Partial quenching structure of turbulent diffusion flames in a turbulent mixing layer is investigated by the method of flame hole dynamics in order to develop a prediction model for turbulent flame lift off. The essence of flame hole dynamics is derivation of the random walk mapping, from the flame-edge theory, which governs expansion or contraction of flame holes initially created by local quenching events. The numerical simulation for flame hole dynamics is carried out in two stages. First, a direct numerical simulation is performed for constant-density fuel-air channel mixing layer to obtain the turbulent flow and mixing fields, from which a time series of two dimensional scalar dissipation rate array is extracted at a fixed virtual flame surface horizontally extending from the end of split plate to the downstream. Then, the Lagrangian simulation of the flame hole random walk mapping projected to the scalar dissipation rate array yields temporally evolving turbulent extinction process and its statistics on partial quenching characteristics. The statistical results exhibit that the chance of partial quenching is strongly influenced by the crossover scalar dissipation rate while almost unaffected by the iteration number of the mapping that can be regarded as a flame-edge speed.
Biceps tendon dislocation combined with rupture of subscapularis tendon is not a common lesion and there has been few case reported in Korea. We experienced one fifty Six years old male patient who shows typical features on physical examination and roentgenographic finding. He was injured by direct trauma on his right shoulder in adducted and external rotated position. He showed positive findings on passive external rotation test and lift-off test. On MR!, the subscpaularis tendon was totally ruptured and the biceps tendon was dislocated to anteromedial aspect of the glenoid labrum, which was typical finding. On the arthroscopic examination, the subscapularis tendon was totally ruptured from its humeral attachment and the biceps tendon was not seen in its normal anatomical position and it was dislocated antermedially to the glenoid labrum. We repaired the subscapularis tendon to humerus by use of suture anchor and the biceps tendon was relocated to its normal anatomical position in the intertubercular groove. On the post operative 6 months follow up, the patient shows improvements in his subjective symptoms and active range of motion.
ZnO는 실온에서 3.37 eV의 큰 밴드갭 에너지와 60 meV의 높은 exciton binding energy를 가지고 있어 광소자를 만드는데 큰 관심을 얻고 있다. 또한 최근에는 ZnO를 기반으로 한 동종접합 전광소자를 만드는데 성공하였다. 그러나 소자의 성능을 높이기 위해 여러 가지 개선할 사항이 있다. 그 중에 하나는 캐리어를 잘 주입 시키기 위한 금속-반도체 접합을 구현하는 것이다. 이러한 문제를 개선하기 위해서는 ZnO 기반으로 한 낮은 비저항을 가진 소자가 필요하다. 일반적으로 n-type ZnO Ohmic 접합에서 쓰이는 금속은 Ti/Au, Ta/Au, Al/Au 등이 있다. 실험방법은 c-plane 사파이어 기판 위에 펄스 레이저 증착 방법으로 3시간 동안 $500^{\circ}C$ 환경에서 ZnO 박막을 성장하고, 표면을 고르게 하기 위해 $1000^{\circ}C$에서 1분 동안 열처리를 진행하였다. 샘플 위에 photo-resist 코팅을 한 다음 transfer length method(TLM)를 이용하기 위해 포토리소그래피 장비를 통하여 샘플을 노광하였다. 그 위에 Ti/Au (30 nm/80 nm)를 E-beam/thermal evaporation으로 증착 하였다. 이는 일반적인 반도체 공정과 Lift-off방식을 이용하여 패터닝 하였다. 샘플을 열처리하는 것은 금속과 반도체의 접촉 접착과 전기적인 성질을 개선하고 응력과 계면 결함을 감소시키기 때문에 샘플을 100, 200, 300, 400, $500^{\circ}C$에서 각각 열처리하였다. 저항을 구하기 위해 각각 열처리된 샘플과 as-deposited의 전류, 전압 특성을 측정하고, 이러한 실험 방법으로 n-type ZnO의 Ohmic 접합을 구현하는 것이 목표이다.
