• 제목/요약/키워드: LTE signal

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재구성 전력증폭기용 혼합형 가변 전압 공급기의 설계 (Design of Hybrid Supply Modulator for Reconfigurable Power Amplifiers)

  • 손혁수;김우영;장주영;이해진;오인열;박철순
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권4호
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    • pp.475-483
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    • 2012
  • 본 논문은 차세대 재구성 전력증폭기용을 위해서, 새로운 타입의 다중 모드 혼합형 전압 공급기를 제안한다. 이를 위한 핵심 회로인 스위칭 증폭기의 새로운 구조를 제안하였다. 혼합형 전압 공급기의 가장 중요한 성능지표 중의 하나인 효율을 증가시키기 위해 멀티 스위칭 증폭기 구조를 이용하였고, 또한 다중 모드 구현을 위해서 멀티 스위칭 증폭기와 입력 신호 검출단을 이용하였다. 성능 비교를 위해서 기본 구조를 지닌 혼합형 가변전압 공급기도 같이 설계되었으며, 새롭게 제안하는 구조 이외에는 모두 동일하게 설계하여 비교를 용이하도록 하였다. 설계된 혼합형 전압 공급기의 효율을 측정하기 위해 384 kHz/3.84 MHz/5 MHz 대역폭을 가지는 EDGE, WCDMA, LTE 신호를 적용하였다. EDGE를 적용한 효율은 85 %, WCDMA를 적용한 효율은 84 % 그리고 LTE를 적용한 효율은 79 %의 결과를 얻게 되었다. 이는 기본 구조보다 최대 9 %의 성능 향상을 얻었으며, 차세대 재구성 송신기인 다중 대역 및 다중 모드 송신기 구현에 적용 가능함을 입증한다.

셀룰러 네트워크상의 D2D 통신 시스템에서 간섭 억제 및 제거를 위한 연판정 기반 향상된 수신기 (Soft Decision based Advanced Receiver to Suppress and Cancel the Interference in D2D Communication Underlaying Cellular Network)

  • 문상미;추명훈;김한종;김대진;김철성;황인태
    • 전자공학회논문지
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    • 제52권12호
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    • pp.10-21
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    • 2015
  • 셀룰러 네트워크에서 기지국의 과부하를 줄이고 주파수 부족 현상을 완화시킬 수 있는 D2D(Device-to-Device) 통신에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만 셀룰러 네트워크의 상향링크 주파수 자원을 공유함으로써 상호간의 간섭은 증가하게 된다. 본 논문에서는 셀룰러와 D2D 사이의 간섭을 줄이기 위하여 연판정 기반의 향상된 수신기를 제안한다. 제안한 수신기는 MMSE (Minimum Mean Square Error) 또는 IRC (Interference Rejection Combing) 수신기를 통해 간섭 신호의 불편 추정 (unbiased estimation) 값을 계산 하고 간섭 신호를 억제 및 제거한다. 간섭 신호는 LLR (Log-Likelihood Ratio)로 표현되는 소프트 정보를 통해 업데이트 한다. 시스템 레벨 시뮬레이션은 3GPP LTE-A 시스템의 20MHz 대역을 기반으로 이루어 졌으며, 시뮬레이션 결과 제안한 수신기를 통해 기존 수신기보다 SINR, 전송률 및 스펙트럼 효율 측면에서 성능 향상을 가져다주는 것을 확인하였다.

다중 셀 상향링크 네트워크에서 신호와 간섭을 동시에 고려하는 전력 제어 및 사용자 스케쥴링 (Joint User Scheduling and Power Control Considering Both Signal and Interference for Multi-Cell Networks)

  • 조문제;정방철;반태원
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권3호
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    • pp.477-483
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    • 2016
  • 본 논문은 다중 셀 상향링크 네트워크에서 사용자의 신호 대 발생 간섭 및 잡음비 (SGINR)를 최대화하기 위하여 간섭인지 및 전력제어 기술을 이용한 분산 스케쥴링 방식을 제안한다. 먼저 시분할 시스템의 상호 호환성 특성을 이용하여 각 사용자는 인접 기지국으로부터 받은 파일럿 신호를 통하여 채널을 습득하고 데이터 전송 시 인접 셀 기지국들에 미칠 간섭을 각자 계산할 수 있다고 가정한다. 제안한 스케쥴링은 사용자가 인접 셀 기지국에 미치는 간섭의 양을 계산하여 미리 결정된 임계값보다 클 경우 자기 신호의 송신 전력을 낮추는 전력 제어 알고리즘을 이용하여 사용자를 분산적으로 선택한다. 제안한 기법의 상향링크 데이터 전송률은 기존의 사용자 스케쥴링 알고리즘들에 비하여 월등히 좋은 성능을 보인다.

