• 제목/요약/키워드: LED (Light Emitting Diode)

검색결과 851건 처리시간 0.033초

Rubrene/GDl 4234 Dual 도펀트를 이용한 적색 유기발광다이오드 (Red Organic LED with Dual Dopants of Rubrene and GDI 4234)

  • 장지근;강의정;김희원;신세진;공명선;임성규;오명환
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
    • /
    • pp.309-310
    • /
    • 2005
  • In the fabrication of high performance red organic light emitting diode, 2-TNA TA [4,4',4" -tris (2-naphthylphenyl- phenylamino)-triphenylamine] as hole injection material and N PH [N,N'-bis (1-naphthyl) -N,N' -diphenyl-1, 1'-biphenyl-4,4'- diamine] as hole transport material were deposited on the ITO (indium tin oxide)/glass substrate by vacuum evaporation, And then, red color emission layer was deposited using Alq3 as a host material and Rubrene (5,6,11,12- tetraphenylnaphthacene) and GDI 4234 as dopants. Finally, small molecular weight OLED with the structure of ITO/2-TNATA/ NPB/Alq3+Rubrene+GDI4234/Alq3/LiF/Al was obtained by in-situ deposition of Alq3, LiF and Al as electron transport material, electron injection material and cathode. respectively. Green OLED fabricated in our experiments showed the color coordinate of CIE(0.65,0.35) and the maximum luminescence efficiency of 2.1 lm/W at 7 V with the peak emission wavelength of 632 nm.

  • PDF

Structural and Electrical Transport Properties of Zn Doped CuCrO2 by Pulsed Laser Deposition

  • 김세윤;성상윤;추만헝;조광민;우진규;이준형;김정주;허영우
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
    • /
    • pp.256-256
    • /
    • 2010
  • 투명전극부터 디스플레이 산업에 이르기까지 광범위하게 응용되어지고 있고 개발되어지고 있는 투명전도산화물(TCO)은 ZnO, In2O3, SnO2 등을 기본으로 하는 n-type 재료가 대부분이다. 그러나 투명전도 산화물을 이용한 light emitting diode(LED), 투명한 태양전지, p-형 TFT와 같은 투명전자소자의 개발을 위해서는 p-type 소재가 필수적이다. p-type TCO 소재는 비교적 연구 개발 실적이 매우 부진한 실정이었다. 1997년 넓은 밴드갭을 가지는 ABO2(delafossite) 산화물이 p-type으로서 안정적이라는 것을 보고함에 따라 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 현재 ABO2 형태를 가진 Delafossite구조 산화물이 가장 유망한 p-type 투명전도체 소재로 거론되고 있다. Delafossite 구조가 p-type 투명전도체에 적합한 결정구조인 이유는 밴드갭이 넓고 공유결합에 유리하기 때문이다. Delafossite구조는 상온에서 2종류의 polytype(상온에서 Rhombohedaral구조와 hexagonal 구조)이 존재하며 이들은 각각 3R 및 2H의 결정 구조를 가지고 있다. ABO2의 delafossite구조에서 Cu+의 배열은 c-축을 따라 Cu-O-Cr-O-Cu의 연속적인 층 구조로서 2차원연결로 보여 진다. 보고된 Cu- base delafossite구조를 가지는 재료들은 CuAlO2, CuGaO2, CuInO2 등 여러가지가 있다. 본 연구에서는 PLD를 이용하여 c-plane 사파이어 기판위에 성장된 delafossite구조인 CuCrO2박막의 특성을 알아보았다. p-type 특성을 위하여 CuCrO2에 Zn를 첨가하였으며 그에 따른 구조적 전기적 특성을 조사하였다. 성장온도와 산소분압을 $500{\sim}700^{\circ}C$, 0~10mTorr로 변화시켜 특성을 연구하였다. 성장온도 $700^{\circ}C$, 산소분압 10mTorr에서 c-plane 사파이어 기판위에 c-축 배향의 에피성장된 CuCrO2:Zn 박막을 얻을 수 있었다. Mg를 도핑함에 따른 p-type 특성보다 현저히 떨어지는 것을 확인하였다. 또한 동일한 조건임에도 특정한 이차상의 존재를 통해 도핑된 Zn의 위치를 추측할 수 있었다. 온도와 분압에 따른 결정성과 표면상태를 SEM을 통해서 확인하였다.

