The aim of this study is to improve the accuracy of field placement and junction between adjacent fields and block shielding through the use of a computed tomography(CT) simulator and virtual simulation. The information was acquired by assessment of Alderson Rando phantom image using CT simulator (I.Q. Xtra - Picker), determination of each field by virtual fluoroscopy of voxel IQ workstation AcQsim and colored critical structures that were obtained by contouring in virtual simulation. And also using a coronal, sagittal and axial view can determine the field and adjacent field gap correctly without calculation during the procedure. With the treatment planning by using the Helax TMS 4.0, the dose in the junction among the adjacent fields and the spinal cord and cribriform plate of the critical structure was evaluated by the dose volume histogram. The pilot image of coronal and sagittal view took about 2minutes and 26minutes to get 100 images. Image translation to the virtual simulation workstation took about 6minutes. Contouring a critical structure such as cribriform plate, spinal cord using a virtual fluoroscopy were eligible to determine a correct field and shielding. The process took about 20 minutes. As the result of the Helax planning, the dose distribution in adjacent field junction was ideal, and the dose level shows almost 100 percentage in the dose volume histogram of the spinal cord and cribriform plate CT simulation can get a correct therapy area due to enhancement of critical structures such as spinal cord and cribriform plate. In addition, using a Spiral CT scanner can be saved a lot of time to plan a simulation therefore this function can reduce difficulties to keep the patient position without any movements to the patient, physician and radiotherapy technician.
Silicon has considerably good characteristics on electron, hole mobility and its price. With 2-D sinlge-layer Graphene/n-Si heterojunction solar cell shows that in one sun condition exhibit power conversion efficiency(PCE) of 10.1%. This photovoltaic effect was achieved by applying gate voltage to the Schottky junction of the heterostructure solar cell. Energy band diagram shows that Schottky barrier between Si and graphene can be adjust by the external electric field. because of the fermi level of the graphene can be changed by external gate voltage, we can control the Schottkky barrier of the heterostructure solar cell. The ratio between generated power of solar cell and consumption electrical power is remarkable. Since we use the graphene as the top gate electrode, most of the sun light can penetrate into the active area.
지표면 유출과 하천 유출 통으로 구성된 동일한 홍수유출모형 SIRG-RS를 소유역과 대유역에 적용하였다. 지표면 유출로부터의 유입 방법, 하천 접합부에서의 계산방법, 급경사 산지하천에서의 에너지손실 계산 등에서 개선책을 강구하였다. 마찰력 산정을 위하여 레이놀즈수와 조고비의 함수인 지수형 마찰계수 산정식을 도입하였다. 또한 지수형 마찰계수 산정식은 실험자료뿐 아니라 최근 입수한 현장 관측자료를 사용하여 개선하였다. 개선된 모형은 대규모의 유역과 아주 작은 크기의 소유역에도 적용하였는데, 두 가지 경우 모두 관측자료와 비교하여 양호한 계산 결과를 얻었다.
