• 자원리싸이클링
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• 제10권5호
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• pp.3-7
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• 2001

Indium frequently associated with the semiconductor industry is becoming an important metal element widely used in industry. In this paper, its properties especially in relation to its recovery from scrap are reviewed and discussed. Also presented in this paper is how best indium can be recovered by the hydrometallurgical means.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제32권10호
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• pp.3796-3798
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• 2011

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제51권6호
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• pp.661-665
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• 2013

ITO glass 제조공정에서 발생되는 인듐스크랩으로부터 인듐옥살산염의 제조에서 유기산의 영향을 연구하였다. 유기산의 종류, 농도 그리고 반응액의 pH, 온도, 시간 등을 변화시키면서 인듐옥살산염 제조에 미치는 영향을 조사하였다. 불순물 제거 효율은 구연산 및 옥살산 모두 비슷하였으나 구연산은 인듐과 유기산염을 형성하지 못하였다. 인듐옥살산염 제조의 최적 조건은 옥살산 농도 1.5M, pH 7, 반응온도 $80^{\circ}C$, 반응시간 6시간이었다. 한편, pH가 증가하면 회수율은 증가하지만, 순도는 감소하였다. 2회 반복으로 제조된 인듐옥살산염의 순도는 99.995% (4N5)를 나타내었다. 인듐옥살산염은 치환반응, 소성 등에 의해 인듐금속 및 인듐산화물 등으로 전환할 수 있다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제30권12호
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• pp.3141-3142
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• 2009

• 자원리싸이클링
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• 제23권6호
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• pp.63-67
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• 2014

갈륨은 주로 산화물 반도체용 타겟이나 LED 칩을 만드는 중요한 소재로 사용하고 있는데 아직까지 폐기물로부터 재자원화에 의한 순환량이 매우 낮다. 이로 인해 갈륨을 함유하고 있는 대부분의 폐자원은 해외로 유출되고 원재료는 수입에 의존하고 있다. 따라서 희유금속인 갈륨을 함유하고 있는 저품위 갈륨으로부터 갈륨을 회수하여 고순도화하는 방법을 연구 하였다. 전처리 과정으로 스크랩을 미분쇄하여 산으로 침출하였다. 침출액내 인듐은 치환으로 석출시켜 분리한 후 알칼리를 사용하여 갈륨과 아연을 수산화물로 침전시켜 여과 분리하였다. 갈륨과 아연수산화물을 알칼리용액으로 침출시켜 전해액을 제조하였고 전해채취로 갈륨과 아연메탈을 회수하였다. 갈륨과 아연은 진공정제를 통하여 아연을 제거하고 고순도의 갈륨을 회수하였다.

• 한국표면공학회지
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• 제41권1호
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• pp.6-11
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• 2008

An Indium Zinc Oxide(IZO) transparent conductive layer was deposited on a large size glass substrate by using magnetron dc sputtering method with varying a deposition temperature. As the deposition temperature decreased to a room temperature, the sheet resistance of IZO film increased. But this deposition temperature range is included in an applicable to a device. From a standpoint of the sheet resistance, the differences of the sheet resistance were not great and the uniformity of the layer was uniformed around 10%. Crystallization particles were shown on the surface of the layer as deposition temperature increased, but these particles were not shown on the surface of the layer as deposition temperature decreased to the room temperature. It didn't make a scrap of difference in a transmittance of varying deposition temperature. Therefore, it is concluded that IZO thin film manufactured by the room temperature deposition condition can be used as a large size transparent conductive layer of a liquid crystal display device.