A novel intravenous (IV) infusion monitoring sensor is presented to measure the drop rate in the drip chamber of an IV infusion set. It is based on a capacitive proximity sensor and detects the variation of the longitudinal electric field induced by the drop falling into the drip chamber. Unlike the conventional capacitor sensor with two semi-cylindrical conductor plates, the proximity sensor for IV monitoring is composed of a pair of conductor rings which are mounted on the outer surface of the drip chamber with a specific gap between them. The characteristics of the proximity sensor for IV monitoring were investigated through three dimensional electrostatic simulations. It showed quite superior performances in comparison with the conventional capacitor sensor. Especially, the proposed proximity sensor exhibits consistent sensitivity regardless of its mounting position on the drip chamber, operates normally though the drip chamber is tilted and shows robustness to the changes of the drop size and the drip factor of the IV infusion set. Thus, the proximity sensor for IV monitoring is more suitable for use in actual environment of IV therapy compared with the conventional capacitor sensor.
We investigate the characteristics of the surface mode formed at the single interface between dual singly negative medium layers. It is shown that the interface can support a mode which has polarization degeneracy and a vanishing propagation constant. That is, this surface mode is a polarization-independent one that does not propagate at all through the interface. The corresponding electric and magnetic field distributions become static along the longitudinal (guiding) direction (but not along the transverse direction) resulting in the formation of transverse-electric/longitudinalmagnetic or transverse-magnetic/longitudinal-electric modes.
The outer-most electrons of metal atoms and the remaining valence electrons of any molecular atoms make three-dimensional crystallizing $\pi$-bondings. The rotating electrons on the three-dimensional crystallizing $\pi$-bonding orbitals of atoms make $\pi$-far infrared rays. Longitudinal wave is a propagation of a bundle of $\pi$-far infrared rays, which are produced by a dynamic impact on a solid bar. The $\pi$-far infrared rays make three-dimensional crystallizing $\pi$-bondings in the material, which reproduce the same $\pi$-far infrared rays. If a current signal is input into water molecules under a given electric potential field with $\pi$-far infrared rays (input information), the signal can be amplified because the $\pi$-far infrared rays make the $\pi$-bondings, which reduce electric resistance. The three-dimensional crystallizing $\pi$-bondings can induce normal electrons to move from one orbital to next one with a aid of potential electric field. Quantum Resonance Spectrometer is composed of tesla coil absorbing $\pi$-far infrared rays, tesla coil emitting varying electromagnetic waves signal generator, signal storage, human body amplifier, signal analyzer and data indicator. The absorbing tesla coil making varying magnetic field and downward and upward electric field, which resonates the $\pi$-far infrared rays coming out from specimen and absorbs them. The modulated current signal from the input square signal can generate and emit varying electromagnetic waves from the tesla coil. The varying electro-magnetic waves make the three-dimensional crystallizing $\pi$-bondings and the $\pi$-far infrared rays in the water molecules.
It has been observed that the reduction rate of the inversion layer carrier mobility due to the increase of the longitudinal electric field(drain to source direction) decreases as the transverse electric field increases. The effects of this physicar phenomenon to the I-V characteristics of the short channel NMOSFET are studied. It is shown that these effects increase the drain Current in the saturatio region, which agrees with the genarally observed decrepancy between the experimental I-V charateristics and the I-V modeling which dose not include this physical phenomenon. Also it is shown that this effect becomes more important when the device channel length decreases and the device operates in the high electric field range.
증가형 MOS FET에서 강반저의 경우 드레인 전류는 모두 드리프트에 기인하여 흐르기 때문에 I-V모델링시 수직전계와 수평전계를 함께 고려하여야한다. 특히 게이트전압 인가시 발생되는 수직전계는 표면이동도에 영향을 크게 주고 이로 인해서 캐리어들의 정상적인 흐름이 저해되는데 본 논문에서 제안한 다중 box분할법에 의하여 반전층의 깊이를 구하여 이동도 모델에 영향을 크게 미치는 반전층 내에서의 수직전계를 수치해석하였다.
Muhammad Taj;Ikram Ahmad;Mohamed Amine Khadimallah;Hamdi Ayed;Rana Muhammad Akram Muntazir;Abir Mouldi;Manahil Maqsood;Essam Mohammed Banoqitah;Muzamal Hussain;Abeera Talib;Hajra Khanam;Zafer Iqbal
Advances in concrete construction
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제17권2호
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pp.67-73
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2024
This paper examines the wave velocity of protein microtubules using a elasticity model that incorporates body forces, based on the structure of these hollow cylinder-like structures., the governing equations are analytically solved to determine how the body forces effect the wave velocity. To analyze the microtubule waves velocity, use microtubules with simply supported ends. The electric field of a dipole vibrating at the same frequency as microtubule vibrations approximates the electric field generated by the rhythmic motion of every charge. The numerical findings for the three modes of frequencies in the longitudinal, radial, and torsional directions for the current conditions are compared with the results of previous calculations.
Insulating characteristics of Cl2-He mixture gases in gas discharges were analysed to evaluate ability of these gases for using in medium voltage and many industries. These are electron transport coefficients, which are the electron drift velocity, density-normalized longitudinal diffusion coefficient, and density-normalized effective ionization coefficient, in Cl2-He mixtures. A two-term approximation of the Boltzmann equation was used to calculate the electron transport coefficients for the first time over a wide range of E/N (ratio of the electric field E to the neutral number density N). The limiting field strength values of E/N, (E/N)lim, for these binary gas mixtures were also derived and compared with those of the pure SF6 gas.
The magnetostriction of FeCoGe/phenol composites, which is one of the magnetostrictive materials, measured at the external magnetic field. The measurement was carried out using the electrical-resistance strain gage, the wheaten's Bridge for eliminating the unnecessary voltage, and the lock-in-amp for signal amplification and noise filtering. When the external magnetic field was applied in the longitudinal the samples, the maximum strain of 120ppm was taken with regard to the 10wt.% phenol composite. This results indicate that the FeCoGe/phenol composites can be useful as an actuator because it has larger stain than the other solid state actuators such as piezo electric materials.
Variations of dielectric and piezoelectric properties and associated phase transformation of <001> -oriented rhombohedral 0.92Pb (Zn$\sub$1/3/Nb$\sub$2/3/)O$_3$-0.08PbTiO$_3$ single crystals were investigated. The longitudinal strain level was found to abruptly increase at 15 kV/cm, corresponding to that where an induced phase appears within a multidomain matrix. Drastic decreases in the dielectric constant, transverse coupling, and transverse piezoelectric coefficient associated with the E-field induced phase were the result of increased crystal anisotropy in PZN-PT crystals. By contrast, the thickness coupling increased from 53 % at 0 kV/cm to 64 % at 45 kV/cm, also associated with this phase transition under the E-field. The measured dielectric and piezflelectric properties found for the induced phase state were nearly identical to those of <001> poled tetragonal (1-x)PZN-xPT (x>0.1) crystals. Based on these results, it is evident that the symmetry of induced phase is tetragonal.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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