compared with single-layer $TiB_2$ films. The adhesion of double-layer coatings is also superior to that of single-layer films.
Ion-surface collision studies at low kinetic energies (1-100 eV) provide a unique opportunity for investigating reactions and collision dynamics at surfaces. A special ion optics system for generating an energy- and mass-selected ion beam of this energy is designed and constructed. An ultrahigh vacuum (UHV) reaction chamber, in which the ions generated from the beamline collide with a solid surface, is equipped with Auger electron spectroscopy (AES) and thermal desorption spectrometry (TDS) as in-situ surface analytical tools. The resulting beam from the system has the following characteristics : ion current of 5-50 nA, energy spread < 2eV, current stability within ${\pm}5%,$ and unit mass resolution below 20 amu. The performance of the instrument is illustrated with data representing the implantation behavior of $Ar^+$ into a graphite (0001) surface.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.3
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pp.175-180
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2003
As the integrated circuit device shrinks to the deep submicron regime, the ion implantation process with high ion dose has been attracted beyond the conventional ion implantation technology. In particular, for the case of boron ion implantation with low energy and high dose, the stabilization and throughput of semiconductor chip manufacturing are decreasing because of trouble due to the machine conditions and beam turning of ion implanter system. In this paper, we focused to the improved characteristics of processing conditions of ion implantation equipment through the modified deceleration mode. Thus, our modified recipe with low energy and high ion dose can be directly apply in the semiconductor manufacturing process without any degradation of stability and throughput.
Carbon micropatterns (CMs) were fabricated from a negative-type SU-8 photoresist by proton ion beam lithography and pyrolysis. Well-defined negative-type SU-8 micropatterns were formed by proton ion beam lithography at the optimized fluence of $1{\times}10^{15}ions\;cm^{-2}$ and then pyrolyzed to form CMs. The crosslinked network structures formed by proton irradiation were converted to pseudo-graphitic structures by pyrolysis. The fabricated CMs showed a good electrical conductivity of $1.58{\times}10^2S\;cm^{-1}$ and a very low surface roughness.
The fabrication of a controlled surface is of great interest because it can be applied to various engineering facilities due to the various properties of the surface, such as self-cleaning, anti-bio-fouling, anti-icing, anti-corrosion, and anti-sticking. Controlled surfaces with micro/nano structures were fabricated using an ion beam focused onto a polypropylene (PP) surface with a fluoridation process. We developed a facile method of fabricating hydrophobic surfaces through ion beam treatment with argon and oxygen ions. The fabrication of low surface energy materials can replace the current expensive and complex manufacturing process. The contact angles (CAs) of the sample surface were $106^{\circ}$ and $108^{\circ}$ degrees using argon and oxygen ions, respectively. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared (FT-IR) spectroscopy were used to determine the chemical composition of the surface. The morphology change of the surfaces was observed by scanning electron microscopy (SEM). The change of the surface morphology using the ion beam was shown to be very effective and provide enhanced optical properties. It is therefore expected that the prepared surface with wear and corrosion resistance might have a considerable potential in large scale industrial applications.
Kim, Jaeun;Hong, Sungdeok;Kim, Yongwan;Park, Jaewon
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.138.1-138.1
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2013
We present the low temperature (${\leq}1,000^{\circ}C$) vacuum sublimation behavior of an e-beam evaporative deposited on a SiC film and a method to reduce the vacuum sublimation through an ion beam process. The density of the SiC film deposited using the e-beam evaporation method was ~60% of the density of the bulk source material. We found that the sublimation became appreciable above ${\sim}750^{\circ}C$ under $1.5{\times}10^{-5}$ torr pressure and the sublimation rate increased with an increase in temperature, reaching ~70 nm/h at $950^{\circ}C$ when the coated sample was heated for 5 h. When the film was irradiated with 70 keV N+ ions prior to heating, the sublimation rate decreased to ~23 nm/h at a fluence of $1{\times}10^{17}\;ions/cm^2$. However, a further increase in fluence beyond this value or an extended heating period did not change (decrease or increase) the sublimation rate any further.
Proceedings of the Korean Society For Composite Materials Conference
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2005.11a
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pp.75-78
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2005
Using a low-energy Ar+ ion-beam with and without reactive gases, polymers such as chemically stable poly(ether ether ketone) (PTFE) and poly(ether ether ketone) (PEEK) films were modified to have special surface features. The adhesion strength between the polymers and the copper was significantly improved because of both changes in the surface topography and chemical interactions due to polymer surface functionalization (oxidation and amination). The surface modification altered the failure mode from adhesive failure for the unmodified polymer/Cu interface to cohesive failure for the surface-modified polymer/Cu layer interface..
A prototype long pulse ion source was developed, and the beam extraction experiments of the ion source were carried out at the Neutral Beam Test Stand (NBTS) of the Korea Superconducting Tokamak Advanced Research (KSTAR). The ion source consists of a magnetic bucket plasma generator, with multi-pole cusp fields, and a set of tetrode accelerators with circular apertures. Design requirements for the ion source were a 120kV/65A deuterium beam and a 300 s pulse length. Arc discharges of the plasma generator were controlled by using the emission-limited mode, in turn controlled by the applied heating voltage of the cathode filaments. Stable and efficient arc plasmas with a maximum arc power of 100 kW were produced using the constant power mode operation of an arc power supply. A maximum ion density of $8.3{\times}10^{11}\;cm^{-3}$ was obtained by using electrostatic probes, and an optimum arc efficiency of 0.46 A/kW was estimated. The accelerating and decelerating voltages were applied repeatedly, using the re-triggering mode operation of the high voltage switches during a beam pulse, when beam disruptions occurred. The decelerating voltage was always applied prior to the accelerating voltage, to suppress effectively the back-streaming electrons produced at the time of an initial beam formation, by the pre-programmed fast-switch control system. A maximum beam power of 0.9 MW (i.e. $70\;kV{\times}12.5\;A$) with hydrogen was measured for a pulse duration of 0.8 s. Optimum beam perveance, deduced from the ratio of the gradient grid current to the total beam current, was $0.7\;{\mu}perv$. Stable beams for a long pulse duration of $5{\sim}10\;s$ were tested at low accelerating voltages.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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