21세기 정보화시대에 미디어의 발전은 고저장밀도를 요구하는 정보저장 장치의 개발을 필요로 하게 되었고, 현재 정보저장 장치의 주류를 이루는 magnetic recording 방식에 의한 HDD는 향후 5년 이내에 초자성한계 (super paramagnetic limit)라는 물리적 현상에 직면하여 더 이상 발전이 어려울 깃이다 따라서 이러한 한계를 극복하기 위한 여러 기술 증 Scanning Probe Microscope (SPM)을 이용한 차세대 탐침형 정보저장 기술은 미세한 끝단 반경을 가지는 탐침과 표면의 상호작용을 이용하여 정보를 기록/재생하는 기술로써 수십 nm 크기의 bit를 형성하여 Tbit/in$^2$ 이상의 높은 저장밀도를 가질 수 있으므로 현재 가장 상용화될 가능성이 높다.(중략)
A THz near-field microscope(THz NFM) is developed by a combination of THz time-domain spectroscopy and AFM(Atomic Force Microscopy). We have observed 80nm lateral resolution, demonstrating that the THz NFM technique has a great potential as a important probing tool for the analysis of the biological and semiconductor nanostructures.
A quantitative study of impact damage of ${Al_2}}O_3}-TiO_2$ plasma coated soda-lime glasses was carried out and compared with that of the uncoated smooth glass specimen. The shape of cracks by the impact of steel ball was observed by stereo-microscope and the decrease of the bending strength due to the impact of steel ball was measured through the 4-point bending test. At the low velocity, cone cracks were occurred. As the impact velocity increases, initial lateral cracks were propagated on the slanting surface of a cone crack, and radial cracks were generated at the crushed site. When the impact velocity of steel ball exceeds the critical velocity, the contact site of specimen was crushed due to plastic deformation and then radial and lateral cracks were largely grown. Crack length of coated specimens was smaller than that of uncoated smooth specimen due to the effect of coating layer on the substrate surface. According to impact velocity, the bending strength of coated specimens had no significant difference, compared with that of the uncoated smooth specimen. But this represents that the bending strength of coated specimens was increased, considering the effect of sand blasting damage which was performed to increase the adhesion force of coating layer.
Diamond-like carbon (DLC) films have been prepared by means of the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method using vertical-capacitor electrodes. The deposition rata in our experiment is relatively small compared with that in the conventional PECVD methods, which implies that the accumulation of the neutral $CH_n$ radicals on the substrates due to the gravitational movement may not contribute to the deposition of DLC films. The hardness and the transparency were measured as a function of the ratio of the partial pressure of $CH_4-H_2$ mixtures or the hydrogen contents of specimens. The coefficients of friction between DLC films and a $Si_3N_4$ tip measured by using a lateral force microscope are in the range of 0.024 to 0.033 which depend on the hydrogen contents in DLC, and the surface roughness depends mainly on the deposition rate. The optical gaps increase with increasing the hydrogen contents. DCL films deposited on Pt-coated Si wafers show the stable emission characteristics, and the turn-on fields are in the range of 11 to 20 $V/\mu$m.
본 연구에서는 마이크로/나노입자를 이용한 연마가공 공정에서의 입자-표면간 접촉상황에서 접촉계면의 기계적 성질과 재료제거율간의 관계를 실험적으로 고찰하였다. 연마가공 공정에서의 입자-평면간 접촉을 모사하기 위하여 팁 대신 실리카 입자를 부착한 콜로이드 프로브를 이용한 원자현미경 실험을 통하여 마찰력과 강성을 실험적으로 측정하였다. 실험결과와 이론적 접촉해석으로부터, 마찰계수는 횡방향 접촉강성에 따라 대체적으로 증가하고 재료제거율은 실리카 입자와 Cu, PolySi, Ni과 같은 다양한 재료표면간 접촉에서의 마찰계수들과 지수함수적인 비례관계를 가지고 있음을 규명하였다.
다중 적층법을 이용하여 수평방향으로 자기정렬된 InGaAs/GaAs 양자점(quantum dot, QD)을 제작하고, 원자력간 현미경(AFM) 사진과 발광(PL) 스펙트럼을 이용하여 QD의 특성을 분석하였다. 적층주기가 증가함에 따라 정렬 QD의 길이가 길어지고, 임계 성장온도 이상에서는 QD 사이의 상호확 산에 의하여 양자선 형태로 변화함을 관측하였다. 성장 변수가 서로 다른 4개 시료의 비교 분석을 통하여, 수직으로 적층되면서 비등방성 정렬이 이루어지고, 수 ${\mu}m$ 이상 1차원적으로 정렬된 QD 사슬 모양 의 구조를 얻을 수 있었다. 또한 성장일시멈춤 과정을 통한 이주시간의 증가는 QD의 1차윈 정렬에 중요한 변수임을 알 수 있었다. 고온에서 덮개층을 형성한 QD 구조에서 관측된 발광 에너지의 청색변위 현상은 InGaAs QD로부터 In이 덮개층으로 확산되었기 때문으로 해석된다.
