이 연구에서는 1945년 교수요목기부터 2009 개정 교육과정까지 개발된 화학 교과서에서 강산의 이온화도와 이온화 상수 값이 어떻게 제시되었는지 분석하였다. 또한 설문지를 통해 화학 교사들에게 수용액에서 강산의 세기를 비교하도록 하였다. 그리고 이온화도와 이온화상수 값이 호환되지 않는 이유에 대한 교사들의 인식을 알아보았다. 연구 대상은 화학 교사 46명이었다. 연구 결과, 교사들은 교과서에 제시된 이온화 상수 값과 이온화도를 근거로 수용액에서 강산의 세기를 구분하였으며, 교과서에 제시된 이온화 상수 값이 이온화도와 서로 호환되지 않는 문제를 생각하지 못하거나, 문제로 인식하는 경우에도 그에 대한 해결을 하지 못하고 실험 오차나 측정 오차로 생각하였다.
The ionization of a helium atom was investigated as a function of gas pressure, with the use of a tungsten tip. The tungsten tip, to which the external voltage was applied, was used to generate a constant electron current. The ionization current of helium gas was measured as a function of gas pressure. Effective ionization occurred in the pressure range of 0.5-20 torr when the distance between the field emission tip and the collector was 1 cm. The ionization current was linearly proportional to the voltage that was applied to the tungsten tip.
Spark plug ionization signal could be useful in an internal combustion engine as a feedback signal for combustion diagnostics such as misfire detection, knocking detection and lambda control, but the signal has high level of cyclic fluctuation in an internal combustion engine due to residual gas, pressure, temperature, mixture composition in the spark gap. Because of this reason it is very difficult to apply ion signal to commercial engine control. In this Study, a correlation between A/F and spark plug ionization signal was studied in a constant volume chamber. Constant volume chamber with gas phase fuel(Propane) has homogeneous fuel composition , no mixture flow, same pressure and temperature on each test. The results show that mean chemi-ion signal has the highest correlation with A/F and intial pressure change has on effect on the thermal-ion signal and not on chemi-ion signal.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제14권6호
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pp.329-333
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2013
SiOC films were prepared by capacitively coupled plasma chemical vapor deposition, and the correlation between the binding energy by X-ray photoelectron spectroscopy and Arrhenius equation for ionization energy was studied. The ionization energy decreased with increase of the potential barrier, and then the dielectric constant also decreased. The binding energy decreased with increase of the potential barrier. The dielectric constant and electrical characteristic of SiOC film was obtained by Arrhenius equation. The dielectric constant of SiOC film was decreased by lowering the polarization, which was made from the recombination between opposite polar sites, and the dissociation energy during the deposition. The SiOC film with the lowest dielectric constant had a flat surface, which depended on how carbocations recombined with other broken bonds of precursor molecules, and it became a fine cross-linked structure with low ionization energy, which contributed to decreasing the binding energy by Si 2p, C 1s electron orbital spectra and O 1s electron orbital spectra. The dielectric constant after annealing decreased, owing to the extraction of the $H_2O$ group, and lowering of the polarity.
In search of simple host molecules for uranyl ion which form 1: 1-type complexes with high formation constants that can be used either in extraction of uranium from seawater or in catalysis of biologically important organic reactions, the uranophile activities of dihydroxyazobenzene derivative 1 were studied. Uranyl ion and 1 form a 1: 1-type complex with a very large formation constant. The formation constant was measured at pH 7-11.6 by competition experiments with carbonate ion. From the resulting pH dependence, ionization constants of the two aquo ligands coordinated to the uranium of the uranyl complex of 1 were calculated. The ionization constants were also measured by potentiometric titration of the uranyl complex of 1. Based on these results, the pKa values of the two aquo ligands were estimated as 7.1 and 11.0, respectively. At pH 7.5-9.5, therefore, the complex exists mostly as monohydroxo species. Under the conditions of seawater, 1 possesses greater affinity toward uranyl ion compared with other uranophiles such as carbonate ion, calixarene derivatives, or a macrocyclic octacarboxylate. In addition, complexation of 1 with uranyl ion is much faster than that of the calixarene or octacarboxylate uranophiles.
