본 논문에서는 케미루민센스와 HPLC를 사용하여 산소 표백시 수산기 라디칼의 생성과 리그닌 및 탄수화물의 분해와의 상호관련성을 밝히기 위하여 간단한 리그닌 모델화합물인 아포사이놀과 탄수화물 모델화합물인 $\alpha$-D-glucopyranose와 methyl-$\beta$-D-glucopyronoside를 사용하여 연구하였다. 또한 수산기 라디칼의 생성과 금속이온과의 연관성을 검토하고 탈리그닌을 촉진함과 동시에 탄수화물의 분해를 억제하는 최적의 금속이온 농도를 조사하였다. 그 결과 금속이온의 존재가 수산기 라디칼의 형성과 탈리그닌화에 효과적인 영향을 주며, $Cu^{2+}$ > $Mn^{2+}$ > $Mg^{2+}$ > $Fe^{2+}$의 순서로 수산기 라디칼이 생성됨을 알 수 있었다. 이러한 금속이온들은 탄수화물도 분해시키는 문제가 있음을 증명하였다. 그러나 $100{\mu}m\;Mg^{2+}$를 첨가하면 수산기 라디칼의 생성이 억제됨을 알 수 있었다. 또한 $Cu^{2+}$은 탄수화물의 안정성에 나쁜 영향을 미쳤으나, $3{\mu}m\;Mn^{2+}$을 첨가하면 놀랍게도 methyl-$\beta$-D-glucopyranoside에 대해 약간의 보호효과를 나타냄을 알 수 있었다. 이산화염소 라디칼 표백 용액 중에서는 이와 반대로 금속과 관계없이 상당한 양의 수산기 라디칼을 생성하지 않으나 이산화염소 자체의 라디칼이 리그닌만을 선택적으로 분해하였다.
A proton exchange membrane was prepared by ${\gamma}-irradiation-induced$ grafting of styrene into poly(tetrafluoro-ethylene-co-perfluoropropyl vinyl ether) (PFA) and subsequent sulfonation reaction. The degree of grafting (DOG) increased with an increase in the absorbed dose. The prepared membranes showed high ion exchange capacity reaching 3.0 meq/g, which exceeded the performance of commercially available perfluorosulfonic acid membranes such as Nafion. The proton conductivity of PFA-g-PSSA membrane increased with the DOG and reached 0.17 S/cm for the highest sample at room temperature. The DMFC performance of the prepared membranes with 50% DOG was comparable to that of Nafion membrane.
The influence of on ion beam irradiation to the indium tin oxide (ITO) substrate on the performance of the organic light-emitting diodes (OLEDs) was studied. ITO films were used as the transparent anode of OLEDs with poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene) (MEH-PPV) as a hole-injection/transport layer. Oxygen and argon plasma treatment of ITO resulted in a change in the work function and the chemical composition. For plasma treated ITO anodes, the device efficiency clearly correlated with the value of the work function. We also discussed the implications of our experimental study in relation to the modification of the ITO surface composition, transmittance, reflectance, and water contact angle (WCA).
Biosorption represents a technological innovation as well as a cost effective excellent remediation technology for cleaning up radionuclides from aqueous environment. In the present study, a bacteria strain FB12 with high adsorption rate of uranium ion was isolated from the vicinity of the nuclear power plant. It was tentatively identified as Bacillus sp.FB12 according to the 16S rDNA sequencing. Efforts were made to further improve the adsorption rate and genetic stability by UV irradiation and UV-LiCl cooperative mutagenesis. The improved strain named Bacillus sp.UV32 obtains excellent genetic stability and a high adsorption rate of 95.9%. The adsorption of uranium U (VI) by Bacillus sp.UV32 from aqueous solution was examined as a function of metal ion concentration, cell concentration, adsorption time, pH, temperature, and the presence of some foreign ions. The adsorption process of U (VI) was found to follow the pseudo-second-order kinetic equation. The adsorption isotherm study indicated that it preferably followed the Langmuir adsorption isotherm. The thermodynamic parameters values calculated clearly indicated that the adsorption process was feasible, spontaneous and endothermic in nature. These properties show that Bacillus sp.UV32 has potential application in the removal of uranium (VI) from the radioactive wastewater.
