In this study, the selective catalytic reduction (SCR) for NOx removal was investigated in the temperature range of $150{\sim}400^{\circ}C$. XRD, BET and XPS analyses to determine the structural properties and valence state characteristics of the catalyst were performed. Various ball mill method were shown to a difference in activity at a low temperature below $250^{\circ}C$. Based on the catalyst with the highest denitrification efficiency, the ball mill time was the best result at 3 h. As a result of XPS analysis, the presence of the non-stoichiometric vanadium species and the increase of the number of atoms were attributed to a positive effect in the SCR reaction. it was confirmed that the correlation between the amount of lattice oxygen and the denitrification efficiency through the $O_2$ on-off experiment, and it was in a proportional relationship to each other.
A series of $CeO_2-TiO_2$ composite samples with different Ce/Ti molar ratios were prepared by the paper template. Powder X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM) were used to confirm a face-centered cubic lattice of $CeO_2$ with Ce/Ti =8:2 or 9:1 and a two phase mixture of anatase titania and face-centered cubic ceria with Ce/Ti = 7 : 3. The field emission scanning electron microscopy (FESEM) results suggest that the products are micron braid structures consisting of fibers with diameters in a range of $1-6{\mu}m$ and lengths of several hundred micrometers. $N_2$ absorption-desorption testing shows that the composite at Ce/Ti molar fraction of 8 : 2 has the largest BET surface area (about $81m^2{\cdot}g^{-1}$). Compared to the pure $CeO_2$ sample, the composites show superior catalytic activity for $H_2$ reduction and CO oxidation. For the micron braid structure $CeO_2-TiO_2$ composite (Ce/Ti = 8 : 2), due to the high surface area and the solid solution with appropriate $Ti^{4+}$ incorporation, the CO conversion at about $280^{\circ}C$ was above 50% and at $400^{\circ}C$ was 100%.
Lattice-matched InAIAs epilayers were grown on (001) InP substrate by low pressure metalorganic chemical vapor deposition. The effects of growth conditions on the properties of InAIAs were analyzed, and InGaAs/InAIAs single and multiple quantum wells were successfully grown. It was observed that the optical property of InAIAs epilayers was improved in the temperature range of 620~$700^{\circ}C$ as the growth temperature increased due to the reduction of oxygen incorporation, however, the crystallinity decreased at temperatures higher than $750^{\circ}C$ due to the degraded crystallinity of the bufter layers. The enhanced incorporation of AI into epilayer was observed at high $AsH_3$flow rates and it was explained in terms of the differences in bond strengths of AI-As and In-As. The measured photoluminescence peak energies from InGaAs/InAIAs single quantum wells were consistent with the calculated ones based on transfer matrix method. High-order satellite peaks and fine thickness fringes were observed by high-resolution x-ray diffraction, implying that the high-quality multiple quantum wells with abrupt heterointerfaces were grown.
In this report, we present the results of a study on the effects of the particle size on the properties of the Prussian blue (PB) analog $Na_xMn_y[Fe(CN){_6}]$. A novel synthesis method of the $Na_xMn_y[Fe(CN){_6}]$ nano-particles using an organic solvent, formamide, is employed. The size of the PB particles is found to be 100-150 nm for the samples prepared in the formamide solvent, which is much smaller than that of the samples prepared using water only. The broadening of the X-ray diffraction peaks of the nano-sized PB samples is attributed to the lattice disorder and a dramatic reduction in the particle size. The compositions of the samples are confirmed by an energy-dispersive X-ray analysis (EDAX), and the result proves that the samples are actually $Na_xMn_y[Fe(CN){_6}]$ Prussian blue. The UV-vis spectra show a broad intervalence charge-transfer (CT) band in the visible region between 400 and 700 nm, and the absorption decreases abruptly in the green region for the nano-sized PB sample. A divergence between the field cooled (FC) and zero field cooled (ZFC) magnetization curves is observed for the nano-sized PB sample at 11 K, indicating that nanoparticles in the sample are single domain superparamagnets with a blocking temperature of 11 K. Our results reveal that the nano-sized PB samples show significantly different optical and magnetic properties than those of the bulk PB samples.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.11a
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pp.171-174
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2002
The barium strontium titannate (BST) thin films were etched in $CF_{4}/Ar$ inductively coupled plasma (ICP). The high etch rate obtained at a $CF_{4}(20%)/Ar(80%)$ and the etch rate in pure argon was twice higher than that in pure $CF_{4}$. This indicated that BST etching is sputter dominant process. It is impossible to avoid plasma-induced damages by the energetic particles in the plasma and the nonvolatile etch products. The plasma damages were evaluated in terms of leakage current density, residues on the etched sample, and the changes of roughness. After the BST thin films exposed in the plasma, the leakage current density and roughness increases. In addition, there are appeared a nonvolatile etch byproductsand from the result of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). After annealing at ${600^{\circ}C}$ for 10 min in $O_{2}$ ambient, the increased leakage current density, roughness and nonvolatile etch byproducts reduced. From the this results, the plasma induced damage recovered by annealing process owing to the relaxation of lattice mismatches by Ar ions and the desorption of metal fluorides in high temperature.
