• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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• 제27권7호
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• pp.629-638
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• 2000

단일 볼륨랜더링과 다중 볼륨랜더링의 가장 큰 차이점은 데이타 혼합방법으로 본 논문에서는 특정 볼륨을 표면수준에 따라 선택적으로 빠르게 가시화하는 선택적 랜더링방법과 다중 볼륨을 위한 데이타 혼합방법을 제안한다. 선택적 랜더링방법은 관심부위를 구성하는 외곽선으로부터 최소거리를 결정하는 거리변환을 통하여 거리변환볼륨을 생성하고 이를 랜더링하는 방법이며, 다중 볼륨을 위한 데이타 혼합방 법은 명암도 가중치 방법, 불투병도 가중치 방법, 깊이 정보를 고려한 불투병도 가중치 방법을 이용하여 여러 개의 볼륨을 혼합하는 방법이다. 실험 결과로는 EBCT 가슴부위 영상에 선택적 랜더링방법을 적용하여 생성한 좌심실, 우심실 영상을 제시하며, 가슴부위 볼륨과 좌심실 볼륨 또는 우심실 볼륨에 세 가지 다른 혼합방법을 적용하여 얻은 혼합 영상을 제시한다. 본 제안방법은 거리변환볼륨을 사용함으로써 표면수준에 따라 특정 볼륨을 가시화하고 가시화 시간을 가속화시킬 수 있으며, 데이타 혼합을 통하여 단일 볼륨랜더링 한계를 극복하여 동일 공간 상에 다중 영상을 함께 표현함으로써 복잡한 형태로부터 관심부위의 형태와 상대적 관계를 효과적으로 나타낼 수 있다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1998년도 제15회 광학 및 양자전자 학술발표회 논문집
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• pp.238-239
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• 1998

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2006년도 하계학술발표회 논문집
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• pp.495-496
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• 2006

• 한국진공학회지
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• 제15권2호
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• pp.201-208
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• 2006

전류 차단층으로서 AlAs 자연산화층 ($AlO_x$) 을 갖는 InGaAs 양자점 (quantum dot) 구조를 분자선 박막 성장법 (molecular-beam epitaxy)과 습식 산화법 (wet oxidation)을 이용하여 제작하였고, 이들 구조의 열처리에 따른 광학적인 특성 변화를 photoluminescence (PL), PL excitation, 그리고 공간 분해능을 갖는 micro-PL을 이용하여 분석하였다. 습식 산화와 열처리 과정을 통해 intermixing된 InGaAs 양자점 영역에서 PL 특성을 조사한 결과, intermixing 되지 않은 영역보다 높은 에너지에서 완만한 PL peak이 추가적으로 관측되었다. 산화되지 않은 (non-oxided) AlAs 아래에 있는 InGaAs 양자점 영역에서는 약 1.1 eV에서 PL emission이 주로 관측되었으나, $AlO_x$와 $SiN_x$에 의해 intermixing 된 InGaAs 양자점 영역에서는 각각 약 1.16 eV와 $1.18{\sim}1.20$ eV 에서의 PL emission도 함께 관측되었다. 실험 결과, $AlO_x$층이 있는 InGaAs 양자점 영역이 산화 되지 않은 AlAs층이 있는 영역에 비해서 intermixing 효과가 크게 작용함을 알 수 있었다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
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• pp.268-269
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• 2000

We demonstrate a polarization insensitive waveguide filter using quantum well intermixing(QWI). The bandgap of epitaxial layer is modified from 1.55${\mu}{\textrm}{m}$ to 1.40${\mu}{\textrm}{m}$ using QWI and a Bragg grating filter is demonstrated using electron beam lithography technology. The fabricated waveguide filter has a 70% reflection efficiency and a 1.46nm filter bandwidth. Furthermore polarization insensitive transmission characteristics are observed. The device can be applied to photonic integrated circuits(PIC).

• 한국광학회지
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• 제16권2호
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• pp.159-161
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• 2005

We report the selective area bandgap tuning of multiple quantum well structures by an impurity free vacancy induced quantum well intermixing technique. A 3dB waveguide directional coupler was fabricated in the disordered section of an intermixed quantum well sample as a demonstration of photonic device applications.