Measurement of electron temperature and density using Stark broadening of the coaxial focused plasma for extreme ultraviolet (EUV) lithography

  • Lee, Sung-Hee;Hong, Young-June;Choi, Eun-Ha
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.475-475
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    • 2010
  • We have generated Ar plasma in dense plasma focus device with coaxial electrodes for extreme ultraviolet (EUV) lithography and investigated an emitted visible light for electro-optical plasma diagnostics. We have applied an input voltage 4.5 kV to the capacitor bank of 1.53 uF and the diode chamber has been filled with Ar gas of pressure 8 mTorr. The inner surface of the cylindrical cathode has been attatched by an acetal insulator. Also, the anode made of tin metal. If we assumed that the focused plasma regions satisfy the local thermodynamic equilibrium (LTE) conditions, the electron temperature and density of the coaxial plasma focus could be obtained by Stark broadening of optical emission spectroscopy (OES). The Lorentzian profile for emission lines of Ar I of 426.629 nm and Ar II of 487.99 nm were measured with a visible monochromator. And the electron density has been estimated by FWHM (Full Width Half Maximum) of its profile. To find the exact value of FWHM, we observed the instrument line broadening of the monochromator with a Hg-Ar reference lamp. The electron temperature has been calculated using the two relative electron density ratios of the Stark profiles. In case of electron density, it has been observed by the Stark broadening method. This experiment result shows the temporal behavior of the electron temperature and density characteristics for the focused plasma. The EUV emission signal whose wavelength is about 6 ~ 16 nm has been detected by using a photo-detector (AXUV-100 Zr/C, IRD). The result compared the electron temperature and density with the temporal EUV signal. The electron density and temperature were observed to be $10^{16}\;cm^{-3}$ and 20 ~ 30 eV, respectively.

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Performance Analysis of a Dense Device to Device Network

  • Kim, Seung-Yeon;Lim, Chi-Hun;Cho, Choong-Ho
    • KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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    • 제8권9호
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    • pp.2967-2981
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    • 2014
  • Device-to-Device (D2D) communication is a technology component for long-term evolution-advanced (LTE-A). In D2D communication, users in close proximity to each other can communicate directly without going through a base station; such direct communication can improve spectral efficiency. Although D2D communication brings improvement in spectral efficiency, it also causes interference to the cellular network as a result of spectrum sharing. In particularly, D2D communication can generate interference for each D2D pair when the common wireless medium in a co-located limited area is accessed. Even though the interference management for between the D2D pair and cellular networks has been proposed, the interference reducing methods have still not been fully studied for the D2D pairs. In this paper, we investigate the problem of D2D pair coexistence in which interference is considered between D2D pairs. Using a signal to interference model for a target D2D pair, we provide an analysis of the aggregated throughput of a dense D2D network. For a target D2D pair, we assume that the desired signal and interference signals obey multipath fading and shadow fading. Through analysis, we demonstrate the effect of cluster size such as the number of D2D pairs and the size of the considered area on the network performance. The analytical results are compared with computer simulations. Our work can be used for a rough guideline for controlling the system throughput in a dense D2D network environment.

A High-Isolation MIMO Antenna with Dual-Port Structure for 5G Mobile Phones

  • Yang, Hyung-kyu;Lee, Won-Woo;Rhee, Byung-Ho
    • KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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    • 제12권4호
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    • pp.1458-1470
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    • 2018
  • In this letter, a new dual-port Multiple-Input Multiple-Output (MIMO) antenna is introduced which has two independent signal feeding ports in a single antenna element to achieve smaller antenna volumes for the 5G mobile applications. The dual-port structure is implemented by adding a cross coupled semi-loop (CCSL) antenna as the secondary radiator to the ground short of inverted-F antenna (IFA). It is found that the port to port isolation is not deteriorated when an IFA and CCSL is combined to form a dual-port structure. The isolation property of the proposed antenna is compared with a polarization diversity based dual-port antenna proposed in the literature [9]. The operating frequency range is 3.3-4.0 GHz which is suitable for places where $4{\times}4$ MIMO systems are supposed to be deployed such as in China, EU, Korea and Japan at the band ${\times}$ (3.3 - 3.8GHz. The measured 6-dB impedance bandwidths of the proposed antennas are larger than 700 MHz with isolation between the feeding ports higher than 18 dB [1-2]. The simulation and measurement results show that the proposed antenna concept is a very promising alternative for 5G mobile applications.

