White phosphorescence polymer light emitting diodes (WPhPLEDs) with a glass/ITO/PEDOT:PSS/PFO:$Ir(ppy)_3$:MDMO-PPV/TPBI/LiF/Al structure were fabricated to investigate the effects of $Ir(ppy)_3$ doping concentrations on the optical and electrical properties of the devices. PFO, $Ir(ppy)_3$ and MDMO-PPV conjugated polymers as host and guest materials in the emission layer were spin coated at various concentrations of $Ir(ppy)_3$ ranging from 0.0 to 20.0 vol.%. As the concentration of $Ir(ppy)_3$ increased from 5.0 to 20.0 vol.%, the luminance and current efficiency values of the devices decreased clearly, which are attributable to the quenching effect at a high doping concentration. The maximum luminance and current density were 2850 $cd/m^2$ and 741 $mA/cm^2$, respectively for a WPhPLED with an $Ir(ppy)_3$ concentration of 5.0 vol.%. The CIE color coordinates were about x=0.33 and y=0.34 at 11V, showing a good white color.
Huang, Fengping;Wang, Shuai;Zhang, Shuang;Fan, Yingge;Li, Chunxue;Wang, Chuang;Liu, Chun
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제35권8호
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pp.2512-2518
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2014
The praseodymium-doped $TiO_2$ photocatalyst samples, which could degrade methyl orange under UV irradiation, were prepared by sol-microwave method for improving the photocatalytic activity of $TiO_2$. The resulting materials were analyzed by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Transmission electron microscopy (TEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Raman spectra, Fourier transform infrared spectra (FTIR) and Ultraviolet-visible diffuse reflectance spectra (UV-vis DRS). It was found Pr doping retarded the growth of crystalline size and the phase transformation from anatase to rutile, and narrowed the band gap energy. Praseodymium doping brought about remarkable improvement in the photoactivity. The optimal dopant amount of Pr was 2% by molar of cement and the calcination temperature was $500^{\circ}C$ for the best photocatalytic activity. The improvement of photocatalytic activity was ascribed to the occurrence of lattice distortion and the effective containment of the recombination of the electron-hole by $Pr^{3+}$.
This paper introduces a nitrogen-doped ordered mesoporous carbon (NOMC) derived from glucosamine with hybrid capacitive behaviors, achieved by successfully combining electrical double-layer capacitance with pseudo-capacitance behaviors. The nitrogen doping content of the fabricated NOMC reached 7.4 at% while its specific surface area ($S_{BET}$) and total pore volume reached $778m^2g^{-1}$ and $1.17cm^3g^{-1}$, respectively. A dual mesoporous structure with small mesopores centered at 3.6 nm and large mesopores centered at 9.9 nm was observed. The specific capacitance of the reported materials reached up to $328Fg^{-1}$, which was 2.1 times higher than that of pristine CMK-3. The capacitance retention rate was found to be higher than 87.9% after 1000 charge/discharge cycles. The supplementary pseudocapacitance as well as the enhanced wettability and conductivity due to the incorporation of nitrogen heteroatoms within the carbon matrixes were found to be responsible for the excellent capacitive performance of the reported NOMC materials.
The composite photocatalyst, N-$TiO_2$ loaded with $Ni_2O_3$, was prepared by $N_2$ plasma treatment. X-ray diffraction, X-ray fluorescence, $N_2$ adsorption, UV-vis spectroscopy, photoluminescence, and X-ray photoelectron spectroscopy were used to characterize the prepared $TiO_2$ samples. The results indicated that the band gap energy was decreased obviously by nitrogen doping, whereas loading of $Ni_2O_3$ did not influence the band gap and visible light absorption. The photocatalytic activities were tested in the degradation of 2,4,6-trichlorophenol (TCP) under visible light. The photocatalytic activity and stability of composite photocatalyst were much higher than that of catalyst modified with nitrogen or $Ni_2O_3$ alone. The synergistic effect of doping nitrogen and $Ni_2O_3$ over $TiO_2$ was investigated.
A type of polycyclotriphosphazene derivative (PCTPD), hexasulfanilic acid polycyclotriphosphazene (HSACP) and HSACP grafting SPEEK, sulfonated poly[2-(petachloropolycyclotriphosphazene-oxy)] etheretherketone (SPPSACPEEK) were synthesized, which were characterized by FTIR and $^{31}P$ NMR. Then three types of composite membranes such as HSACP grafting SPEEK, HSACP blending SPEEK, and nano $Y_2O_3$ doping and HSACP grafting SPEEK, respectively, were continuously prepared by solution-casting method. Comparing to SPEEK membranes with different amount of HSACP grafted or blended, grafting 15 wt% HSACP and doping 10 wt% nano $Y_2O_3$ SPEEK membrane conducted outstanding overall behavior of proton conductivity reaching $3.18 {\times}10^{-2}$ S/cm at $90^{\circ}C$ which was merely junior to SPEEK with 15 wt% HSACP grafted, methanol permeability coefficient getting $9.46{\times}10^{-8}cm^2{\cdot}s^{-1}$, swelling degree of 20.9% and solid residue of 98.98% which was superior to all specimen.