• 한국진공학회지
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• 제9권2호
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• pp.150-154
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• 2000

Impurity-free vacancy diffusion 방법을 이용하여 압축 응력을 가진 InGaAs/InGaAsP 다중 양자 우물 구조에서 열처리 온도에 따른 무질서 정도를 조사하였다. InGaAs/SiO$_2$ cap 구조가 InP/$SiO_2$ cap 구조보다 급속열처리 (rapid thermal annealing : RTA) 과정에서 더 많은 청색 천이를 나타내었다. 열처리 온도 $700^{\circ}C$에서, InGaAs/$SiO_2$ cap 구조의 경우 다중양자우물의 밴드갭 파장은 1.55 $\mu\textrm{m}$대역에서 1.3 $\mu\textrm{m}$ 대역으로 이동하였으며, InGaAs/$SiO_2$ cap 구조와 InP/$SiO_2$ cap 구조의 밴드갭 파장차이는 195 nm (123 meV)로 높은 선택성을 나타내었다. 또한, DCXRD 스펙트럼으로부터 다중양자우물 구조에서 균일한 합금형태로 완전히 무질서화되는 것을 볼 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제10권3호
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• pp.283-288
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• 2001

본 연구에서는 분자동력학 방법을 사용하여 알루미늄 덩어리 충돌에 관하여 연구하였다. 충돌에 따른 운동량 및 충격력 변화를 통하여, 덩어리 충돌은 단일입자충돌(single particle collision) 특성 일부와 선형사슬충돌(linear chain collisions) 특성 일부를 가지는 것을 살펴보았다. 또한 연속적인 덩어리 증착을 통하여 성장된 박막의 특성을 살펴보았다 원자당 에너지가 너무 낮은 경우보다는 일정 에너지 이상에서 혼합(intermixing) 발생이 잘 이루어지며 짝은 어닐링 공정으로 좋은 박막을 얻을 수 있다는 것을 살펴보았다.

• 한국세라믹학회지
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• 제30권3호
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• pp.206-214
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• 1993

Coherent precipitation of Zn3P2 during Zn diffusion in a GaInAsP/InP heterostructure was studied using high-resolution transmission electron microscopy. Zn-diffusion-induced intermixing of Ga and In across the GaInAsP/InP heterointerface provided a Ga-mixed InP region which was nearly lattice-matched with Zn3P2 crystal and thus allowed thecoherent precipitation of Zn3P2. The Zn3P2 precipitates were preferentially nucleated at stacking faults which were formed to relax interfacial strain built up by the intermixing. The precipitates were grown to planar epitaxial layer along (100) plane in the lattice-matched region. The TEM images and diffraction pettern revealed that the tetragonal Zn3P2 crystals were coherently matched to the fcc structured GaInP matrix by the {{{{ SQRT {2} $\times$ SQRT {2} $\times$2 }} arrangement. The precipitation reaction of Zn3P2 was explained by an atomic migration model based on the kick-out mechanism.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권9호
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• pp.1-6
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• 2000

InGAAs/InGaAsP 다중양자우물구조에 분순물없는 vacancy 확산으로 지역 선택적인 상호 섞임 현상을 유도하고, 다중 파장 검출이 가능한 집적 광도파로형 photodetector를 제작 및 측정하였다. 다중양자우물구조는 상호섞임에 의해서 밴드갭이 크게 청색편이 하였다. 집적 광수신소자는 p-i-n 구조이며, 밴드갭이 큰 영역과 작은 영역이 광도파로를 따라 일렬이 되도록 항ㅆ다. 광도파로의 폭은 20 ${\mu}m$이며, 각 광수신소자에 길이는 250 ${\mu}m$이다. Tunable 레이저와 편광기를 이용하여, TE/TM 편광된 빛을 광수신소자에 butt-coupling 방법으로 입사하여 소자의 파장 특성을 측정하였다. 제작된 소자는 1480 nm 와 1550 nm 파장 영역을 분리, 수광할 수 있음을 보였다.