본 논문에서는 무선 수신기용 down-conversion mixer에서 발생하는 2차 비선형과 DC-offset 문제를 향상시키는 방법을 제시하였다. 제안 된 회로에서는 간단한 수식적인 분석으로부터 2차 혼변조 왜곡 성분과 DC-offset 성분은 duty cycle 조절을 통하여 제거 될 수 있음을 알 수 있었다. 제안 된 방법을 가지고 $0.13{\mu}m$ RF CMOS 공정을 사용하여 출력 저항에 5%의 오차를 어 모의실험을 수행하여 보았다. 실험 결과 출력 저항에 5%의 오차를 주었을 때, IIP2(second-order input intercept point)와 DC-offset은 각각 2.04dBm와 22mV의 값을 가졌으나, 여기에서 제안된 방법을 통하여 IIP2는 38.8dBm로, DC-offset은 $777{\mu}V$로 각각 향상됨을 확인 할 수 있었다.
Han, Changyo;Cho, Seung-Hyun;Sung, Minkyu;Chung, Hwan Seok;Lee, Jong Hyun
ETRI Journal
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제38권2호
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pp.227-234
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2016
Herein, we demonstrate clipping distortion suppression of directly modulated multi-IF-over-fiber links using a simple shunt diode predistorter. The dynamic range of a directly modulated analog fiber optic link is limited by nonlinear distortions caused by laser-diode clipping. We investigate the link performance in the context of carrie-to-noise and distortion ratio (CNDR) and error vector magnitude (EVM) requirements when supporting LTE-A services. We also design an analog predistorter with a shunt-diode structure, and demonstrate experimentally that the predistorter has the ability to suppress clipping-induced third-order intermodulation distortions of the link by at most 14 dB. It also improves the CNDR and EVM of the 4-IF-multiplexed LTE-A carriers by 7 dB and 2.9%, respectively.
본 논문에서 제시한 새로운 형태의 전치왜곡 회로는 Harmonic Generator에서 발생되는 저주파 혼변조 신호 성분만을 추출하여, 이것을 Vector Modulator에서 원 신호와 진폭 변조시키는 것이다. 이러한 회로를 이용하여 3차, 5차 혼변조 신호를 발생시켜 전력 증폭기의 혼변조 신호를 감쇠시키는 선형화기를 구현하였다. 구현된 전치왜곡 선형화기는 국내 개인 휴대 통신(PCS) 기지국 송신 대역인 1840MHz~1870MHz주파수에서 동작되도록 제작, 측정을 하였다. 그 결과 반송파 2-tone 신호를 인가할 때 3차 혼변조 왜곡 특성은20dB 이상, 5차 혼변조 왜곡 특성은 10dB 이상의 개선효과를 얻었고, IS-95 CDMA 신호를 인가하였을 때 인접채널 전력 비를 10dB이상 개선시켰다.
본 논문에서는 IMT-2000 기지국용 30 W 전력증폭기를 구현하고 전파흡수제를 사용하여 발진과 상호간섭에 의한 신호의 왜곡을 제거하므로써 이득평탄도 및 상호 변조 왜곡을 개선하였다. 사용된 전파흡수체의 흡수능은 3.6 GHz 대역에서 -10 dB이하, 2.3 GHz 대역에서 -4 dB 이하가 측정되었다. 기존의 전력증폭기의 특성을 측정한 결과 이득은 57.37 dB(측정시 40 dB 감쇠기 부가)이상, 이득평탄도는 $\pm$0.33 dB였으며, 출력의 세기가 33.3 W일 때 IMD 특성은 27 dBc 로 나타났다. 한편 전력증폭기의 최종단인 고출력 전력결합기 부분에 전파흡수체를 부착한 후의 이득은 약 58.43 dB(측정시 40 dB 감쇠기 부가)이상, 이득평탄도는 $\pm$0.0935 dB 가 나타났으며, 출력이 33.3 W 일 때 3차 IMD 성분은 약 29 dBc 였다. 측정 결과 전파흡수체를 사용하였을 경우와 사용하지 않았을 경우 이득은 1 dB, 이득평탄도는 0.3 dB, IMD 특성은 1.77 dBc 가 각각 개선됨을 확인하였다.
