결정성장된 시편의 농도분포를 제어하기 위해서는 초기융액의 농도를 균일하게 하여야 한다. 용질농도가 초기융액에 있어서 균일하지 않다면, 성장된 시편에 예측한 것과 다른 거시편석이 발생할 수 있다. 위 쪽의 온도가 높은 온도 구배를 갖고 아래로부터 응고를 진행시키는 Bridgman 방법으로 Al-Cu 합금을 성장시키는 경우, 성장된 시편의 어용질 농도분포가 초기응고 부분이 높고 을고가 진행됨에 따라 감소하는 경향을 갖는 것으로 관찰되었다. 이런 현사은 주괴가 녹으면서 도가니와 주괴의 틈으로 스며나온 Cu의 농도가 높은 융액이 주괴가 완전히 녹은 후의 대류에 의해 아래부분에 축적됨으로 발생했다. Al-Mg 합금의 경우 도가니와 주괴의 틈으로 스며나온 Mg의 농도가 높은 융액이 주괴가 완전히 녹은 후의 대류에 의해 떠오르면서 용질 농도분포가 성장중에 최소값을 가지는 것으로 나타났다. 이러한 거시편석을 억제하기 위하여, 균질화 처리 또는 도가니와 주괴의 틈을 없게 함으로 균일한 농도의 초기유액을 얻었다.
This study presents the results on the changes of crucible thermal conductivity and inflow of Ar, and constructed the mathematical model about heat transfer into furnace. As process variables, simulation model was designated thermal conductivity of crucible to $0.5W{\cdot}m^{-1}{\cdot}K^{-1}$, $1W{\cdot}m^{-1}{\cdot}K^{-1}$, $2W{\cdot}m^{-1}{\cdot}K^{-1}$, $4W{\cdot}m^{-1}{\cdot}K^{-1}$, and inflow rate of Ar to 15 L/min, 30 L/min, 60 L/min. Initial condition and boundary condition were set respectively in two terms of process. Each initial conditions were set up by the preceding simulation of heat and fluid flow. The primary goal is the application of unidirectional growth of Si ingot using the result. In the result of the change of heat conductivity of crucible, the higher thermal conductivity of crucible shows the shorter solidification time and the bigger temperature difference. And the flow patterns are changed with the inflow rate of Ar. Finally, we found that the lower crucible's thermal conductivity, the better crucible is at polycrystalline Si ingot growth. But in case of Ar inflow, it is hard to say about good condition. This data will be evaluated as useful reference used in allied study or process variable control of production facilities.
This paper is research result for a development of solar cell silicon ingot glowing(SCSIG) PWM converter system for 120[kW] 3[kA]. The system include 3-phase AC-DC rectifier diode converter of input voltage AC 460[V] and 60[Hz], DC-AC single phase full bridge PWM inverter of high frequency, AC-DC single-phase full wave rectifier using center-tapped of transformer for low voltage 50[V] and large current 3,000[A], carbon resistor load 0.2 [$m{\Omega}$]. PWM switching frequency for IGBT inverter control set 15KHz. The suggested researching contents are designed data sheets of power converter system, PSIM simulation, operating characteristics and analysis results of developed SCSIG system.
The process of solidification of metal is accompanied by liquid-solid change and known as Stefan's heat conduction problem on the moving boundary. In this study the temperature distribution in ingot and metallic mould during casting was analyzed by the two dimensional heat conduction theory. The transient temperature distribution was numerically calculated using a finite element method on the nodal point of mesh screen representing ingot and mould cross section. The theory was applied on the casting of aluminum(purity ; 99%) in flat ingot mould of GC25. The analysis will make it possible to calculate an optimum mould shape of which temperature gradient becomes minimum.
A crank throw, which is one of the crankshaft part for a large diesel engine is manufactured by closed die forging or open die forging. For the purpose of improvement of productivity the open die forging is usually adopted these days. However it has disadvantage of low yield ratio compare to closed die forging. To overcome this problem, the material properties for hot top and bottom zones of ingot are investigated to utilize them to the product and a modified forging process to reduce the material loss of ingot body through forging analysis according to forging factors(a , R, Ø$\sub$B/, Ø$\sub$D/) is suggested.
This paper deals with void crushing behavior by ingot forging process which consists of sequential operations of upset forging and bloom forging. The predicted results of void crushing behavior by the simplified global-local method using F.E. analysis showed that the inherent void at the top region of the ingots remains incompletely crushed even after several forging operations. From the results of the hot upset forging test using the billets with drilled voids, it was found that the bonding efficiency of the void after forging process increases with an increase in deformation, and a decrease of initial diameter of voids.
In order to predict the internal void closing behavior in open die forging process, multiple scale modeling has been developed and applied. The huge size difference between ingot and inner void makes it almost impossible to simultaneously model the actual loading conditions and the void shape. Multiple scale modeling is designed to integrate macro- and micro- models effectively and efficiently. The void closing behavior was simulated at 39 different locations in a large ingot during upsetting and cogging. The correlation between the closing behavior and variables such as effective plastic strain and maximum compressive strain was studied in order to find an efficient measure for predicting the soundness of the forging.
In the forging operation of large ingot two break-down process are upsetting and cogging. The first purpose of upsetting is to ensure sufficient forging ratio for subsequent cogging operations and consolidate the voids along the centerline. The second purpose is related to improve the physical properties for a final product. Voids which are generated during the casting process can be one of the decisive defects of materials. So it is necessary to know the standard of Judgment for void-closure in upsetting operation. In practical conditions, FEM analysis(DEFORM 2D 8.1) was carried out to decide how much effective strain has influence on void-closure. It is finally suggested that the function consists of the effective strain of analysis data and the area rate of void.
The purpose of this work is to investigate a back surface field (BSF) on variety wafer resistivity for industrial crystalline silicon solar cells. As pointed out in this manuscript, doping a crucible grown Cz Si ingot with Ga offers a sure way of eliminating the light induced degradation (LID) because the LID defect is composed of B and O complex. However, the low segregation coefficient of Ga in Si causes a much wider resistivity variation along the Ga doped Cz Si ingot. Because of the resistivity variation the Cz Si wafer from different locations has different performance as know. In the light of B doped wafer, we made wider resistivity in Si ingot; we investigated the how resistivities work on the solar cells performance as a BSF quality.
This paper is research result for a development of sapphire silicon ingot glowing(SSIG) PWM converter system for 80kW 10kA. The system include 3-phase AC-DC diode rectifier of input voltage AC 380V and 60Hz, DC-AC single phase full bridge PWM inverter of high frequency, AC-DC single-phase full wave rectifier using center-tapped of transformer for low voltage 8.0V and large current 10,000A of output specification, tungsten resistor load 0.1[$m{\Omega}$]. PWM switching frequency for IGBT inverter control set 30kHz. The suggested researching contents are designed data sheets of power converter system, PSIM simulation, operating characteristics and analysis results of developed SSIG system. This paper propose
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[게시일 2004년 10월 1일]
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