• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• v.14 no.6
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• pp.741-749
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• 2014

Low power double data rate 2 non-volatile memory (LPDDR2-NVM) has been deemed the standard interface to connect non-volatile memory devices such as phase-change memory (PCM) directly to the main memory bus. However, most of the previous literature does not consider or overlook this standard interface. In this paper, we propose address phase skipping by reforming the way of interfacing with LPDDR2-NVM. To verify effectiveness and functionality, we also develop a system-level prototype that includes our customized LPDDR2-NVM controller and commercial PCM devices. Extensive simulations and measurements demonstrate up to a 3.6% memory access time reduction for commercial PCM devices and a 31.7% reduction with optimistic parameters of the PCM research prototypes in industries.

• Journal of IKEEE
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• v.26 no.4
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• pp.659-670
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• 2022

An 830-Mb/s/pin transceiver for a controller supporting ×32 LPDDR2 memory is designed. The transmitter consists of eight unit circuits has an impedance in the range of 34Ω ∽ 240Ω, and its impedance is controlled by an impedance correction circuit. The transmitted DQS signal has a phase shifted by 90° compared to the DQ signals. In the receive operation, the read time calibration is performed by per-pin skew calibration and clock-domain crossing within a byte. The implemented transceiver for the LPDDR2 memory controller is designed by using a 55-nm process using a 1.2V supply voltage and has a maximum signal transmission rate of 830 Mb/s/pin. The area and power consumption of each lane are 0.664 mm² and 22.3 mW, respectively.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2011.06d
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• pp.24-27
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• 2011

최근 스마트 폰 등 모바일 기기의 폭발적인 성장에 의해 내장 프로세서인 ARM 프로세서 기반 기기들이 활발히 개발되어 사용되고 있다. 이에 따라 상대적으로 저성능, 저 전력화에 치중하였던 내장 프로세서도 고성능화를 위한 고속 동작 및 멀티코어 프로세서를 개발하여 사용하게 되었으며, 메모리 동작 속도 역시 빠르게 발전하고 있다. 특히 모바일 기기 등에 사용 되는 저전력 메모리인 LPDDR2 소자 등의 개발에 따라 빠른 동작 속도를 가지도록 개발되고 있다. 그러나 시스템 온 칩(SoC, System on Chip) 형태로 제작되는 ARM 프로세서 기반의 SoC는 다양한 하드웨어 가속기 등을 함께 내장하고 있고, 저 전력화를 위한 버스 구조 등에 의하여 온 칩 버스의 속도 향상이 고성능 범용 시스템에 비하여 낮은 수준이다. 본 연구에서는 이러한 점을 고려하여, 프로세서 코어와 메모리 소자의 동작 속도 향상에 의하여 얻을 수 있는 성능 향상과, 상대적으로 낮은 버스 동작 속도에 의하여 저하되는 성능의 정도를 분석하고 이를 극복하기 위한 방안을 검토하였다.