Kim, Seong-Soo;Kim, Jeong Wook;Park, Sung Hoon;Jung, Sang-Chul;Jeon, Jong-Ki;Ryu, Changkook;Park, Young-Kwon
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.34
no.11
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pp.3387-3390
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2013
Catalytic gasification of mandarin waste residue was carried out using direct and indirect catalyst-contact methods for the first time. In the indirect method, non-catalytic reaction in a reactor was followed by catalytic upgrading of vapor product in another reactor. Two different catalysts, $Ni/{\gamma}-Al_2O_3$ and $Ni/CeO_2-ZrO_2$, were employed. $CeO_2-ZrO_2$ support was prepared using hydrothermal synthesis in supercritical water. The catalysts were characterized by $H_2$-temperature programmed reduction and Brunauer-Emmett-Teller analyses. Under the condition of equivalent ratio (ER) = 0, the indirect catalyst-contact method led to a higher gas yield than the direct method. Under ER = 0.2, the yield of biogas obtained over $Ni/CeO_2-ZrO_2$ was higher than that obtained over $Ni/{\gamma}-Al_2O_3$. Also, the coke formation of $Ni/CeO_2-ZrO_2$ was lower than that of $Ni/{\gamma}-Al_2O_3$. Such results were attributed to the higher reducibility and better lattice oxygen mobility of $Ni/CeO_2-ZrO_2$, which were advantageous for partial oxidation reaction.
Rathika, R.;Kovendhan, M.;Joseph, D. Paul;Pachaiappan, Rekha;Kumar, A. Sendil;Vijayarangamuthu, K.;Venkateswaran, C.;Asokan, K.;Jeyakumar, S. Johnson
Nuclear Engineering and Technology
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v.52
no.11
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pp.2585-2593
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2020
Swift heavy ion (SHI) beam irradiation can generate desirable defects in materials by transferring sufficient energy to the lattice that favours huge possibilities in tailoring of materials. The effect of Ag15+ ion irradiation with energy 200 MeV on spray deposited V2O5 thin films of thickness 253 nm is studied at various ion doses from 5 × 1011 to 1 × 1013 ions/㎠. The XRD results of pristine film confirmed orthorhombic structure of V2O5 and its average crystallite size was found to be 20 nm. The peak at 394 cm-1 in Raman spectra confirmed O-V-O bonding of V2O5, whereas 917 cm-1 arise because of distortion in stoichiometry by a loss of oxygen atoms. Raman peaks vanished completely above the ion fluence of 5 × 1012 ions/㎠. Optical studies by UV-Vis spectroscopy shows decrement in transmittance with an increase in ion fluence up to 5 × 1012 ions/㎠. The red shift is observed both in the direct and indirect band gaps until 5 × 1012 ions/㎠. The surface topography of the pristine film revealed sheath like structure with randomly distributed spherical nano-particles. The roughness of film decreased and the density of spherical nanoparticles increased upon irradiation. Irradiation improved the conductivity significantly for fluence 5 × 1011 ions/㎠ due to band gap reduction and grain growth.
Carbon coating approach is used to prepare carbon-doped $MgB_2$ bulk samples using low-cost naphthalene ($C_{10}H_8$) as a carbon source. The coating of carbon (C) on boron (B) powders was achieved by direct pyrolysis of naphthalene at $120^{\circ}C$ and then the C-coated B powders were mixed well with appropriate amount of Mg by solid state reaction method. X-ray diffraction analysis revealed that there is a noticeable shift in (100) and (110) Bragg reflections towards higher angles, while no shift was observed in (002) reflections for $MgB_2$ doped with carbon. As compared to un-doped $MgB_2$, a systematic enhancement in $J_c(H)$ properties with increasing carbon doping level was observed for naphthalene-derived C-doped $MgB_2$ samples. The substantial enhancement in $J_c$ is most likely due to the incorporation of C into $MgB_2$ lattice and the reduction in crystallite size, as evidenced by the increase in the FWHM values for doped samples.
GaN is a key material for blue and ultraviolet optoelectronics. Postannealing process was employed to investigate the structural change and the effect on electrical property of the GaN thin film grown on reactive ion beam(RIB) treated sapphire (0001) substrate. Full width half maximum (FWHM) of double crystal x-ray diffraction (DCXRD) spectra and Hall mobility of the specimen were significantly changed depending on the postannealing time at $1000^{\circ}C$ in N2 atmosphere. FWHM of DCXRD reduced upto about 50arc-sec and the mobility increased about $80\textrm{cm}^2$/V.sec. The postannealed specimen with the best mobility was compared with sample without annealing by TEM. The former sample showed a decrease in the lattice strain and reduction of dislocation density by about 56~59%. This implies that there is a strong correlation between crystalline quality and the electrical property of the film. The Present results clearly show that the combination of RIB pretreatment and proper post annealing conditions results in the improved properties of GaN films grown by MOCVD.
Park, Myung-Hee;Choi, Geun-Sik;Jung, Woo-Sik;Kim, Hae-Dong;Lee, Joon-Soo
Journal of Environmental Science International
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v.19
no.10
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pp.1271-1281
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2010
This study aims to implement the modeling of selected substances for the evaluation of Atmospheric Environmental Capacity by means of the data of 2006 atmospheric pollution substance emissions. As a result, it turned out that the substance with the concentration higher than Atmospheric Environmental standard concentration was NO2, and 17.6% of the total regions researched turned out to exceed the standard concentration. In addition, set was the targeted amount to be reduced in the areas where the upper limit of emission per unit lattice was exceeded, and the model was adopted accordingly. As a result, it turned out that about 80% of the actual emission should be reduced to meet the 2006 Atmospheric Environmental standard over the Daegu. In reality, it is impossible to reduce 80% of the actual emission. Thus, the same ratio of reduction was applied in all of the Daegu regions, and the modeling was applied. The results are as follows: When 30% was reduced, the level went down to 50 ppb, which is as high as 2006 Atmospheric Environmental standard; when 50% was reduced, the level went down to 30 ppb, which is as high as 2007 Atmospheric Environmental standard.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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