This paper focuses on improving organic thin film transistor (OTFT) characteristics by controlling the self-organization of pentacene molecules with an alignable high-dielectric-constant film. The process, based on the growth of pentacene film through high-vacuum sublimation, is a method of self-organization using ion-beam (IB) bombardment of the $HfO_2/Al_2O_3$ surface used as the gate dielectric layer. X-ray photoelectron spectroscopy indicates that the IB raises the rate of the structural anisotropy of the $HfO_2/Al_2O_3$film, and X-ray diffraction patterns show the possibility of increasing the anisotropy to create the self-organization of pentacene molecules in the first polarized monolayer. An effective mobility of $2.3{\times}10^{-3}cm^2V^{-1}s^{-1}$ was achieved, which is significantly different from that of pentacene films that are not aligned. The proposed OTFT devices with an ultrathin $HfO_2$ structure as the gate dielectric layer were operated at a gate voltage lower than 5 V.
Most of chloride diffusion models based on finite difference method (FDM) could not express the diffusion in horizontal direction at each elevation. To overcome these weakness, two dimensional chloride ion penetration model based on finite element method (FEM) to be able to combine various multi-physics simultaneously was suggested by introducing moving mesh technique. To avoid the generation of mesh being able to be distorted depending on the relative movement of water level to static concrete, a rectangular type of mesh was intentionally adopted and the total number of meshes was empirically selected. The simulated results showed that the contents of surface chloride decreased following to the increase of elevation in the top part of low sea level, whereas there were no changes in the bottom part of low level. In the DuraCrete model, the diffusion coefficient of splashed zone is generally smaller than submerged zone, whereas the trend of Life365 model is reverse. Therefore, it could be understood that the developed model using moving mesh technique effectively reflects $DuraCrete^{TM}$ model rather than $Life365^{TM}$ model. In the future, the model will be easily expanded to be combined with various multi-physics models considering water evaporation, heat of hydration, irradiation effect of sun and so on because it is based on FEM.
Recent advances in NLO Borate Crystals for UV Generation are reviewed with the particular emphasis on the technique to improve the life time of UV optics. The laser-damage resistance of CLBO and fused silica surfaces was successfully improved after removing polishing compound by ion beam etching. The polishing compound embedded in the CLBO and fused silica surfaces were to a depth of less than 100nm. We were able to remove polishing compound without degrading the surface condition when the applied ion beam voltage was less than 200 V. The laser-induced surface damage threshold of CLBO was improved up to 15J/$\textrm{cm}^2$(wavelength: 355 nm, pulse width: 0.85 ns)as compared with that of the as-polished surface (11 J/$\textrm{cm}^2$). The laser-induced surface damage of fused silica also increased from 7.5J/$\textrm{cm}^2$ to 15J/$\textrm{cm}^2$. For the irradiation of a 266 nm high-intensity and high-repetition laser light, the surface lifetime of CLBO and fused silica could be more doubled compared with that of the as-polished surface.
Ammonium ion (${NH_4}^+$) was suggested as the origin of interstellar $6.85\;{\mu}m$ band. Early study, in which organic molecule and water ice film mixtures were photolyzed so that organic acids could be produced, explained the generation of ${NH_4}^+$ from the reaction of photogenerated organic acid and ammonia ($NH_3$). However, the observed abundance of organic acids or their counter-anions are not so high in interstellar ice and not enough to protonate $NH_3$ into ${NH_4}^+$ in the observed level. Because of the shortage in photogenerated organic acids, the candidate of acid which protonates $NH_3$ should be modified. Here, we prepare $NH_3/H_2O$ binary mixtures and photolyze them with vacuum ultraviolet (VUV, peak at 10.6 and 10.0 eV). We find the ammonium ion (${NH_4}^+$) from photolyzed mixture by using low energy sputtering (LES) and reflection absorption IR spectroscopy (RAIRS). As a hydronium ($H_3O^+$) can be produced by UV irradiation and protonate bases, ${NH_4}^+$ may be formed from the reaction of photogenerated $H_3O^+$ and $NH_3$. We show the generation of ${NH_4}^+$ without any kind of organic molecules or acids, and it may explain the relatively high abundance of ${NH_4}^+$ compared to the counter-anions or organic acids in interstellar ice.
