• 한국결정성장학회지
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• 제27권3호
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• pp.122-129
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• 2017

고밀도 ITO 타겟 제조를 위해 입자의 크기가 미세하면서도 응집성이 적은 $In_2O_3$ 분말을 합성해야 한다. 본 실험에서는 $In_2O_3$ 분말의 특성에 영향을 미치는 전구체 Indium hydroxide 분말의 크기와 형상을 제어하는 것에 목적을 두고 있다. 출발 물질로써 Indium metal을 질산($HNO_3$)과 증류수의 혼합용액에 용해시켜 $In(NO_3)_3$ 용액을 만들었다. 침전제로 수산화암모늄($NH_4OH$)을 사용하여 농도, pH, 온도가 Indium hydroxide 특성에 미치는 영향을 분석하였다. X-ray diffraction으로 각 시료의 결정상을 분석하고 Crystallite size를 계산하였으며, TEM으로 입자의 형상과 크기를 분석하였다. 그 결과 $In(NO_3)_3$ 농도가 증가할수록 얻어지는 Indium hydroxide의 입자크기는 증가하였고 일정한 농도의 $In(NO_3)_3$ 용액에서 침전 pH 변화에 따른 Indium hydroxide의 입자크기와 형상의 변화는 관찰되지 않았다. 침전 시 온도가 상승할수록 입자크기는 증가하였다.

• 대한화학회지
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• 제42권2호
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• pp.184-189
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• 1998

Indium(III) trihalides (halogen=Cl, Br)와 bis(pentafluorophenyl)cadmiumd을 acetonitrile에서 반응시켜 acetonitrile이 배위된 tris(pentafluorophenyl)indium을 합성하였으며 원소분석, 핵자기 공명과 질량분석 스펙트럼을 이용하여 특성을 조사하였다. 그 결과 acetonitrile과 배위한 tris(pentafluorophenyl)indium는 pentafluorophenylindium화합물과 acetonitrile이 1:1로 배위된다는 것을 알 수 있었다. 또한 In$(C_6F_5)_3{\cdot} CH_3CN$과 DMAP(dimethylaminopyridine)를 dichloro methane 용매에서 리간드를 치환반응시켜 In$In(C_6F_5)_3{\cdot}DMAP$를 합성하였다. 리간드들의 치환은 acetonitrile보다 주개 성질이 강한 DMAP가 acetonitrile의 자리에 배위하는 것으로 생각된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.182.1-182.1
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• 2015

Transparent conducting oxides (TCOs)는 높은 투과율과 낮은 전기전도도를 갖고 있어 광다이오드, 태양전지 등 광소자에 적용하기 위해 많은 연구가 진행되어 왔다. 특히 Indium oxide 계열의 박막은 TCO 물질 중 하나로서 3.6 eV 의 wide bandgap을 가지고 있고, 높은 투과율과 낮은 전기 전도도 (< $10-3{\Omega}cm$)를 보여 다양한 응용이 가능해 오랫동안 연구 되어 지고 있다. 게다가 Indium oxide 계열의 박막은 낮은 가격과 화학적 안정성, 공정과정의 편의성 등 다양한 이점을 가지고 있어서 현재는 더 낮은 가격으로 생성해 더 높은 효율을 만드는데 관심이 집중되고 있다. 이러한 박막은 태양광 흡수층에서 생성되는 캐리어의 이동 및 외부 전극과의 접촉에서 발생하는 손실을 줄이기 위한 전극용 소재로 연구되어지고 있다. 본 연구에서는 Indium Molybdenum Oxide 박막을 Indium oxide와 Molybdenum 타겟을 이용하여 co-sputtering 방법으로 증착하였다. Indium molybdenum oxide 박막은 일정한 Mo 도핑농도와 일정한 Ar 개스 분압에서 다양한 기판온도 변화를 통해 증착하였다. 제작된 Indium molybdenum oxide 박막은 Hall Effect Measurement, Ultraviolet-Visible spectroscopy 및 X-Ray Diffraction (XRD) 등을 분석해 기판의 온도변화에 따른 전기비저항 및 광 투과도의 특성변화를 조사하였다.

• 자원리싸이클링
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• 제22권2호
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• pp.3-10
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• 2013

인듐은 희유금속으로 주로 ITO제조에 사용된다. 본 총설에서는 인듐을 함유한 2차자원을 침출한 용액으로부터 인듐을 분리하기 위한 용매추출, 이온교환 및 석출법에 대한 공정 조건 및 장단점을 조사했다. 보통 정도의 산성용액에서 인듐의 추출제로 D2EHPA가 가장 많이 사용되고 있으며, 매우 강한 염산용액에서는 아민계 추출제가 사용된다. 일반적으로 이온교환수지의 인듐 흡착량이 낮으므로, 인듐의 농도가 낮은 경우에 한해 이온교환은 용매추출보다 장점이 있다.

