• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제11권1호
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• pp.80-85
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• 1998

• 접착 및 계면
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• 제11권4호
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• pp.144-148
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• 2010

본 연구에서는 플라즈몬 공명 신호 증폭을 위한 AuNPs의 실리카 표면 개질 및 나노 입자의 안정적인 표면 박막 형성을 목표로 하였다. 직경 10 nm의 AuNPs를 수용액 상에서 제조하였으며, AuNPs 표면에 실리카 층을 단계별로 형성시켰다. Tetraethlyorthosilicate 농도를 조절함으로써 실리카 박막 두께를 조절하였으며, 얻어진 나노 입자들을 수용액 표면에 분산시켜 Langmuir-Blodgett 박막을 제조하였다. 흡광스펙트럼의 변화를 관찰함으로써 AuNPs의 크기 변화를 확인하였으며, 원자 힘 현미경으로 LB 박막의 형성 여부와 표면 균일도를 살펴보았다.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제20권2호
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• pp.148-153
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• 2003

Electron transfer through an Langmuir-Blodgett(LB) monolayer film sandwiched between metal electrodes. We used an eicosanoic acid material and the material was very famous as a thin film insulating material. Eicosanoic acid monolayer was deposited by Langmuir-Blodgett(LB) technique and a subphase was a $CdCl_2$ solution as a 2${\times}10^{-4}$ mol/L. Also we used a bottom electrode as an Al/$Al_2O_3$ and a top electrode as a Al and Ti/Al. Here, the $Al_2O_3$ on the bottom electrode was deposited by thermal evaporation method. The $Al_2O_3$ layer was acted on a tunneling barrier and insulating layer in tunnel diode. It was found that the proper transfer surface pressure for film deposition was 25 mN/m and the limiting area per molecule was about 24 ${\AA}^2$/molecule. When the positive and negative bias applied to the molecular device, the behavior shows that a tunnel switching characteristics. This result were analyzed regarding various mechanisms.

• 한국재료학회지
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• 제10권8호
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• pp.564-568
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• 2000

Langmuir-Blodgett(LB) 법은 미래의 분자전자소자를 위한 가장 유력한 수단이며, 이러한 분자박막 소자는 그 성질이 분자는 배향에 영향을 박데 되므로 현재 새로운 물질을 이용하여 분자전자소자의 제작에 있어 관심을 모으고 있다. 본 연구에서는 (N-docosyl quinolinium)-TCNQ(1:2) 전하 이동 착물 LB 막의 분자 배향을 UV/vis 편광흡수 스펙트럼과 FT-IR transmission 및 reflection-absorption 스펙트럼의 흡수강도를 비교하여 정량적으로 평가하였다. 그 결과 TCNQ의 transition dipole moment의 각은 약 56~58。 였으며, 알킬 고리의 경사각은 약 11.1~13。였다. 제작된 Z-형 LB 막의 표면은 고압에서 중앙 높이 차가 3~4$\AA$으로 평탄하였다.

• 한국재료학회지
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• 제9권12호
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• pp.1229-1233
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• 1999

본 연구에서는 (N-docosyl quinolinium)-TCNQ (1:2) 착물의 LB초박막을 제작하였다. LB막의 누적을 위한 최적조건을 구하기 위하여 subphase 온도, barrier 압축속도 및 분산량을 변화시키면서 표면압-면적(${\pi}$-A) 등온선 특성을 측정하였다. 그리고 전이비, UV-vis의 최대 흡광도, 정전용량 및 두께를 측정하여 LB막의 누적상태를 확인하였다. 그 결과 분자수준으로 잘 제어된 양호한 LB막이 제작되었음을 알 수 있었다..

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.831-834
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• 2000

Characteristics of organic light-emitting diodes(OLEDs) were studied with devices made by PECCP[poly(3,6-N-2-ethylhexyl carbazolyl cyanoterephthalidene)] Langmuir-Blodget(LB) films. The emissive organic material was synthesized and named PECCP, which has a strong electron donor group and an electron accepter group in main chain repeated unit. The LB technique was employed to investigate the identification of the recombination zone in the ITO/PECCP LB films/Alq$_3$/Al structure by varying the LB film thickness. PECCP was considered as an emissive layer and Alq$_3$was used as an electron-transport layer. We measured current-voltage(I-V) characteristics, UV/visible absorption, PL spectrum, and EL spectrum of those devises.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.1090-1093
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• 2003

