The coating condition of reproducible anti-reflective coating film and the light transmittance characteristics of the prepared anti-reflective coating glass were investigated as a study for the preparation of single-layer anti-reflective coating glasss. In case of coating with the sol in which the solvent was substituted with the ethanol with the addition of 0.1 mol HNO3, the coated glass showed the minimum value of the refractive index of 1.464, light transmittance of 94.2% at 550nm standard wavelength which is 3.2% higher than that of the parent glass, and the reflectance in the entire wave range of visible light. The refractive index represented its minimum at the sol concentration of 1.0 mol per 100mols of water and the higher the sol concentration, the higher the refractive index, resulting in the decrease of the light transmitance. The production condition of the reproducible anti-reflective coating on glass with the maximum transmittance of 94.2% was 4cm/min of withdrawal speed, 40$0^{\circ}C$ and 1 hour of heat treatment temperature and time, resulting in the film thickness of 94nm.
The optical loss is caused by reflection on the surface of the solar cell, without being absorbed inside the solar cell. Research is actively being conducted to reduce optical loss due to such reflection of light and to improve conversion efficiency of solar cells. In this paper, the surface of the FTO glass substrate was wet etched, and the structural characteristics of the tough surface were evaluated. In addition, optical properties on the surface were analyzed, etched using spectrometer. When light was introduced to a rough surface formed by etching, it was confirmed that the multiple reflections reduced the amount of light reflection from the surface, thereby increaseing the amount of light penetrating the glass substrate.
Highly textured Ag, Al and Al:Si back reflectors for flexible n-i-p silicon thin-film solar cells were prepared on 100-${\mu}m$-thick stainless steel substrates by DC magnetron sputtering and the influence of their surface textures on the light-scattering properties were investigated. The surface texture of the metal back reflectors was influenced by the increased grain size and by the bimodal distribution that arose due to the abnormal grain growth at elevated deposition temperatures. This can be explained by the structure zone model (SZM). With an increase in the deposition temperatures from room temperature to $500^{\circ}C$, the surface roughness of the Al:Si films increased from 11 nm to 95 nm, whereas that of the pure Ag films increased from 6 nm to 47 nm at the same deposition temperature. Although Al:Si back reflectors with larger surface feature dimensions than pure Ag can be fabricated at lower deposition temperatures due to the lower melting point and the Si impurity drag effect, they show poor total and diffuse reflectance, resulting from the low reflectivity and reflection loss on the textured surface. For a further improvement of the light-trapping efficiency in solar cells, a new type of back reflector consisting of Ag/Al:Si bilayer is suggested. The surface morphology and reflectance of this reflector are closely dependent on the Al:Si bottom layer and the Ag top layer. The relationship between the surface topography and the light-scattering properties of the bilayer back reflectors is also reported in this paper.
For quantitative measurement of reflected light from a clinical diagnostic scrip, a prototype of reflectance photometer was designed. The strip loader and cassette were made to obtain more accurate re(leclance parameters. The strop was illuminated at $45^{\circ}C$ through optical fiber and the intensity of reflected light was determined at rectangulat angle using a photodiode. The kubelka-munk coefficient and reflection optical density were determined ar four different wavelengths(500,550,570 and 610nm) for blood glucose strip. For higher concentration than 300mg/dl about glucose, a saturation state of absorbance was observed at 500,550 and 570nm. The correlation between glucose concentration and parameters was the best at 610nm.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.05a
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pp.7.2-7.2
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2011
Photoelectrochemical solar cells such as dye-sensitized cells (DSSCs), which exhibit high performance and are cost-effective, provide an alternative to conventional p-n junction photovoltaic devices. However, the efficiency of such cells plateaus at 11~12%, in contrast to their theoretical value of 33%. The majority of research has focused on improving energy conversion efficiency of DSSC by controlling nanostructure and exploiting new materials in photoelectrode consisting of semiconducting oxide nanoparticles and a transparent conducting oxide electrode (TCO). In this presentation, we introduce monodisperesed TiO2 nanoparticles prepared by forced hydrolysis method and their superiority as photoelectrode materials was characterized with aids of optical and electrochemical analysis. Inverse opal-based scattering layers containing highly crystalline anatase nanoparticles are also introduced and their feasibility for use as bi-functional light scattering layer is discussed in terms of optical reflectance and charge generation properties as a function of optical wavelength.