본 연구에서는 고결정성을 갖는 ZnO 박막을 제작 후, 큰 일함수를 갖는 AgxO/Ag접촉을 통하여 ZnO 쇼트키 접촉 특성을 분석하였다. ZnO 박막은 사파이어 기판 위에 r.f. 마그네트론 스퍼터링법으로 $400{\sim}600^{\circ}C$의 온도구간에서 Ar과 $O_2$가스의 분압비를 달리하여 성장하였다. 이 때 성장온도 $600^{\circ}C$, 가스 분압비는 Ar : $O_2$ = 15 sccm : 30 sccm 에서 성장된 박막에서 양질의 고결정성 ZnO 박막을 확인하였다. 이 후 성장된 박막에 접촉 면적을 달리하여 dc 마그네트론 스퍼터링법과 lift-off photolithography법으로 AgxO/Ag접촉을 제작하고 쇼트키 접촉특성을 확인하였다. 전류-전압 특성을 확인한 결과 모든 시료에서 정류 특성을 확인하였으며, 접촉면적의 변화에도 쇼트키 장벽의 높이는 일정한 반면 이상지수는 향상되는 경향을 나타내었다. 따라서 본 연구에서는 AgxO/Ag를 이용한 ZnO 쇼트키 접촉면적에 따른 정류특성 및 장벽높이와 이상지수의 상관관계에 대하여 보고한다.
리모트 수소 플라즈마를 이용하여 실리콘 웨이퍼 표면 위에 있는 금속불순물의 제거 및 제거기구에 관하여 조사하였다. 실리콘의 표면과 내부분석을 위하여 TXRF(total reflection x-ray fluorescence)와 SPV(surface photovoltage), AFM(atomic force microscope)을 사용하였다. TXRF 분석결과 리모트 수소 플라즈마가 금속오염물질 제거에 상당한 효과가 있는 것으로 나타났다. TXRF분석결과 리모트 수소 플라즈마가 금속오염물질 제거에 상당한 효과가 있는 것으로 나타났다. 리모트 수소플라트마 처리 후 금속오염은 금속원소의 종류에 따라 1010atoms/$\textrm{cm}^2$-1011atoms/$\textrm{cm}^2$수준이었다. SPV분석결과를 보면 수소 플라즈마 처리에 의해 minority carrier 수명이 전반적으로 증가하였다. AFM 분석을 통하여 수소 플라즈마 처리가 표면 손상을 일으키지 않으며 표면의 거칠기에 나쁜 영향을 미치지 않음을 알 수 있었다. 또한 본 실험에서 나타난 결과들을 종합해 볼 때 금속오염물의 제거기구는 자연산화막 혹은 수소로 passivate된 실리콘 웨이퍼 표면을 수소 플라즈마에서 발생된 수소원자가 실리콘표면을 약하게 에칭할 때 떨어져 나가는 'lift-off'가 유력한 것으로 판단된다.
This paper optimizes the optical flying head(OFH) suspension using the integrated optimization frame, which automatically integrates the analysis with the optimization and effectively implements the repetitive works between them. The problem formulation for the optimization is suggested to improve the dynamic compliance of OFH and to shift the resonant frequencies caused tracking errors to high frequency domain. Furthermore, the minimization of the effective suspension mass that leads to decrease the so-called 'lift-off' as the disk-head separation acceleration divided by the suspension load is taken into consideration. In particular, this study is carried out the optimal design considering the process of modes tracking through the entire optimization processes. The advanced suspension that reduces the effective mass of the suspension and increases the resonant frequencies of sway and $2^{nd}$ torsion over 10kHz is achieved by using the integrated optimization frame.
