조사재시험시설(IMEF : Irradiated Materials Examination Facility)은 원자력연구소 부지 내에 위치하고 있는 핫셀 시험시설로써, 하나로 연구용 원자로 및 상용 원자력발전소에서 중성자에 조사한 사용후핵연료 및 구조재료 등의 조사특성에 대한 시험 및 평가를 수행하고 있다. 따라서 핫셀 내부에서 시험을 완료한 고준위 고체폐기물들은 시설의 고유기능을 지속적으로 수행하기 위해서 정기적으로 핫셀 외부로 반출 및 원자력연구소 부지내의 저장시설에 옮겨 처리해야 한다. 시설준공(1993년 말) 후 현재까지 고준위폐기시설인 모노리스(monolith)로 반출 및 처리한 물량은 50리터용 폐기물처리용 통(bin)으로 약 30개이며, 해마다 그 양이 늘어나고 있는 추세이다. 본 논문에서는 조사재시험시설의 핫셀에서 고준위폐기시설인 모노리스(monolith)까지의 일련의 반출 및 처리에 대한 절차 및 작업내용을 간략하게 기술하고자 한다.
The purpose of this study was to investigate the effects of radiation on the formation of rat molar enamel at the developmental stage. The experimental animals were divided into five groups and were irradiated single dose of 396cGy ; 1 st group on 14th day of gestation, 2nd group on 19th day of gestation, 3rd group on 3 days after birth, 4th group on 8 days after birth, 5th group on 28 days after birth. The control and 1, 2, 3, and 4th experimental groups were sacrificed on 2, 4, and 6 weeks and the 5th groups were sacrificed on 1 day and 2 weeks after irradiation. Distal 1/2 and occlusal 1/3 enamel surface of lingual side of lingual cusp, and fractured surface of lingual side of lingual cusp in a longitudinal direction of the mandibular first molar were examined using scanning electron microscope. The following results were obtained. 1. The roughness of enamel surface and enamel hypoplasia were increased in a sequence of 4th, 1st, 2nd, and 3rd experimental group, and the enamel cracks were increased in the 1st and 2nd experimental group. 2. The pattern of enamel hypoplasia had a network form on the 1st and 2nd experimental group, and appeared a linear shape on the 3rd experimental group, and then the crator-like enamel defects were observed in all experimental groups (especially 1st and 2nd experimental group) except 5th. 3. Dentinoenamel junction showed the clear-cut and straight appearance except 5th experimental group. 4. There was no significant difference between 5th experimental and control group.
수명 측정법과 동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 p형과 n형 실리콘 시료에 3.98 MeV 에너지를 가진 $0.0{\sim}20.0{\times}10^{13}\;protons/cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 실리콘 결함 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 전자 밀도 에너지를 수리적 해석 방법인 S-변수와 열린 부피 결함에 대한 측정법으로서 양전자 수명 ${\tau}_1$과 ${\tau}_2$, 이에 따른 밀도 $I_1$과 $I_2$를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수와 양전자 수명은 시료에 조사된 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 양전자 수명 측정과 같은 경향을 보여준다. SRIM의 결과로써, 양성자 조사 에너지에 따른 Bragg 피크 때문에 양성자는 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하여 시료 전체에는 결함으로 잘 나타나지 않기 때문이다. 빔의 조사량에 따른 결함의 영향이 더 큰 것으로 나타났다.
The Liquid Crystal (LC) alignment uniformity is very important in LC devices. The alignment mechanism of LC molecules on a rubbed polyimide (PI) surface is very important for both LC fundamental research and application. So, Generally a rubbing method to align LC has been widely used to mass-produce LCD panels. But because rubbing method is contact method between rubbing fabric and indium-tin-oxide glass or flexible substrate, rubbing method has some defects, such as the electrode charges and the creation of contaminating particles. Thus we strongly recommend a non-contact alignment technique for getting rid of some defects of rubbing method. Most recently, the LC aligning capabilities achieved by ion-beam exposure on the organic and nonorganic thin film surface have been reported successfully. In this research, we studied the tilt angle generation and electro-optical performances for a NLC on homeotropic polyimide surfaces with ion-beam exposure. The LC aligning capabilities of a nematic liquid crystal (NLC) on a homeotropic PI surface using a new ion-beam method were studied. On the homeotropic PI surface, the tilt angle of the NLC by exposure ion-beam had a tendency to decrease as increased ion-beam energy density. And, on the homeotropic PI surface, the alignment character of the NLC with respect to ion-beam energy was good. And we achieved satisfactory result for EO character.
황산칼륨($K_2SO_4$) 포화용액으로부터 증발법으로 $K_2SO_4$ 단결정을 최적조건에서 생성시킨다. 이 단결정은 약 $12{\times}10^6$ 렌트켄의 ${\gamma}$-선에 조사시키면 그 결정내에 상자성 중심 또는 상자성 결합을 형성한다. 이 상자성 중심들의 전자스핀공명(ESR) 스펙트라를 상온에서 X-띠 전자스핀 공명 분광분석기로 얻는다. 상자성종들의 ESR 피이크들은 무등방성을 보이지만 $SO_3-$기만은 g = 2.0036인 가우스형 등방성 피이크이었다. 무등방성피이크들의 각도 의존성을 나타내기 위하여 서로 직교하는 a, b, c 결정축으로 단결정을 회전시키면서 여러 각도에서 ESR 스펙트라를 기록하였다. 무등방성 피이크들과 등방성 피이크의 선위치관계로부터 g값들을 계산하고 각 상자성 중심에 대응하는 g-값의 9매트릭스 원소들을 대각화 시켜 주 g-값과 방향여현을 얻는다. 이들 특성 주 g-값과 방향여현을 사용하여 모든 상자성 결합구조를 확인하였다.