  • PDF

유연성 기판위에 전기화학증착법으로 성장된 ZnO 나노로드의 광학적 특성연구

  • 김명섭;고영환;유재수
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
    • /
    • pp.439-439
    • /
    • 2012
  • ZnO 나노로드는 큰 밴드갭 에너지(~3.37 eV)와 60 meV의 높은 엑시톤 결합 에너지(exciton binding energy)를 갖고 있으며, 우수한 전기적, 광학적 특성을 지닌 1차원 나노구조의 금속산화물로서 태양전지 및 광전소자 널리 응용되고 있다. 이러한 ZnO 나노로드를 성장하는 방법 중에 전기화학증착법(electrochemical deposition method)은 전도성 물질위에 증착된 시드층(seed layer)을 성장용액에 담그어 전압을 인가하여 만들기 때문에 기존의 수열합성법(hydrothermal method), 졸-겔 법(sol-gel method)보다 비교적 간단한 공정과정으로 저온에서 빠르게 물질을 성장시킬 수 있는 장점이 있다. 한편, 디스플레이 산업에서 ITO (indium tin oxide)는 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide)로써 가시광 파장영역에서 높은 투과율과 전도성을 가지며, 액정디스플레이, LED (Light emitting diode), 태양전지 등의 다양한 소자에 투명전극 재료로 쓰이고 있다. 또한 최근 ITO를 유연한 PET (polyethylene terephthalate) 기판 위에 증착은 얇고, 가볍고, 휘어지기 쉬워 휴대하기 편하기 때문에 차세대 광전자소자 응용에 가능성이 크다. 본 연구에서는 ZnO 나노로드를 ITO/PET 기판위에 전기화학증착법으로 성장하여, 구조적 및 광학적 특성을 분석하였다. 시드층을 형성하기 위해 RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 ~20 nm 두께의 ZnO 박막을 증착시킨 후, zinc nitrate와 hexamethylenetetramine이 포함된 수용액에 시료를 담그어 전압을 인가하였다. 용액의 농도와 인가전압을 조절하여 여러 가지 성장조건에 대한 ZnO 나노로드의 구조적, 광학적 특성을 비교하였다. 성장된 시료의 형태와 결정성을 조사하기 위해, field-emission scanning electron microscope (FE-SEM), X-ray diffraction (XRD)을 사용하였으며, UV-vis-NIS spectrophotometer, photoluminescence (PL) 측정장비를 사용하여 광학적 특성을 분석하였다.

  • PDF

Insertion of Carbon Interlayer Into GaN Epitaxial Layer

  • Yu, H.S.;Park, S.H.;Kim, M.H.;Moon, D.Y.;Nanishi, Y.;Yoon, E.
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
    • /
    • pp.148-149
    • /
    • 2012
  • This paper reports doping of carbon atoms in GaN layer, which based on dimethylhydrazine (DMHy) and growth temperature. It is well known that dislocations can act as non-radiative recombination center in light emitting diode (LED). Recently, many researchers have tried to reduce the dislocation density by using various techniques such as lateral epitaxial overgrowth (LEO) [1] and patterned sapphire substrate (PSS) [2], and etc. However, LEO and PSS techniques require additional complicated steps to make masks or patterns on the substrate. Some reports also showed insertion of carbon doped layer may have good effect on crystal quality of GaN layer [3]. Here we report the growth of GaN epitaxial layer by inserting carbon doped GaN layer into GaN epitaxial layer. GaN:C layer growth was performed in metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor, and DMHy was used as a carbon doping source. We elucidated the role of DMHy in various GaN:C growth temperature. When growth temperature of GaN decreases, the concentration of carbon increases. Hence, we also checked the carbon concentration with DMHy depending on growth temperature. Carbon concentration of conventional GaN is $1.15{\times}1016$. Carbon concentration can be achieved up to $4.68{\times}1,018$. GaN epilayer quality measured by XRD rocking curve get better with GaN:C layer insertion. FWHM of (002) was decreased from 245 arcsec to 234 arcsec and FWHM of (102) decreased from 338 arcsec to 302 arcsec. By comparing the quality of GaN:C layer inserted GaN with conventional GaN, we confirmed that GaN:C interlayer can block dislocations.