We has been synthesized $(POB)_{2}Ir(pic)$ as a red emitting materials and evaluated in the organic light emitting diodes (OLED). The layer of $Alq_3$ doped with $(POB)_{2}Ir(pic)$ as emitters has been demonstrated. The structure of the device is ITO/ NPB (40 nm) / $Zn(HPB)_2$ (40 nm)/ $Alq_3$ : $(POB)_{2}Ir(pic)$ (30 nm) / LiF / Al. We varied the doped rate of $(POB)_{2}Ir(pic)$. The doped rate is 0.4 %, 0.6%, 0.8 and 1.2%, respectively. When the doped rate of the $Alq_3$:$ Ir(POB)_{2}(pic)$ was 0.6%, white emission is achieved. The Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) coordinates of the white emission are (0.316, 0.331) at an applied voltage of 10.75V.
Recently, the phosphorescent organic light-emitting devices (OLEDs) have been extensively studied for their high internal quantum efficiency. In this study, we synthesised several phosphorescent metal complexes, and certified their composition using NMR. We also investigated the characteristics of the phosphorescent OLEDs with the green emitting phosphor, $Ir(ppy)_{3}$. The devices with a structure of indium-tin-oxide(ITO)/N,N'-diphenyl-N,N'-(3-methylphenyI}-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD)/metal complex doped in host materials/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,10-phenanthroline(BCP)/tris (8-hydroxyquinolinato) Aluminum($Alq_{3}$)/Li:Al/Al was fabricated, and its electrical and optical characteristics were studied. By changing the doping concentration of tris(2-phenylpyridine)iridium ($Ir(ppy)_{3}$), we fabricated several devices and investigated their characteristics.
The influences of Gallium doping on the magnetic microstructures and corrosion behaviors of Nd-Fe-B-Ti-C alloys are investigated. The cooling rate for obtaining fully amorphous structure is raised, and the glassforming ability is improved by the Ga addition. The High Resolution Transmission Electron Microscopy image shows that the ${\alpha}$-Fe and $Fe_3B$ soft magnetic phases become granular surrounded by the $Nd_2Fe_{14}B$ hard magnetic phase. The rms and $({\Delta}{\varphi})_{rms}$ value of Nd-Fe-B-Ti-C nanocomposite alloy thick ribbons in the typical topographic and magnetic force images detected by Magnetic Force Microscopy(MFM) decreases with 0.5 at% Ga addition. The corrosion resistances of $Nd_9Fe_{73}B_{12.6}C_{1.4}Ti_{4-x}Ga_x$ (x = 0, 0.5, 1) alloys are enhanced by the Ga addition. It can be attributed to the formation of more amorphous phases in the Ga doped samples.
양극 활물질의 전기화학적 성능을 개선하기 위하여, 농도 구배형 전구체를 사용한 boron-doped $LiNi_{0.90}Co_{0.05}Ti_{0.05}O_2$를 합성하였다. 제조된 양극 활물질의 특성은 XRD, SEM, EDS, PSA, ICP-OES 및 전기전도도 측정을 통하여 분석하였다. 초기 충 방전 용량, 사이클, 순환전압전류, 율속 특성 및 임피던스 테스트를 통해 전기화학적 성능을 조사하였다. 붕소가 0.5 mol% 도핑된 $LiNi_{0.90}Co_{0.05}Ti_{0.05}O_2$ 양극 활물질은 2.7~4.3 V (vs. $Li/Li^+$)의 전압 범위에서 0.5 C의 전류를 인가했을 때, 187 mAh/g의 용량을 보이며 50 사이클 이후 94.7%의 용량 유지율을 보였다. 상대적으로 고전압인 2.7~4.5 V (vs. $Li/Li^+$)의 전압 범위에서는 200 mAh/g의 높은 용량을 보이며 50 사이클 이후 80.5%의 용량 유지율을 나타냈다.
New organic light-emitting diodes with structure of ITO/DNTPD/TAPC/$Bebq_2/Bebq_2$:RP-411/ET-137/LiF/Al using the selective doping of 5% RP-411 in a single $Bebq_2$ host in the two wavelength(green, red) emitter formation were proposed and characterized. In the experiments, with a 300${\AA}$-thick undoped emitter of $Bebq_2$, three kinds of devices with different thicknesses of 30${\AA}$, 40${\AA}$ and 50${\AA}$ in the doped emitter of $Bebq_2$:RP-411 were fabricated. The electroluminescent spectra showed two peak emissions at the same wavelengths of 511 nm and 622 nm for the fabricated devices. When the device with a 30${\AA}$-thick doped emitter is referred as "D-1", the device with a 40${\AA}$-thick doped emitter is referred as "D-2" and the device with a 50${\AA}$-thick doped emitter is referred as "D-3", the relative intensity of 622 nm to 511 nm at two wavelength peaks was higher in the D-2 and the D-3 than in the D-1. The devices of D-1, D-2 and D-3 showed the color coordinates of (0.43, 0.46), (0.46, 0.44) and (0.48, 0.43) on the CIE chart, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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