임팩트이온화율은 낮은 전자에너지에서는 이방성이지만, 임팩트이온화가 자주 발생하는 높은 에너지 영역에서는 등방성이 된다. 본 연구에서는 300K와 77K에서의 임팩트이온화율을 계산하기 위하여 의사포텐셜 방법으로 구한 full 에너지 밴드 구조와 페르미의 황금법칙 군 사용하였다. 계산된 임팩트이온화율은 수정된 Keldysh공식을 사용하여 표현되었다. GaAs 임팩트이온화 모델의 타당성을 고찰하기 위해 Monte Carlo simulator를 제작하여 300K와 77K에서의 임팩트이온화 계수를 구하여 비교하였다 시뮬레이션 결과, 300K에서 임팩트이온화 과정의 이방성특성이 관찰되었지만, 77K에서는 거의 임팩트이온화 계수가 일정함을 입증하였다. 특히, 77K에서 <110>방향을 따라 적용된 전계에서는 이방성특성이 나타남을 입증하였다.
Kim, K.H.;Jang, H.G.;Han, S.;Choi, S.C.;Choi, D.J.;Jung, H.J.;Koh, S.K.
한국표면공학회지
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제29권5호
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pp.570-576
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1996
Cu films for future ULSI metallization were prepared by partially ionized beam (PIB) deposition and characterized in terms of preferred orientation, grain size, roughness and resistivity. PIB-Cu films were prepared on Si (100) at pressure of $8 \times 10^{-7}$~$1 \times 10^{-6}$ Torr. Effects of acceleration voltage and ionization potential on the properties of PIB-Cu films have been investigated. As the acceleration voltage increased at constant ionization potential of 400 V, the degree of preferred orientation and surface smoothness of the Cu film increased. At the ionization potential of 450 V, the degree of preferred orientation at the acceleration voltage higher than 2 kV decreased and surface roughness increased with acceleration voltage. Grain size of Cu films increased to 1100 $\AA$ initially up to applied acceleration voltage of 1 kV, above which a little increase occurred with the acceleration voltage. There was no indication of impurities such as C, O in all sample. Resistivity of Cu film had the same trends as the surface roughness with acceleration voltage and ionization potential. The increase of electrical resistivity of PIB-Cu films was explained in terms of grain size and surface roughness
The closed-form analytic solutions for the breakdown voltage of 6H-SiC RTD(silicon carbide reachthrough diode) having metal$-n^--n^+$ Schottky structure or $p^+-n^--n^+$, are successfully derived by solving impact ionization integral using an effective ionization coefficient. For the lightly doped n- epitaxial layer, the breakdown voltage of SiC RTD are nearly constant with the increased doping concentration while the breakdown voltages decrease for the heavily doped epitaxial layer.
반도체소자의 전자전송특성을 해석하기 위하여 임팩트이온화현상은 매우 중요하다. 임팩트이온화는 전자-정공쌍들의 생성과정이므로 소자에 인가되는 전압이나 온도에 따라 소자의 특성이 변화될 수 있다. 본 연구에서는 Constant Voltage 스켈링이론을 적용하여 게이트 길이를 50nm까지 스케일 다운하였으며 TCAD시뮬레이터를 이용하여 세 가지 모델-Van Overstraeten, Okuto, Ours-에 대하여 임팩트이온화와 breakdown등을 비교 분석하였다.
An improved voltage modulation method (VMM) was used to control the heat release and adsorption properties of the adsorbent. In this work, the voltage and flux modulation methods were considered under unified experimental conditions of dissociative surface ionization (SI) of polyatomic organic molecules, the criteria were found when under VMM conditions the current relaxation of SI carries information about the kinetic properties of thermal desorption of ionizable dissociation particles arriving on the surface of polyatomic molecules. Conditions were found under which the relaxation of the ionic current in the flux modulation method is determined by the kinetics of the heterogeneous dissociation reaction of the original polyatomic molecules. The values of the thermal desorption rate constant K+ and the activation energy E+ obtained with VMM for desorption of (CH3)2NCH+2 ions with m/z 58 by adsorption of imipramine and amitriptyline molecules agree well with each other and with the results for the desorption of the same ions by adsorption of other molecules. This confirms one of the basic conditions for the equilibrium process SI - the a degree (β coefficient) of the same particles SI on the same emitter surface is the same and does not depend on the way these particles are formed on the emitter surface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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