• 전자공학회논문지B
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• 제31B권9호
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• pp.1-9
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• 1994

This paper analyzes the faults and their mechanism of CMOS ICs using IDDQ testing technique and evalutes the reliability of the chips that fail this test. It is implemented by the three testing phases, initial test, burn-in and life test. Each testing phase includes the parametric test, functional test, IDDQ test and propagation delay test. It is shown that the short faults such as gate-oxide short, bridging can be only detected by IDDQ testing technique and the number of test patterns for this test technique is very few. After first burn-in, the IDDQ of some test chips is decreased, which is increased in conventional studies and in subsequent burn-in, the IDDQ of all test chips is stabilized. It is verified that the resistive short faults exist in the test chips and it is deteriorated with time and causes the logic fault. Also, the new testing technique which can easily detect the rsistive short fault is proposed.

• 한국추진공학회지
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• 제24권2호
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• pp.14-27
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• 2020

본 연구는 점화제와 지연제에 대한 시차 주사 열량 측정법을 통하여 반응 속도식 및 발열량을 추출하여 노화에 따른 반응 특성을 분석하기 위한 정밀 수치계산을 수행하였다. 연소 실험을 수행하여 수분이 관여된 노화에서 점화제와 지연제에서 명확한 연소 중단을 확인하였다. 이 결과를 수치계산과 비교하여 노화가 점화제와 지연제 전반에 성능 감소 및 오작동 요인으로 작용됨을 확인하였다.

• 한국추진공학회지
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• 제24권2호
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• pp.1-13
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• 2020

Zr을 원료로하는 점화제와 ZrNi를 원료로 하는 지연제로 구성된 파이로테크닉스의 노화현상을 열적/화학적/광학적으로 분석하였다. 열적 분석에는 Differential Scanning Calorimetry (DSC) 와 Thermogravimetry Analysis(TGA)를 통해 열 기반의 반응식을 규명했다. DSC의 결과로 수행한 픽 분석기법 (peak deconvolution)을 통해 각 연료의 노화에 따른 열적 변화를 분석하였다. 화학종 변화 분석에는 Laser Induced Breakdown Spectroscopy (LIBS)와 X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)를 사용하였다. 수분에 의한 산화제의 분해가 연료의 노화에 크게 영향을 미쳤으며, 열에너지 감소의 원인은 연료 표면의 산화막 형성과 산화금속의 형성으로 나타났다.