GaN-based green light-emitting diode (LED) structures suffer from low internal quantum efficiency (IQE), known as the "green gap" problem. The IQE of LED structures is expected to be improved to some extent by exploiting the Purcell effect. In this study, the Purcell effect on the IQE of green LED structures is investigated numerically using a finite-difference time-domain simulation. The Purcell factor of flip-chip LED structures is found to be more than three times as high as that of epi-up LED structures, which is attributed to the high-reflectance mirror near the active region in the flip-chip LED structures. When the unmodified IQE is 20%, the relative enhancement of IQE can be greater than 50%, without utilizing the surface-plasmon coupling effect. Based on the simulation results, the "green gap" problem of GaN-based green LEDs is expected to be mitigated significantly by optimizing flip-chip LED structures to maximize the Purcell effect.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.10
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pp.908-913
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2003
We have performed computer simulation to obtain electro-optic characteristics of reflective hybrid aligned nematic liquid crystal displays (LCDs) driven by fringe field. The results show that the optimal retardation value (dΔn) of the cell is 0.289 ${\mu}$m, which allows for the cell to have a practical cell gap of larger than 3 ${\mu}$m when manufacturing. A reflectance of the dark state is only 0.114 % for an incident light 550 nm. At this condition, the light efficiency of white state reaches 92.7 %. The display with optimized cell parameters shows that the contrast ratio greater than 5 exists over 600 of polar angle in all directions and lower driving voltage than that of fringe-field driven homogeneously aligned reflective LCD.
Journal of the Korean Graphic Arts Communication Society
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v.29
no.3
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pp.17-30
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2011
The polarizer is an important optical element used in a variety of applications. Nano-wire grid polarizers in the form of sub-wavelength metallic gratings are an attractive alternative to conventional polarizers, because they provide high extinction ratio. This study has been carried out to fabrication of the 17inch area size nano-wire grid polarizer(NWGP) The master for NWGPs with a pitch of 200nm and the area size $730mm{\times}450mm$ were fabricated using laser interference lithography and aluminum sputtering and wet etching. And The NWGP fabrication process was using by the Roll to-Roll UV imprinting and was applied to flexible PET film. The results were a transmission of light (Tp) 46.7%, reflectance (Rs) 40.1% and Extinction ratio of above 16 for the visible light range.
This paper presents a Technology-CAD (TCAD) simulation of the characteristics of crystalline Si pillar array solar cells. The junction depth and the surface concentration of the solar cells were optimized to obtain the targeted sheet resistance of the emitter region. The diffusion model was determined by calibrating the emitter doping profile of the microscale silicon pillars. The dimension parameters determining the pillar shape, such as width, height, and spacing were varied within a simulation window from ${\sim}2{\mu}m$ to $5{\mu}m$. The simulation showed that increasing pillar width (or diameter) and spacing resulted in the decrease of current density due to surface area loss, light trapping loss, and high reflectance. Although increasing pillar height might improve the chances of light trapping, the recombination loss due to the increase in the carrier's transfer length canceled out the positive effect to the photo-generation component of the current. The silicon pillars were experimentally formed by photoresist patterning and electroless etching. The laboratory results of a fabricated Si pillar solar cell showed the efficiency and the fill factor to be close to the simulation results.
In this article, a study of a flower like nanostructured CdS buffer layer for improving the performance of a submicron-thick $CuIn_{1-x}Ga_xSe_2$ (CIGS) solar cell (SC) is presented. Both its synthesis and properties are discussed in detail. The surface reflectance of the device is dramatically decreased. SCs with flower like nanostructured CdS buffer layers enhance short-circuit current density, fill factor, and open-circuit voltage. These enhancements contribute to an increase in power conversion efficiency of about 55% on average compared to SCs that don't have a flower like nanostructured CdS buffer layer, despite them both having the same CIGS light absorbing layer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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