셀룰러 기반의 사물 간 통신을 위한 임의접근 채널의 부하 제어 알고리즘 (Overload Control for Random Access in Cellular Machine-to-Machine Communications)

  • ;최계원
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제9권2호
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    • pp.181-186
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    • 2014
  • 본 논문에서는 셀룰러 기반의 사물 간 통신 네트워크에서의 임의접근채널 과부하 문제를 해결하기 위한 부하제어 기법을 제안한다. 사물 간 통신 단말은 기존 이동통신 단말에 비해 매우 높은 밀도로 분포하며 주로 간헐적으로 짧은 데이터를 전송하는 특성을 가지고 있다. 이러한 특성으로 인해 임의접근 기반으로 기지국에 접속하게 되는데 이 때 다수의 사물 간 통신 단말이 기지국 임의접근 채널에 신호를 전송하는 경우 임의접근 채널에 과부하가 일어날 수 있다. 그러므로 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 기지국이 네트워크의 부하를 측정하고 이를 바탕으로 p-persistent 방식을 이용해 부하를 제어하는 기법을 제안한다.

질화갈륨 소자를 이용한 DPD용 Amplifier Pallet 개발 (Design of Amplifier Pallet for DPD Using Gallium Nitride Device)

  • 오성민;박정훈;조삼열;이재훈;임종식
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2010년도 추계학술발표논문집 1부
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    • pp.76-79
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    • 2010
  • 본 논문에서는 고 효율 및 고 출력 특성을 가지는 질화갈륨(GaN) 소자를 이용하여 WiMAX 및 LTE System에 사용될 수 있는 DPD용 Pallet Amplifier를 제작하였다. 제작된 Pallet Amplifier는 Pre-drive로써 저 전류의 MMIC를 채택하고, Drive 단과 Main 단에 15W 급과 30W 급의 질화갈륨 소자를 사용 하였으며, 추가적인 효율 개선을 위해 PCB상에 Doherty Structure를 적용함으로써 보다 높은 효율을 구현하였다. 제작된 Pallet Amplifier는 음 전원 Bias 제어 회로, 온도에 따른 Gain 보상회로, Sequence 회로 및 Main 전원 Drop에 따른 보호 회로를 구현하였다. WiMAX Signal을 이용한 Modulation Power 10Watt Test에서 약 36.8~38.3%의 Pallet 효율과 DPD Solution인 TI GC5325SEK DPD Board 사용 시 ACLR은 약 46dBc 이상을 가지는 것으로 측정되었다. 본 논문에서 제작된 Pallet Amplifier는 Upper Band와 Lower Band로 나누어 제작되었던 기존 Pallet Amplifier와 달리 하나의 Pallet Amplifier로 2496~2690MHz에서 모두 사용하면서 종전에 사용되고 있는 Pallet Amplifier에 비해 Size가 최소 10% 이상 축소되어 효율 및 크기 면에서 종전 Pallet Amplifier보다 큰 이점을 갖는다.

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Data Compression Algorithm for Efficient Data Transmission in Digital Optical Repeaters

  • Kim, Jae Wan;Eom, Doo Seop
    • 전자공학회논문지
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    • 제49권12호
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    • pp.142-146
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    • 2012
  • Today, the demand for high-speed data communication and mobile communication has exploded. Thus, there is a growing need for optical communication systems that convert large volumes of data to optical signals and that accommodate and transmit the signals across long distances. Digital optical communication with these characteristics consists of a master unit (MU) and a slave unit (SU). However, the digital optical units that are currently commercialized or being developed transmit data without compression. Thus, digital optical communication using these units is restricted by the quantity of optical frames when adding diversity or operating with various combinations of CDMA, WCDMA, WiBro, GSM, LTE, and other mobile communication technologies. This paper suggests the application of a data compression algorithm to a digital signal processor (DSP) chip as a field programmable gate array (FPGA) and a complex programmable logic device (CPLD) of a digital optical unit to add separate optical waves or to transmit complex data without specific changes in design of the optical frame.

Measurement of EUV (Extreme Ultraviolet) and electron temperature in a hypocycloidal pinch device for EUV lithography

  • Lee, Sung-Hee;Hong, Young-June;Choi, Eun-Ha
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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    • pp.108-108
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    • 2010
  • We have generated Ne-Xe plasma in dense plasma focus device with hypocycloidal pinch for extreme ultraviolet (EUV) lithography and investigated an electron temperature. We have applied an input voltage 4.5 kV to the capacitor bank of 1.53 uF and the diode chamber has been filled with Ne-Xe(30%) gas in accordance with pressure. If we assumed that the focused plasma regions satisfy the local thermodynamic equilibrium (LTE) conditions, the electron temperature of the hypocycloidal pinch plasma focus could be obtained by the optical emission spectroscopy (OES). The electron temperature has been measured by Boltzmann plot. The light intensity is proportion to the Bolzman factor. We have been measured the electron temperature by observation of relative Ne-Xe intensity. The EUV emission signal whose wavelength is about 6~16 nm has been detected by using a photo-detector (AXUV-100 Zr/C, IRD) and the line intensity has been detected by using a HR4000CG Composite-grating Spectrometer.

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