반도체 소자의 기판 재료로 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼는 그 정밀도가 매우 중요하다. 본 연구에서는 균일한 Dopant 농도 분포를 얻을 수 있는 중성자 변환 Doping을 이용하여 실리콘에 인(P)을 Doping하는 연구를 수행하였다. 중성자 변환 Doping, 즉 NTD(Neutron Transmutation Doping)란 원자번호 30인 실리콘 동위원소에 중성자가 조사되면 원자번호 31인 실리콘으로 변환되고, 2.6시간의 반감기를 갖고 decay 되면서 인(P)으로 변하게 되어 실리콘 웨이퍼에 n-type 전도를 갖게 하는 것을 말한다. 본 연구에서는 하나로 원자로를 이용하여 고저항(1000-2000Ωcm) FZ 실리콘 웨이퍼 에 두 개의 조사공에서 중성자 조사하여 저항의 변화를 관찰하였고, 중성자 조사시 발생하는 점결함을 분석하여 점결함이 저항 변화에 미치는 영향을 알아보았다. 중성자 조사 전 이론적 계산에 의해 HTS조사공은 5Ωcm, 20.1Ωcm 이고 IP3조사공은 5Ωcm, 26.5Ωcm, 32.5Ωcm 이었고, 중성자 조사 후 SRP로 측정한 결과 실제 저항값은 HTS-1 2.10Ωcm, HTS-2 7.21Ωcm 이었고, IP-1은 1.79Ωcm, IP-2는 6.83Ωcm, 마지막으로 IP-3는 9.23Ωcm 이었다. DLTS 측정 결과 IP조사공에서 새로운 피의 결을 발견할 수 있었다.
먹거리의 국제화에 따라 식품이나 식품원료의 수입이 급증하고 식품규제에 대하여 국제적 조율이 강조되는 등 먹거리를 둘러싼 환경이 크게 변하고 있다. 식품산업도 고품질을 유지하면서 안전성을 확보하는 것이 시급해졌는데 안전성 확보에는 미생물학적, 물리적 위해(이물질 혼입 등)와 함께 식품첨가물, 잔류농약 등의 화학적 위해분석을 빠뜨릴 수 없다. 이들 먹거리의 안전성 평가기술의 대표적인 것이 HACCP이다. HACCP절차는 식품가공과 식품저장의 모든 형태에서 식품안전을 확인하는 필수요소이다. 전통적인 최종제품검사가 품질 결함을 찾아내기 위한 것이라면 HACCP은 식품의 안전성 결함을 방지하기 위하여 제품계통이나 가공인자 그리고 실제운전에 규제사항을 설계하는 것이다. 본보는 HACCP시스템에 필요한 기기를 중점적으로 요약한 것이다.
In order to investigate the radiation effects induced to electrical properties of Biaxially-Oriented Polypropylen film, several observations were carried out to the sample irradiated to various dose by $Co^{60}-{\gamma}$ ray, on the characteristics of TSC spectra measuered as a function of electric field applied to a sample of 15[ ${\mu}m$] thick. The TSC spectra observed in the temperature range of $153{\sim}403[K]$ with the electric field of intensity $10{\sim}60$ [MV/m], have shown two of the distinguished peak such as ${\beta}$, ${\alpha}$, each of which appeared at $-5{\sim}20$ [ $^{\circ}C$] and 90 [ $^{\circ}C$] respectively. As the conclusions, obtained from the studies, the origin of ${\alpha}$ peak in TSC seems to be attributed by thermal excitation of ions trapped with $0.4{\sim}0.8[eV]$ deep, at the defects formed by $Co^{60}-{\gamma}$ irradiation in a crystaline region. The origin of ${\beta}$ peak was regarded as the depolarization process of "OH" or "CO" dipole with the activation energy of $0.4{\sim}0.6[eV]$ in an amorphous region.
The mechanical property of a phosphore layer was investigated by measuring the resolution (LP/mm) and by positron annihilation spectroscopy and SEM. Image plate samples containing the phosphore layer were irradiated by X-rays in a hospital numerous times over a course of several years. The LP/mm values of a (Ba,Sr)FBr : Eu image plate irradiated by X-rays varied between 2.2 and 2.0 over a period of four years. Coincidence Doppler Broadening (CDB) positron annihilation spectroscopy was used to analyze defect structures. The S parameters of the samples from hospital use varied from 0.6219 to 0.6232. There was a positive relationship between the time of exposure to the X-rays and the S parameters. Most of the defects were found to have been generated by X-rays.
Low-density polyethylene(LDPE ; thickness 100[${\mu}m$] as a experimental specimen is irradiated with electron beam by using electron beam accelerator, and as an experimental specimen, the nonirradiated specimen and the specimen irradiated with electron beam is produced according to the classification of dose. From the analysis of DSC, the crystalline melting point of the specimen irradiated with electron beam is lower than that of virgin specimen. It is confirmed thai the volume resistivity is increased from the temperature over $50[^{\circ}C]{\sim}60[^{\circ}C]$ to the crystalline melting point because of the defects of solid structure and the formation of many trap centers by means of electron beam irradiation, but decreased in the temperature over the crystalline melting point because of the melt of crystalline.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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