• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.18 no.5
• /
• pp.358-364
• /
• 2009

We investigated the growth of ZnO thin films with prominent emission characteristics through minimizing the formation of defects by using pulsed laser deposition (PLD). To do so, the ZnO films were deposited on sapphire(0001) substrates at the substrate temperature of $400-850^{\circ}C$ and then the variation of their structural and optical properties were analyzed by x-ray diffraction, atomic force microscope and photoluminescence. As a result, all ZnO films were grown with c-axis preferential orientation irrespective of the substrate temperature. However, the crystallinity and stress state were dependent on the substrate temperature and the ZnO film deposited at $600^{\circ}C$ showed the best surface morphology and crystallinity with nearly no strain. And also this film exhibited outstanding emission characteristics from the viewpoint of full width half maximum of UV emission peak as well as visible emission due to defects. These results indicate that the emission characteristics of the ZnO films are strongly related to their structural characteristics influenced by substrate temperature. Consequently, ZnO films with strong UV emission and nearly no visible emission, which are applicable to UV emission devices, could be grown at the substrate temperature of $600^{\circ}C$ by PLD.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
• /
• 2010.06a
• /
• pp.73.1-73.1
• /
• 2010

태양광 시장은 세계적인 금융 위기 속에서도 점점 그 규모가 확대되고 있다. 시장의 규모가 확대되고 있음에도 불구하고 금융 위기를 겪으면서 생산자 중심의 시장에서 수요자 중심의 시장으로 바뀌게 되었다. 이에 따라 더 적은 비용으로 높은 출력의 제품만이 경쟁력을 가지게 됨으로써 효율이 더욱 이슈화되었다. 여러 태양전지 중 가장 점유율이 높은 결정질 태양전지는 일반적인 양산 공정만으로 효율을 높이는데 한계가 있으므로 selective emitter, back contact, light induced plating 등의 새로운 공정을 도입하여 효율을 높이려는 경향이 나타나고 있다. 본 연구에서는, ALD 장치를 사용하여 결정질 태양전지의 후면을 passivation 함으로써 효율을 높이는 방법을 모색하였다. 부동화 층으로는 $Al_2O_3$를 사용하였으며 셀을 제조하여 평가하였다. 실험방법은 p-type의 웨이퍼를 이용하여 습식으로 texturing 후 $POCl_3$ 용액으로 p-n junction을 형성하였고 anti-reflection 막인 SiNx는 PECVD를 사용하여 R.I 2.05, 80nm 두께로 증착하였다. 그런 다음 후면의 n+ layer를 제거하기 위하여 SiNx에 영향을 미치지 않는 용액을 사용하여 후면을 식각하였다. BSF 층은 screen printer로 Al paste를 printing하여 형성하였고 Al etching용액으로 여분의 Al제거한 후 ALD 장치를 이용하여 $Al_2O_3$를 증착하였다. 마지막으로 전극을 형성한 후 laser로 isolation하여 효율을 평가하였다.