OFDM (직교 주파수 분할 다중화) 신호의 높은 PAPR은 시스템의 송신단에서 전력증폭기의 비선형적 특성으로 인해 비선형 왜곡이 불가피하게 발생한다. 이 현상은 대역 내 왜곡과 대역 외 방사를 초래한다. 본 논문에서는 다항식 (polynomial) 모델에 기반한 사전왜곡(pre-distortion) 기법으로 이러한 문제를 보상하는 기법을 제안한다. 비선형 및 역비선형 다항식 모델 추정은 LSE(Least Square Error) 알고리즘으로 수행한다. 또한 시스템의 성능 향상을 위해 피크제거와 클리핑 결합기법을 이용해 OFDM 신호가 전력증폭기의 포화 영역 근처에서 동작함으로써 발생하는 왜곡된 신호의 진폭을 제거한다.
본 논문에서는 개별 차수 혼변조 신호 발생기를 이용한 전치 왜곡 선형화기 구조를 제안하였다 혼변조 신호 발생기는 공통 에미터 증폭기의 에미터 단자에 쇼트키 다이오드를 삽입하여, 3차와 5차 혼변조 신호를 다이오드 바이어스 전압에 따라서 발생시킨다. 이렇게 만들어진 혼변조 신호는 다이오드의 직렬 궤환을 이용한 것으로, 다이오드 바이어스 제어에 따라서 혼변조 신호의 크기와 위상을 변화시킬 수 있다. 이러한 혼변조 발생기를 전치 왜곡 선형화기로 사용했을 때, 반송파 2톤 신호 인가 시 3차와 5차 혼변조 신호는 각각 13.5 dB, 0.9 dB의 개선을 보였고, 광 대역폭을 갖는 CDMA IS-95 2FA 신호를 인가하였을 경우, 중심 주파수로부터 ${\pm}0.885$ MHz, ${\pm}1.23$ MHz 떨어진 지점에서 ACLR이 각각 2.3 dB, 2.5 dB의 개선됨을 확인하였다.
밀리미터파 대역의 아날로그 광전송을 위한 진행파형 (travel ing wave, TW) 전계흡수 광변조기 (electroabsorption modulator, EAM)와 광수신기의 설계에 대해 발표하고자 한다. TW EAM 및 TW 광수신기의 일반적인 형태인 ridge-type의 co-planar waveguide (CPW)구조에서의 마이크로파의 전송특성을 3차원 FDTD로 분석하여 광파와 전파의 속도 정합 등을 이루는 최적화 구조를 설계하였다. TW EAM의 경우 광세기 변조의 비선형 응답특성에 있어서 마이크로파 손실과 소자길이가 RF 신호의 혼변조 왜곡 (intermodulation distortion)과 SFDR (spurious free dynamic range)성능에 미치는 영향도 이론적으로 조사하였다. TW PIN 광수신기의 경우 광파와 마이크로파의 속도정합의 영향과 이전에는 고려되지 않았던 photo-generated 전송자의 진성 영역에서의 transit time이 광수신기의 밴드 폭에 미치는 영향을 분석하여 최적화 설계하였다.
A power amplifier operating at 3.3 V has been developed for CDMA/AMPS dual-mode cellular phones. It consists of linear GaAs power MESFET's, a new gate bias control circuit, and an output matching circuit which prevents the drain terminal of the second MESF from generating the harmonics. The relationship between the intermodulation distortion and the spectral regrowth of the power amplifier has been investigated with gate bias by using the two-tone test method and the adjacent channel leakage power ratio (ACPR) method of CDMA signals. The dissipation power of the power amplifier with a gate bias control circuit is minimized to below 1000 mW in the range of the low power levels while satisfying the ACPR of less than -26 dBc for CDMA mode. The ACPR of the power amplifier is measured to be -33 dBc at a high output power of 26 dBm.
The modulation quality of the I/Q modulator in a wireless transmitter usually affects system performance and it mostly depends on both a nonlinearity and a distortion, from the third order intermodulation(IM3) signal and the imperfection features such as an input amplitude error and a local phase error, respectively. This paper focused on how much the Single Sideband Ratio(SSR), which indicates the signal distortion, changes according to the variation of the imperfection features. Since a desired signal, side band and IM3 signals at the I/Q modulator output are also represented with those power series coefficients and the imperfection features, the effects of the imperfection features on SSR can be clearly analyzed.
Linearity is an important property of optical devices for analog communications. In this paper, we study the 3rd-order interrnodulation distortion (IMD3) of an Inp/InGaAsP multiple-quantum-well (MQW) traveling-wave type electroabsorption modulator (TW-EAM). We observe abnormal notches in the IMD3 results those were different from notches by general transfer curve of electroabsorption modulators (EAMs). We analyze the phenomena through absorption coefficients according to wavelengths and bias voltages to verify appearance of the abnormal notchs, where it can be known to result from Stark-shift and broadening. We propose the method to enhance linearity of MQW-EAMs by using these effects.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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