목 적 : 두경부 종양의 방사선치료에서 동일 방사선 조사면을 분리하여 X-선과 전자선을 인접시켜 조사하는 경우는 빈번히 사용되는 방법이다. 따라서 본 연구는 X-선과 전자선 조사면의 인접면에서의 선량을 측정하여 임상에 적용할 수 있는 자료를 얻고자 하였다. 대상 및 방법 : 본 연구는 Clinac1800 (Varian, USA) 선형가속기에서 방출되는 6MV X-선과 9 MeV 전자선을 이용하였다. 흡수선량을 측정하기 위해 X-OMAT V film을 사용하였다. 조사야 $10cm{\times}10cm$에 0.1Gy - 4Gy를 조사하여 film densitometer (WP102 : Welhofer, German)로 OD 값(광학 밀도)를 얻어 film의 특성 곡선을 얻었다. X-선과 전자선 조사면을 분리하여 인접 조사할 때 X-선 조사면은 $10cm{\times}10cm$의 X축 중심에서 2 cm부터 폭 3cm의 차폐를 하고 X-선 조사면에서 차폐된 부분을 전자선 조사면으로 하였다. 전자선 조사면은 $15cm{\times}15cm$ cone을 이용하였다. 흡수선량 측정은 solid water phantom에서 깊이 0 cm(표면), 0.5 cm, 1.5 cm, 2cm, 3 cm에서 film을 설치하고 X-선은 8 cm 깊이에 100 cGy를 조사하고 전자선은 SSD(source surface distance) 100cm로 표면에서 X-선 조사면에 일치시키고 1Gy를 조사하였다. 선량 측정은 X-선과 전자선 조사면의 인접면에서 film densitometer로 scan하여 OD 값을 구하고 6 MV X-선의 Dmax의 OD값을 기준으로 비교하였다. 기준 흡수선량을 구하기 위해 X-선과 전자선 각각의 흡수선량을 깊이 0 cm(표면), 0.5cm, 1.5cm, 2cm, 3cm에서 측정하였다. 결 과 : X-선과 전자선의 조사면을 인접시켰을 때 깊이 0 cm, 0.5 cm, 1.5 cm, 2 cm, 3 cm에서의 두 조사면의 인접면에서의 선량 분포의 분석에서 X-선 조사면에서 선량 증가는 깊이 1.5 cm에서 폭 7 mm에 걸쳐 있었고 최고 $6\%$의 증가를 보였으며 다른 측정 깊이에서는 선량증가가 허용범위 내에 있었다. 그리고 전자선 조사면쪽에서 선량 감소는 전 측정 깊이 0.5 cm-3 cm에서 각각 폭이 1mm-12.5 mm에 걸쳐 $4.5\%-30\%$의 주변부보다 선량감소를 보였다. 결 론 : 본 연구에서 X-선과 전자선을 표면에서 인접시켜 조사 할 때 두 조사면의 인접면을 중심으로 X-선 조사면 쪽에서 선량증가, 전자선 조사면쪽에서 선량 감소가 있음을 확인하였다. 위의 연구 결과는 X-선과 전자선의 인접 방사선조사를 할 때 유용한 참고 자료가 될 수 있겠다.
임상에서 일반적으로 행하여지는 전자선은 피부암과 유방암, 두 경부 등의 다양한 부위의 치료에 사용되어진다. 본 연구에서는 6 MeV에서 bolus 사용 시 source surface distance (SSD) setup과 source bolus distance (SBD) setup에 따른 선량분포를 비교하였고 electron field 내에 nipple이 존재하는 경우의 전자선 dose 분포, 그리고 광자선과 전자선을 같이 사용할 경우 junction 부위에서의 dose 분포를 비교하였다. 이러한 모든 실험은 파라핀 phantom과 acryl, film을 이용하여 dosimetry 를 시행하였고 임상에서와 같은 조건으로 setup 한 후 전자선 선량 분포를 확인하였다. Bolus 사용시의 SSD setup과 SBD setup의 경우 $8\%$의 선량분포 차이를 보였다. Nipple이 존재하는 field 내에서는 nipple 만큼 bolus를 제거하여야 균일한 선량 분포를 얻을 수 있음을 확인하였다. 또한 광자선과 전자선을 동시에 사용하는 경우에서는 전자선 field 전체에 bolus를 사용할 때 hot spot과 cold spot을 줄이는 효과를 얻을 수 있었다.
한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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pp.178-184
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1999
We have measured I-V characteristics of Bi$_2Sr_2CaCu_2O_{8+{\delta}}$ mesa containing a small number of intrinsic stacked Josephson junctions in a magnetic field. We fabricated mesa with an area of 40${\times}$40 ${\mu}$m$^2$ containing 3${\sim}$20 intrinsic junctions. We applied magnetic field perpendicular to He CuO$_2$ planes up to 5T. We observed flux-flow branches and flux-flow steps in the I-V characteristics which might be due to collective motion of Josephson vortices in the long junction limit. In a parallel field, critical current I$_c$ varies as I$_c$(B) ${\sim}$ exp(-B/B$_0$), where B$_0$ is about 2T, which is consistent with the theoretical model. DC and AC intrinsic Josephson effects are also discussed.