Tomato 즙배지에서 도열병균의 분생포자형성 및 균사의 생장에 환경요인이 주는 영향을 연구하고자 우선 광선조사조건(광원, 조사광선의 색, 조사시간), 전배양기간, 배지의 산도 등에 관하여 조사함으로써 간편한 방법으로 단시일내에 병원균의 분생포자를 다량 생성시킬 수 있는 방법을 모색코자 본실험을 하였다. (1) 24시간 계속 형광등에 조사시킨 것이 암처리한 것이나, 주기적으로 조사한 것보다 분생포자생장 및 균사생장을 증가시켰다. (2) 무피복, 적색, 황색, 청색의 Cellophane을 투과시킨 형광등조사에서 무피복이 가장 분생포자형성이 많았고 적색 및 황색, 청색 순으로 감소하였으며 균사생장에는 유의차가 없었다. (3) 도열병균도 광선의 주기적인 조사에 의하여 광선의 색에 관계없이 수상생장을 나타냈다. (4) 전배양기간이 길수록 광선조사에 의하여 분생포자의 형성은 증가되었지만 48시간에서 가장 좋았다. (형광등구). (5) 균총의 착색정도와 공중균사의 발달정도는 분생포자형성과 밀접한 관계가 있는 것 같으며 암색일수록 분생포자의 생장은 많으며 공중균사가 많으면 분생포자생성은 감소하는 경향이 있었다. 24시간 계속조사시킨 것이 가장 암색을 나타냈고 주기적인 광선조사는 중간정도였다. (6) pH 5-9에서 분생포자 및 균사생장을 볼 수 있었는데 그 최적은 pH 7이었으며 pH4 이하의 산도에서는 전연 병균의 생장을 볼 수 없었다.
The effect of crystal orientation and microstructure on the mechanical properties of $TaN_x$ was investigated. $TaN_x$ films were grown on $SiO_2$ substrates by ultrahigh vacuum unbalanced magnetron sputter deposition in mixed $Ar/N_2$ discharges at 20 mTorr (2.67 Pa) and at $350^{\circ}C$. Unlike the Ti-N system, in which TiN is the terminal phase, a large number of N-rich phases in the Ta-N system could lead to layers which had nano-sized lamella structure of coherent cubic and hexagonal phases, with a correct choice of nitrogen fraction in the sputtering mixture and ion irradiation energy during growth. The preferred orientations and the micro-structure of $TaN_x$ layers were controlled by varing incident ion energy $E_i\;(=30eV\~50eV)$ and nitrogen fractions $f_{N2}\;(=0.1\~0.15)$. $TaN_x$ layers were grown on (0002)-Ti underlayer as a crystallographic template in order to relieve the stress on the films. The structure of the $TaN_x$ film transformed from Bl-NaCl $\delta-TaN_x$ to lamellar structured Bl-NaCl $\delta-TaN_x$ + hexagonal $\varepsilon-TaN_x$ or Bl-NaCl $\delta-TaN_x$ + hexagonal $\gamma-TaN_x$ with increasing the ion energy at the same nitrogen fraction $f_{N2}$. The hardness of the films also increased by the structural change. At the nitrogen fraction of $0.1\~0.125$, the structure of the $TaN_x$ films was changed from $\delta-TaN_x\;+\;\varepsilon-TaN_x\;to\;\delta-TaN_x\;+\;\gamma-TaN_x$ with increasing the ion energy. However, at the nitrogen fraction of 0.15 the film structure did not change from $\delta-TaN_x\;+\;\varepsilon-TaN_x$ over the whole range of the applied ion energy. The hardness increased significantly from 21.1 GPa to 45.5 GPa with increasing the ion energy.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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