Kim, Jin-A;Myung, Eun-Kyung;Lee, In-Hwan;Paik, Seung-R.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제28권12호
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pp.2283-2287
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2007
Amyloid fibril formation of amyloid β/A4 protein (Aβ) is critical to understand the pathological mechanism of Alzheimer's disease and develop controlling strategy toward the neurodegenerative disease. For this purpose, dequalinium (DQ) has been employed as a specific modifier for Aβ aggregation and its subsequent cytotoxicity. In the presence of DQ, the final thioflavin-T binding fluorescence of Aβ aggregates decreased significantly. It was the altered morphology of Aβ aggregates in a form of the bundles of the fibrils, distinctive from normal single-stranded amyloid fibrils, and the resulting reduced β-sheet content that were responsible for the decreased fluorescence. The morphological transition of Aβ aggregates assessed with atomic force microscope indicated that the bundle structure observed with DQ appeared to be resulted from the initial multimeric seed structure rather than lateral association of preformed single-stranded fibrils. Investigation of the seeding effect of the DQ-induced Aβ aggregates clearly demonstrated that the seed structure has determined the final morphology of Aβ aggregates as well as the aggregative kinetics by shortening the lag phase. In addition, the cytotoxicity was also varied depending on the final morphology of the aggregates. Taken together, DQ has been considered to be a useful chemical probe to control the cytotoxicity of the amyloid fibrils by influencing the seed structures which turned out to be central to develop therapeutic strategy by inducing the amyloid fibrils in different shapes with varied toxicities.
Much interest has been focused on InGaN-based materials and their quantum structures due to their optoelectronics applications such as light emitting diode (LED) and photovoltaic devices, because of its high thermal conductivity, high optical efficiency, and direct wide band gap, in spite of their high density of threading dislocations. Build-in internal field-induced quantum-confined Stark effect in InGaN/GaN quantum well LED structures results in a spatial separation of electrons and holes, which leads to a reduction of radiative recombination rate. Therefore, many growth techniques have been developed by utilizing lateral over-growth mode or by inserting additional layers such as patterned layer and superlattices for reducing threading dislocations and internal fields. In this work, we investigated various characteristics of InGaN multiple quantum wells (MQWs) LED structures grown on selectively wet-etched porous (SWEP) GaN template layer and compared with those grown on non-porous GaN template layer over c-plane sapphire substrates. From the surface morphology measured by atomic force microscope, high resolution X-ray diffraction analysis, low temperature photoluminescence (PL) and PL excitation measurements, good structural and optical properties were observed on both LED structures. However, InGaN MQWs LED structures grown on SWEP GaN template layer show relatively low In composition, thin well width, and blue shift of PL spectra on MQW emission. These results were explained by rough surface of template layer, reduction of residual compressive stress, and less piezoelectric field on MQWs by utilizing SWEP GaN template layer. Better electrical properties were also observed for InGaN MQWs on SWEP GaN template layer, specially at reverse operating condition for I-V measurements.
Protection mechanisms for skin damage of ultraviolet (UV) absorbers in personal care products for protection against UV are well studied, but not for hair protection. The purpose of this study is to describe and compare the changes of physical property produced in human hair by doses of the UV-B exposure causing protein degradation. To observe the change of physical properties in hair, the experimental intensity of UV-B exposure has been established on the basis of statistical data from official meterological administration as daily one hour sunlight exposure for two weeks. Polysilicone-15, ethylhexyl methoxycinnamate (OMC), and octocrylene were employed for UV-B absorber, and those were treated to hair swatch by rubbing wash through shampoo and conditioner. Bending rigidity displayed kinetically successive reduction at high doses of UV exposure up to the 8,000 s, and exhibited different level at each sample of UV-B absorber. However, the values of Bossa Nova Technologies (BNT) for shinning factor were already saturable at the 2,000 s exposure except that treated with polysilicone-15. The differential scanning calorimetry (DSC) to measure a strength of inner protein produces a successive reduction of enthalpy as like a reduction of bending rigidity upon UV exposure. Surface roughness from lateral force microscope (LFM) acquired immediately after UV exposure show a saturable frictional voltage which has been also found in a saturable BNT data as the time of UV exposure increases. Through researching the DSC and the LFM, shinning of hair was much correlated to the protein damage at the surface, and bending rigidity could be regulated by the protein structural damage inside hair. Therefore, the optimization of efficient strategy for simultaneous prevention of hair protein on the surface and internal hair was required to maintain physical properties against UV.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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