최근에 각광을 받고 있는 전기 발광 소자를 Langmuir-Blodgett(LB)법을 이용하여 제작하였다. 사용 시료는 본 연구팀에서 합성을 하였으며, 시료는 PECCP[poly(3,6-N-2-ethylhexyl carbazolyl cyanoterephthalidene)]이며, 이 물질은 반복되는 주쇄에서 강한 전자 주게 그룹과 강한 전자 받게 그룹을 가지고 있다. PECCP 발광층을 제작하는데는 Langmuir-Blodgett(LB)법을 사용하였으며, 누적 층수에 의해 금속/고분자 계면의 특성을 조사하였다. 소자의 구조는 ITO/PECCP LB/Al과 ITO/PECCP LB/$Alq_3$/Al이며, ITO와 $Alq_3$ 사이에 발광층으로써 PECCP LB막을 도입하였다. 여기서 $Alq_3$는 전자 전달 층으로 사용되었다. PECCP LB막의 UV/visible 흡수 피크는 약 410mm에서, PL 피크는 약 536mm에서, 그리고 EL 피크도 역시 약 536nm에서 관찰되었다. 또한 $Alq_3$를 도입한 구조에서의 EL 피크 측정 결과 다양한 발광피크가 관측되었으며, Fowler-Nordheim 분석법을 이용하여 금속의 유기 막에 대한 일함수 값을 계산하였으며, 금속의 유기 막에 대한 일함수 값은 $0.18{\sim}0.26eV$이 계산되었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권5호
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• pp.419-424
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• 1997

It is well known that the metallo-phthalocyanines (MPcs) are sensitive to toxic gaseous molecules such as NO$_2$ as well as are chemically and thermally stable. Therefore, lots of MPcs have been studied as the potential chemical sensor for NO$_2$gas using quartz crystal microbalance(QCM) or electrical conductivity. In this study, thin films of octa(2-ethylhexyloxy)copper-phthalocyanine were prepared by Langmuir-Blodgett method and characterized by using UV-VIS absorption spectroscopy and ellipsometry. Optimal transfer condition of LB films was investigated and preliminary results of current-voltage(I-V) characteristics of these films exposed to NO$_2$gas as a function of film thickness, temperature and concentration were discussed.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1991년도 제6회 파동 및 레이저 학술발표회 Prodeedings of 6th Conference on Waves and Lasers
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• pp.94-97
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• 1991

We have deposited the three kinds of the Langmuir-Blodgett films (Phenylhy drazone, O-stilbazene, N-stilbazene) which have optically nonlinear effect. To study the electro-optic characteristics of these LB films, we performed the differential attenuated total reflection experiment in which the optical properties of the LB films modulated by the electric field(νE = 1KHz). The surface non-linear susceptibilities $\chi$(2) of these LB films obtained, are 1.17$\times$10-10 (m/V), 36.3$\times$10-10 (m/V), and 1.62$\times$10-10 (m/V) for Phenylhydrazone, O-stilbazene, and N-stilbazene, respectively.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권8호
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• pp.581-586
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• 1998

This paper describes athermally stimulated displacement current (TSDC) of arachidic acid(AA) and polyamic acid alkylamine salts(PAAS) Langmuir-Blodgett(LB) films, which is a precursor of polyimide(PI). The TSDC measurements of AA LB film were performed from temperature to about 11$0^{\circ}C$ at a rate of 0.2$^{\circ}C$/ｓ inside a vacuum chamber for a reference. And the TSDC measurements PAAS LB film were performed from room temperature to about 25$0^{\circ}C$ and temperature was increased at the same rate as that of AA LB film. They show that there are TSDC peaks at about 7$0^{\circ}C$ in the arachidic acid LB films, and at about 7$0^{\circ}C$ and 16$0^{\circ}C$ in the PAAs LB films. Results of these measurements indicate the one small peak at 7$0^{\circ}C$ is resulted from a softening of the alkyl group and the large peak at 16$0^{\circ}C$ is possibly due to dipole of C-O group in the PASS molecule. We have calculated the vertical component of the AA and PAAs L film out of the TSDC curves. It shows that the dipole moment of the AA LB film is about 70-mD at 7$0^{\circ}C$. And the dipole moment of PAAS LB film is about 040mD at 7$0^{\circ}C$ and about 200mD at 16$0^{\circ}C$ in the first measurement of TSDC. In the second measurement of TSDC of PASS LB film after cooling down to room temperature, the TSDC peaks are almost disappeared.