• 한국산업보건학회지
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• 제23권2호
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• pp.108-113
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• 2013

Objectives: Although several cases of lung diseases caused by indium have been reported in Japan, the United States and China, South Korea, which is estimated to have been the world's largest consumer of indium, has not yet established a criteria for the diagnosis of lung diseases caused by indium exposure. In this study, we tried to determine the applicability of the Krebs von den lungen-6, which has been widely recognized for its use with interstitial lung disease in Japan, as a biological exposure index for indium. Methods: Methods: The analysis of indium in serum was conducted by inductively coupled plasma mass spectrometry and the analysis of KL-6 in serum was carried out using enzyme-linked immunosorbent assay kit. Results: The indium levels in serum were distributed from below the detection limit to a peak of $125.78{\mu}g/L$, and the values of the KL-6 were distributed from 104.5 U/mL to 2162.2 U/mL. The serum indium and KL-6 showed good correlation ($R^2$=0.389,pfortrend=0.000) and smoking did not affect the KL-6. Conclusions: The usefulness of KL-6 as a specific biomarker for interstitial lung disease has been recognized. In addition, it is expected that effective prevention of health problems can be achieved by determining the lung-damage progress at an early stage according to individual susceptibility.

• 한국결정성장학회지
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• 제28권2호
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• pp.91-97
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• 2018

Indium hydroxide 분말이 침전법으로 제조되었다. 반응온도($150{\sim}250^{\circ}C$)와 각 반응온도에서의 유지시간(1~72 h)이 실험 변수로 사용되었다. 각각의 제조된 분말을 X-선 회절 분석기(XRD)와 투과전자현미경(FE-TEM), BET를 통해 입자크기, 미세구조 및 결정상을 관찰하였다. 본 연구에서는 침전법에 의해 제조된 Indium hydroxide가 열처리 시 반응온도와 각 반응온도에서의 유지시간에 따라 어떻게 Indium oxide로 상전이 거동을 하는 지를 고찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.183-183
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• 2009

본 연구에선 ITO에 사용되는 Indium의 양을 줄이기 위해 ITO와 유사한 성질을 보이는 조성인 Indium - Zinc - Tin Turnary compound를 연구하였다. 각 조성은 Indium - Zinc - Tin Turnary compound를 기본으로 하여 Zinc site에 이종원소인 Al2O3와 Ga2O3를 doping함에 따라 변화되는 전기적 특성을 살며보았다. 분석에 사용한 Ceramic pellet은 일반적인 Ceramic process를 거쳐 제작되었다. 각 조성의 전기적 특성은 TCR meter와 Hall effect analyser를 이용하여 측정하였고, X-ray diffraction measurements(XRD), Scanning Electron microscope(SEM)를 이용하여 결정학적 특성을 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.636-639
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• 2001

InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) grown with various growth interruptions between the InGaN well and GaN barrier by metal-organic chemical vapor deposition were investigated using photoluminescence, high-resolution transmission electron microscopy, and energy filtered transmission electron microscopy (EFTEM). The luminescence intensity of the MQWs with growth interruptions is abruptly reduced compared to that of the MQW without growth interruption. Also, as the interruption time increases the peak emission shows a continuous blue shift. Evidence of indium clustering is directly observed both by using an indium ratio map of the MQWs and from indium composition measurements along an InGaN well using EFTEM. The higher intensity and lower energy emission of light from the MQW grown without interruption showing indium clustering is believed to be caused by the recombination of excitons localized in indium clustering regions and the increased indium composition in these recombination centers.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권11호
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• pp.3299-3302
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• 2014

The In2S3 thin films of tetragonal structure and In2O3 films of cubic structure were synthesized by a spin coating method from the organometallic compound precursor triethylammonium indium thioacetate ($[(Et)_3NH]^+[In(SCOCH_3)_4]^-$; TEA-InTAA). In order to determine the electron mobility of the spin-coated TEA-InTAA films, thin film transistors (TFTs) with an inverted structure using a gate dielectric of thermal oxide ($SiO_2$) was fabricated. These devices exhibited n-channel TFT characteristics with a field-effect electron mobility of $10.1cm^2V^{-1}s^{-1}$ at a curing temperature of $500^{\circ}C$, indicating that the semiconducting thin film material is applicable for use in low-cost, solution-processed printable electronics.

• Environmental Engineering Research
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• 제17권2호
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• pp.65-67
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• 2012

The desorption characteristics of previously adsorbed indium ions on phosphorylated sawdust were tested by various chemical reagents such as HCl, $HNO_3$, NaCl, ethylenediaminetetraacetic acid, and nitrilotriacetic acid. Among them, HCl was chosen as the best desorbing agent in terms of economics. The desorption efficiency of HCl for indium ions was about 97% at a concentration of 0.5 M. The desorption efficiency for indium ions was very high at about 94% even at a solid/liquid ratio of 10.0, and the desorption process was quickly performed within 60 min. The removal efficiency of indium ions in recycled phosphorylated sawdust could be maintained at 85% in the 4th cycle.