Stabilization of Modified Deceleration Mode for Improvement of Low-energy Ion Implantation Process |
서용진
(대불대학교 전기공학과)
박창준 (대불대학교 전기공학과) 김상용 (아남반도체 FAB 사업부) |
1 | 윤상현, 곽계달, "Retrograde Well 형성을 위한 고에너지 이온주입에 대한 연구", 전기전자재료학회논문지, 11권, 5호, p.358, 1998. 과학기술학회마을 |
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실리콘에 MeV로 이온주입된 인의 결함분포와 profile 에 관한 연구
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과학기술학회마을 DOI |
3 |
Retrograde Well 형성을 위한 고에너지 이온주입에 대한 연구
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과학기술학회마을 |
4 |
Transient-enhanced diffusion of boron implanted at ultra-low energies in silicon: Localization of the source
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DOI ScienceOn |
5 |
Dose, Energy, and Ion Species Dependence of the Effective Plus Factor for Transient Enhanced Diffusion
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DOI ScienceOn |
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1.55 ㎛ single mode lasers with complex coupled distributed feedback gratings fabricated by focused ion beam implantation
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DOI |
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PICTS 방법에 의한 Boron 이온을 주입시킨 반절연성 GaAs 의 깊은 준위에 관한 연구
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과학기술학회마을 DOI ScienceOn |
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Formation of ultrashallow p'-n junctions by low-energy boron imoplantation using a modified ion implanter
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DOI |
9 |
Boron penetration in <TEX>$p^+$</TEX> polycrystalline-Si/Al₂O₃/Si metal oxide semiconductor system
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DOI ScienceOn |
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Copper gettering at half the projected ion range induced by low-energy channeling He implantation into silicon
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DOI ScienceOn |
11 |
Channeling of low energy heavy ions: Er in Si <111>
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DOI ScienceOn |
12 |
Localized fabrication of Si nanostructures by focused ion beam implantation
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DOI ScienceOn |