AIN thin films are deposited on Si (100) and $SiO_2$/Si substrates by using an RF magnetron sputtering method and by changing the conditions of deposition variables, such as RF power, $N_2$/Ar flow ratio, and substrate temperature ($T_sub$). For all the deposited AIN films, XRD Peak patterns are monitored to examine the effect of deposition condition on the crystal orientation. Highly (002)-oriented AIN films are obtained at following nominal deposition conditions; RF Power : 350W, $N_2$/Ar ratio = 10/20, T$_{sub}$ : $250^{\circ}C$, and working pressure = 5mTorr, respectively. AIN-based SAW devices are fabricated using a lift-off method by varying the thickness of AIN layer. Insertion losses and side-lobe rejection levels of fabricated SAW devices are extracted from their frequency response characteristics, which are also compared in terms of AIN thickness and substrate. Relationships between the film properties of AIN films and the frequency responses of SAW devices are discussed. It is concluded from the experimental results that the (002)-preferred orientation as well as the surface roughness of AIN film may play a crucial role of determining the device performances of AIN-SAW devices.s.
U. Gangopadhyay;K. Chakrabarty;S.K. Dhungel;Kim, Kyung-Hae;Yi, Jun-Sin;D. Majumdar;H. Saha
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제5권2호
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pp.41-49
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2004
Layer transfer process has emerged as a promising tool in the field of thin silicon solar cell technology. This process can use mono-crystalline silicon as a surface for the epitaxial growth of a thin layer of silicon. It requires some sort of surface conditioning of the substrate due to which the surface become suitable for homo-epitaxy and lift off after solar cell fabrication. The successful reuse of substrate has been reported. The use of the conditioned surface without any kind of epitaxial layer growth is also the issue to be addressed. This review paper basically describes the five most cost effective methods on which works are in progress. Several types of possible problems envisaged by different research groups are also incorporated here with necessary discussion. Work in Korea has already started in this area in collaboration IC Design and Fabrication Centre, Jadavpur University, India and that also has been mentioned.
Platinum-Cobalt alloy thin films were deposited on $Al_2O_3$ substrates by co sputtering for RTD temperature sensors. We made Pt-Co alloy resistance patterns on $Al_2O_3$ substrate by lift-off method and investigated the physical and electrical characteristics of these films under sputtering conditions (; the input power, working vacuum), annealing conditions (; temperature, time) and also after annealing these films. After the annealing treatment at $800^{\circ}C$ for 60min, the resistivity and sheet resistivity of Pt-Co thin films was $0.0302{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ and $0.1{\Omega}/{\square}$, respectively, and the TCR value of Pt-Co RTD was $3600ppm/^{\circ}C$ in the temperature range of $25{\sim}400^{\circ}C$. These results indicate that Pt-Co thin films have potential for the excellent RTD temperature sensors.
사장교에서 케이블은 하중을 지지하는 주요 부재로, 케이블 장력은 사장교의 건전성과 안전도 평가에 있어서 매우 중요한 변수이다. 케이블 장력을 추정하기 위한 대표적인 방법으로는 로드셀을 이용한 직접법과 진동 계측 자료를 이용한 간접법 등이 있으며, 최근에는 자기장-응력 관계를 이용한 EM(Elasto-Magnetic) 센서 측정법이 개발되어 케이블 장력 추정에 적용되었다. 본 논문에서는 세 가지 장력 추정 기법을 실제 시공중인 사장교에 적용하여, 그 성능을 상호 비교하였다. 본 연구는 한국의 KAIST와 미국 Northeastern 대학교의 공동연구로 수행되었다. 대상 교량은 부산 화명동과 김해 초정리를 연결하기 위해 현재 건설중인 화명대교이다. 화명대교의 교량 형식은 2주탑 콘크리트 사장교 (주탑 경간장 270m, 총 사장교 구간장 500m)이며, 사장재로는 MS (Multi-Strand) 형 케이블이 사용되었다. 실험 당시 화명대교는 중앙경간의 폐합 후 선형관리를 위한 장력조정작업을 수행하였으며, 케이블 재긴장시의 정확한 장력관리를 위하여 로드셀을 이용한 Lift-off test방법으로 케이블의 장력을 측정하였다. 이와 동시에 두 개의 케이블을 대상으로 진동 가속도 센서와 EM 센서를 설치하고 장력 계측을 수행하였으며, 재긴장 단계별 장력 변화치를 지속적으로 계측하였다. 계측된 결과를 바탕으로 케이블 장력 추정 기법의 정확성 및 실교량에서의 활용성을 비교하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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