  • PDF

분말사출성형 시 분말 혼합체의 유동성 시뮬레이션을 통한 투광성 알루미나 소결체의 특성 연구 (A study on the Powder Injection Molding of Translucent Alumina via Flowability Simulation of Powder/Binder Mixture)

  • 김형수;변종민;김세훈;김영도
    • 한국분말재료학회지
    • /
    • 제21권3호
    • /
    • pp.215-221
    • /
    • 2014
  • Translucent alumina is a potential candidate for high temperature application as a replacement of the glass or polymer. Recently, due to the increasing demand of high power light emitting diode (LED), there is a growing interest in the translucent alumina. Since the translucent property is very sensitive to the internal defect, such as voids inside or abnormal grain growth of sintered alumina, it is important to fabricate the defect-free product through the fabrication process. Powder injection molding (PIM) has been commonly applied for the fabrication of complex shaped products. Among the many parameters of PIM, the flowability of powder/binder mixture becomes more significant especially for the shape of the cavity with thin thickness. Two different positions of the gate were applied during PIM using the disc type of die. The binder was removed by solvent extraction method and the brown compact was sintered at $1750^{\circ}C$ for 3 hours in a vacuum. The flowability was also simulated using moldflow (MPI 6.0) with two different types of gate. The effect of the flowability of powder/binder mixture on the microstructure of the sintered specimen was studied with the analysis of the simulation result.

GaN 기반 LED구조의 p-GaN층 성장온도에 따른 광학적, 결정학적 특성 평가 (Optical and microstructural behaviors in the GaN-based LEDs structures with the p-GaN layers grown at different growth temperatures)

  • 공보현;김동찬;김영이;한원석;안철현;최미경;조형균;이주영;김홍승
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
    • /
    • pp.144-144
    • /
    • 2008
  • Blue light emitting diode structures consisting of the InGaN/GaN multiple quantum wells were grown by metalorganic chemical vapor deposition at different growth temperatures for the p-GaN contact layers and the influence of growth temperature on the emission and microstructural properties was investigated. The I-V and electroluminescence measurements showed that the sample with a p-GaN layer grown at $1084^{\circ}C$ had a lower electrical turn-on voltage and series resistance, andenhanced output power despite the low photoluminescence intensity. Transmission electron microscopy (TEM) revealed that the intense electro luminescence was due to the formation of a p-GaN layer with an even distribution of Mg dopants, which was confirmed by TEM image contrast and strain evaluations. These results suggest that the growth temperature should be optimized carefully to ensurethe homogeneous distribution of Mg as well as the total Mg contents in the growth of the p-type layer.

  • PDF

당뇨병성 궤양의 레이저치료에 대한 효과 : 체계적 문헌고찰 (The Effect of Laser Therapy for Diabetic Ulcer : Systematic Review)

  • 강기완;강자연;정민정;김홍준;서형식;장인수
    • 한방안이비인후피부과학회지
    • /
    • 제30권4호
    • /
    • pp.62-74
    • /
    • 2017
  • Objectives : The purpose of this study is to investigate the effect of laser therapy for diabetic ulcer by using methods of systematic review. Methods : In this review, PubMed, Cochrane library, Web of Science, CNKI, CiNii, J-STAGE, NDSL and OASIS were used as the search engines. The search period is from the start date of the search engine to October 3, 2016. Randomized controlled trials(RCTs) using laser therapy for diabetic ulcer were searched and extracted by two independent researchers. Risk of bias(RoB) of Cochrane was used to assess methodological quality of studies. Results : Finally, five RCTs were selected. The follow-up period ranged from 15 days to 20 weeks. InGaAlP laser, GaAlAs laser and light emitting diode(LED) were used to treat diabetic ulcer. The clinical trials used sham laser irradiation or standard treatment as control in comparison to laser therapy. The endpoints included ulcer size, rate of healing and time to healing with follow-up period. The RCTs demonstrated therapeutic outcomes with no adverse effect. Most items of RoB were unclear and methodological quality was low. Conclusions : Our analysis suggests that laser therapy has therapeutic effects for diabetic ulcer. However, more systematic and stringent clinical trials will be required.