The severe conditions such as rated voltage of 800kV, gas pressure of $5kg/cm^2$ and rated lighting impulse withstand voltage of 2400kV were adopted for the design of spacers in the 800kV GIS to give a sufficient design margin. The design criteria on the maximum electric field strength of the center conductor and the insulator surface were established by considering the insulator surface characteristics, electrode area and surface effects in the unequal electric field strength of the given gap. The design parameters such as inter/outer envelope degree, thickness, inter/outer inserts, triple junction gap were determined by calculating the electric field using FLUX-2D program package and by referring to the published papers. The mechanical stress analysis was conducted on the feasible model spacers that showed good electric field distributions to confirm the sufficient mechanical design margin. The 800kV spacer designed as described above is now in the process of manufacturing.
Treatment of a large diseased area with electron often requires the use of two or more adjoining fields. In such cases, not only electron beam divergence and lateral scattering but also fields overlapping and separation may lead to significant dose inhomogeneities(${\pm}20%$) at the region of junction of fields. In this study, we made Acrylic Electron Wedges to improve dose inhomogeneities(${\pm}5%$) in these junction areas and to apply it to clinical practices. All measurements were made using 6, 9, 12, 16, 20 MeV Electron beams from a linear accelerator for a $10{\times}10\;cm$ field at 100cm of SSD. Adding a 1 mm sheet of acryl gradually from 1 mm to 15 mm acquires central axis depth dose beam profile and isodose curves in water phantom. As a result, for all energies, the practical range was reduced by approximately the same distance according to the acryl insert, e.g. a 1 mm thick acryl insert reduces the practical range by approximately 1 mm. For every mm thickness of acryl inserted, the beam energy was reduced to approximately 0.2 MeV. These effects were almost Independent of beam energy and field size. The use of Acrylic Electron Wedges produced a small increase(less than 3%) in the surface dose and a small increase(less than 1%) in X-ray contamination. For acryl inserts, thickness of 3 mm or greater, the penumbra width increased nearly linear for all energies and isodose curves near the beam edge were nearly parallel with the incident beam direction at the point of penumbra width($35\;mm{\sim}40\;mm$). We decide heel thickness and angle of the wedge at this point. These data provide the information necessary to design Acrylic Electron Wedge which can be used to improve dose uniformity at electron field junctions and it will be effectively applied to clinical practices.
IrMn을 반강자성체로 사용하고 순수한 Al을 자연산화시켜서 제작한 Al203를 절연층으로 사용한 spin-valve 형태의 NiFe/Co/Al2O3/Co/IrMn 터널링 접합의 자기저항효과를 조사하였다. IrMn의 두께가 약 100$\AA$이상일 경우 강자성체와의 교환상호작용이 발생하기 때문에 NiFe(183$\AA$)/Co(17$\AA$)/Al-oxide(16$\AA$)IrMn(100$\AA$) 터널링 접합에서 자기저항효과가 관찰되며 TMR비(%)는 $\pm$20 Oe의 인가자장에서 10% 이상의 값을 갖는다. 하부 자성층인 NiFe/Co의 길이방향으로 수행한 자장 중 열처리에 의해 저항은 다소 감소하고 TMR비(%)는 열처리온도에 따라 증가하여 20$0^{\circ}C$에서 23%의 최대값을 갖는다. 자성층의 폭을 변호시켜 접합면적을 달리한 시료의 TMR비(%)는 접합면적이 증가할수록 증가하고 저항은 감소한다.
Ultra thin Si p-n junctions shallower than $300{\AA}$ were fabricated and biased to the avalanche regime. The ultra thin junctions were fabricated to be parallel to the surface and exposed to the surface without $SiO_2$ layer. Those junctions emitted white light and electrons when junctions were biased in the avalanche breakdown regime. Therefore, we could observe the avalanche breakdown region visually. We could also observe the influence of electric field to the current flow visually by observing the white light which correspond to the avalanche breakdown region. Arrayed diodes emit light and electrons uniformly at the diode area. But, the reverse leakage current were larger than those of ordinary diodes, and the breakdown voltage were less than 10V.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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