이차전지로 구동하기 위한 다른 발진 특성을 나타내는 조명용 광양자테 소자 개발 (Development of Photonic Quantum Ring Device with Different Oscillation Characteristics for Driving with Secondary Battery)

  • 김경보;이종필;김무진
    • 디지털융복합연구
    • /
    • 제19권11호
    • /
    • pp.341-349
    • /
    • 2021
  • 최근 조명 산업이 중요한 분야로 인식되면서 PQR (Photonic Quantum Ring) 소자는 LED(Light Emitting Diode)를 대체할 수 있는 차세대 광원이 될 전망이다. 본 연구에서는 기존 연구와 유사한 결과를 검증하고, 소자의 광특성을 분석하기 위해 광섬유가 연결된 스테이지에 x, y, z 좌표를 입력하면 자동으로 이동하며, 또한, 소자에 광섬유를 근접시키는 NSOM (Near field scanning optical microscopy) 장치를 추가한 측정 시스템을 이용하여 소자의 광특성 실험과 공진 및 어레이 소자의 광특성 시뮬레이션을 통해 조명용 소자로 가능성을 검증하고자 하였다. 이를 위해 메사와 홀 형태가 동시에 존재하는 메사 직경 40㎛, 홀 직경 3㎛의 소자를 제작하여 소자의 근접장으로 PQR 소자는 ㎂에서 동작하며, 메사와 홀 소자는 서로 독립적으로 구동됨을 관찰하였다. 위치에 따른 소자의 광파장 스펙트럼을 측정하여 메사와 홀 소자에 의한 커플링 현상을 처음으로 확인하였다.

강자성-강유전성 복합체를 활용한 자기-기계-마찰전기 변환 발전소자 (Magneto-Mechano-Triboelectric Generator Enabled by Ferromagnetic-Ferroelectric Composite)

  • 임예슬;황건태
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제37권1호
    • /
    • pp.112-117
    • /
    • 2024
  • The Internet of Things (IoT) device is a key component for Industry 4.0, which is the network in homes, factories, buildings, and infrastructures to monitor and control the systems. To demonstrate the IoT network, batteries are widely utilized as power sources, and the batteries inevitably require repeated replacement due to their limited capacity. Magneto-mechano-electric (MME) generators are one of the candidate to develop self-powered IoT systems since MME generators can harvest electricity from stray alternating current (AC) magnetic fields arising from electric power cables. Herein, we report a magneto-mechano-triboelectric generator enabled by a ferromagnetic-ferroelectric composite. In the triboelectric nylon matrix, a ferromagnetic carbonyl iron powder (CIP) was introduced to induce magnetic force near the AC magnetic field for MME harvesting. Additionally, a ferroelectric ceramic powder was also added to the MME composite material to enhance the charge-trapping capability during triboelectric harvesting. The final ferromagnetic-ferroelectric composite-based MME triboelectric harvester can generate an open-circuit voltage and a short-circuit current of 110 V and 8 μA, respectively, which were enough to turn on a light emitting diode (LED) and charge a capacitor. These results verify the feasibility of the MME triboelectric generator for not only harvesting electricity from an AC magnetic field but also for various self-powered IoT applications.

황색포도알균과 표피포도알균에 대한 포토프린과 라다클로린의 광역학 효과 (Photodynamic effect of Photofrin and Radachlorin against Staphylococcus aureus and Staphylococcus epidermidis)

  • 서충원;류재기;권필승
    • 디지털융복합연구
    • /
    • 제12권6호
    • /
    • pp.407-414
    • /
    • 2014
  • 이 연구의 목적은 광감작제인 라다클로린과 포토프린을 발광다이오드에 접목하여 포도알균의 광역학치료 효과를 평가하고자 하였다. 실험방법은 황색포도알균이나 표피포도알균의 $1{\times}10^5CFU/ml$이 되게 균주부유액을 준비하였고, 광감작제(포토프린 또는 라다클로린)를 1.25, 2.5, 5, $10{\mu}g/ml$가 되도록 희석하였다. 균주희석액은 에너지밀도 각각 $14.4J/cm^2$$19.8J/cm^2$로 630 또는 670 파장 발광다이오드 빛을 조사하였다. 황색포도알균과 표피포도알균의 집락형성수는 포토프린 $5{\mu}g/ml$ 농도에서 33, 50개의 집락이 각각 형성되었고, 두 세균 모두 라다클로린 $5{\mu}g/ml$ 농도에서는 완전한 살균을 나타냈다. 유세포분석에 의한 형광강도는 정상세포보다 죽은세포에서 증가를 보였다. 투과전자현미경의 사진에서는 세포막의 손상과 부분적으로 세포형태의 파괴가 관찰되었다. 이 결과로 포토프린과 라다클로린을 이용한 광역학치료는 항균치료의 새로운 방법이 될 수 있음을 제의한다.